电子线路(线性部分)试题3

1、选择正确答案填入空内。当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏解：B2、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。图T1.5解图T1.5解：根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将各点连接成曲线，即为临界过损耗线，如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。3、电路如图T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。试问：（1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为26bBEBBBRUVIμAV2mA6.2CCCCCEBCRIVUII所以输出电压UO＝UCE＝2V。图T1.6（2）设临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以k4.45A6.28mA86.2BBEBBbCBcCESCCCIUVRIIRUVI4.选择合适答案填入空内。工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为。A.83B.91C.100解：C5.在温度20℃时某晶体管的ICBO＝2μA，试问温度是60℃时ICBO≈？解：60℃时ICBO≈5C20CBO）＝（TI＝32μA。6.有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？解：选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，因其β适中、ICEO较小，因而温度稳定性较另一只管子好。7.已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图P1.14所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。图P1.14解：答案如解图P1.14所示。解图P1.148.测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。图P1.15解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.15所示。解表P1.15管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe9.电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析VBB为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。解：（1）当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。（2）当VBB＝1V时，因为60bBEQBBBQRUVIμAV9mA3CCQCCOBQCQRIVuII所以T处于放大状态。（3）当VBB＝3V时，因为160bBEQBBBQRUVIμA图P1.16BECCQOBQCQmA8URIVuIICC＜所以T处于饱和状态。10.电路如图P1.17所示，试问β大于多少时晶体管饱和？解：取UCES＝UBE，若管子饱和，则CbCBECCbBECCRRRUVRUV所以，100CbRR时，管子饱和。图P1.1711.电路如图P1.18所示，晶体管的β＝50，|UBE|＝0.2V，饱和管压降|UCES|＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5V时uO＝？解：当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为mA24μA480BCbBEIBIIRUuICCCCCCECVRIVU＜图P1.1812.分别判断图P1.19所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。图P1.19解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能