东南大学半导体物理总复习

1.导体,绝缘体和半导体的能带结构有什么不同?并以此说明半导体的导电机理（两种载流子参与导电）与金属有何不同？2.什么是空穴?它有哪些基本特征?以硅为例，对照能带结构和价键结构图理解空穴概念。3.半导体材料的一般特性。4.费米统计分布与玻耳兹曼统计分布的主要差别是什么？什么情况下费米分布函数可以转化为玻耳兹曼函数。为什么通常情况下，半导体中载流子分布都可以用玻耳兹曼分布来描述。5.由电子能带图中费米能级的位置和形态（如，水平、倾斜、分裂），分析半导体材料特性。6.何谓准费米能级？它和费米能级的区别是什么？7.比较Si,Ge,GaAs能带结构的特点，并说明各自在不同器件中应用的优势。8.重空穴,轻空穴的概念.9.有效质量、状态密度有效质量、电导有效质量概念。基础知识10.什么是本征半导体和本征激发？11.何谓施主杂质和受主杂质？浅能级杂质与深能级杂质?各自的作用。12.何谓杂质补偿？举例说明有何实际应用。13.金原子的带电状态与浅能级杂质的关系？14.画出（a）本征半导体、（b）n型半导体、（c）p型半导体的能带图，标出费米能级、导带底、价带顶、施主能级和受主能级的位置15.重掺杂的半导体其能带结构会发生何种变化？16.何谓非简并半导体、简并半导体？简并化条件？17.写出热平衡时,非简并半导体的表达式，n0、p0用ni表示的表达式。18.n型、p型（包括同时含有施主和受主杂质）半导体的电中性方程。19.解释载流子浓度随温度的变化关系，并说明为什么高温下半导体器件无法工作。ADpnpn,,,001.何谓直接复合？间接复合？2.推导直接复合的非平衡载流子寿命公式，从直接复合的非平衡载流子寿命公式出发说明小注入条件下，寿命为定值。3.了解间接复合的净复合率公式中各参量代表的意义，并从间接复合的净复合率公式出发说明深能级是最有效的复合中心。4.已知间接复合的非平衡载流子寿命公式的一般形式，会化简不同费米能级位置下的寿命公式。5.半导体的主要散射机制？温度对它们的影响，原因？6.何谓漂移运动？20.温度、杂质浓度对费米能级位置的影响。21.热平衡态、非平衡态、稳态概念.22.非平衡状态下载流子浓度表达式（用准费米能级表示），比较平衡与非平衡下电子浓度n和空穴浓度p的乘积。载流子的各种运动7.迁移率的定义、量纲。影响迁移率的因素。8.解释迁移率与杂质浓度、温度的关系。9.解释电阻率随温度的变化关系。10.强电场下Si、Ge和GaAs的漂移速度的变化规律，并解释之。11.何谓热载流子？12.载流子在什么情况下做扩散运动？扩散系数的定义、量纲。13.爱因斯坦关系式？理解推导过程。14.扩散长度和牵引长度的定义。15.在不同条件下，对连续性方程进行化简。16.平均自由时间、非平衡载流子寿命概念。17.平均自由程与扩散长度概念。18.小注入、大注入概念半导体与外界作用、半导体接触现象1.本课程中哪几种外界作用能够改变单一半导体的电导率，试述原理。2.请说出判断半导体导电类型的实验方法。3.试述平衡p-n结形成的物理过程，画出势垒区中载流子漂移运动和扩散运动的方向.4.内建电势差VD的公式。分析影响接触电势差的因素。5.平衡p-n结,正向偏置p-n结,反向偏置p-n结的空间图、能带图，各区域载流子浓度表达式、载流子运动方向、电流方向。6.分别说明空间电荷区、耗尽区、势垒区的三个概念7.理想p-n结I-V方程。8.p-n结的理想伏-安特性与实际伏-安特性有哪些区别?定性分析原因。9.p-n结电容包括哪两种?在正向偏置或反向偏置下哪种电容起主要作用？为什么？10.定性分析影响p-n结电容大小的因素？并举例说明p-n结电容对器件性能的影响。11.p-n结击穿主要有哪几种?说明各种击穿产生的原因和条件。并分析影响它们的主要因素12.从能带图出发，分析p-n结隧道效应的基本原理，隧道二极管与一般p-n二极管的伏-安特性有什么不同?它有什么优点?13.金属与半导体两系统接触前后的能带图，指出何种为肖特基接触，何种为欧姆接触。14.实际半导体通过什么方式实行欧姆接触？15.比较pn结和肖特基结伏安特性的主要异同点。为什么肖特基结更适应高频条件下使用？16.异质结能带结构特点及应用答疑一韩老师对象：1-6班时间：6.26（周三）上午9：30-11：30地点：教二-2楼教师休息室答疑二聂老师对象：1-6班时间：6.26（周三）上午9：30-11：30地点：教三-3楼教师休息室答疑三唐老师对象：1-6班时间：6.26（周三）上午9：30-11：30地点：教七-2楼教师休息室