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当前位置:首页 > 电子/通信 > 综合/其它 > 第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
·1·《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1.1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。1.2在N型半导体中,多子是,少子是;在P型半导体中,多子是,少子是。1.3二极管具有性;当时,二极管呈状态;当时,二极管呈状态。1.42APl2型二极管是由半导体材料制成的;2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。1.5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后,输出电压较未加C时,二极管的导通角,输出电压随输出电流的增大而。二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1.6二极管正向电压从0.7V增大15%时,流过的电流增大(a.15%;b.大于15%;c.小于15%)。1.7当温度升高后,二极管的正向压降将,反向电流将(a.增大;b.减小;c.不变)。1.8利用二极管的组成整流电路(a1.正向特性;b1.单向导电性;c1.反向击穿特性)。稳压二极管工作在状态下,能够稳定电压(a2.正向导通;b2.反向截止;c2.反向击穿)。三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1.9在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。()1.10PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。()1.11在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36V。()1.12光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。()解答:1.1杂质浓度温度1.2电子空穴空穴电子·2·1.3单向导电性正向偏置导通反向偏置截止1.4N型锗材料N型硅材料1.5增大减小减小1.6(b)1.7(b)(a)1.8(b1)(c2)1.9(√)1.10(×)1.11(√)1.12(√)1.13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910A,求外加正向电压为0.2V、0.4V时二极管的直流电阻RD。和交流电阻rd。(提示:二极管的直流电阻RD=UD/ID;交流电阻IUrd。)1.13解答:0.2V时,3DT/90.2/26106D1S(e1)110(e1)A2.1910AuUII0.4V时,390.4/26103D2110(e1)A4.810AI则直流电阻3D1D16D10.291102.1910URI(0.2V时)D230.4834.810R(0.4V时)交流电阻d13D126mV26mVk2.1910mArI(0.2V时)d2D226mV26mV4.8mArI(0.4V时)从上计算结果,说明该二极管在0.2V时在阈值电压以下,而0.4V在阈值电压以上,正常工作状态。1.14用万用表的Rxl0挡和Rxl00挡分别测量同一个二极管的正向电阻,试分析两次测试结果是否相同。若不同,哪一次测得的结果大?(提示:用Rxl00挡时表内等效内阻约为用Rxl0挡时表内等效电阻的10倍。)1.14解答:用万用表的不同量程去测量二极管的正向电阻,由于表的内阻不同,使流过管子的电流大小不同,也就是工作点的位置不同(参见图题解1.14),故测出的正向电阻(直流电阻)将不同。因为RD=UD/ID=1/tan,而用R×10挡测量时,由于其内阻小,使流过管子的电流大,其工作点如图题解1.14中的Q1;用R×100挡测量时,其工作点如图题解1.14中的Q2;而12,故用R×100挡测出的电阻大。·3·图题解1.141.15试判断图题1.15电路中二极管是导通还是截止。并分别求出各电路中A、O两端电压UAO。设二极管是理想器件。1.15解答:图(a):二极管D导通,UAO=–4V图(b):二极管D1导通、D2截止,UAO≈0V图(c):二极管D1截止、D2导通,UAO≈–6V1.16试估算图题1.16各电路中流过二极管的电流ID。和A点的电位。设二极管的正向压降为0.7V。·4·1.16解答:图(a):二极管导通,UA=0.7V,ID=(10V–0.7V)/3k–0.7V/1k=2.4mA图(b):二极管导通,UA≈6.7V,ID=(10V–6.7V)/0.5k–6.7V/2k=3.25mA图(c):先将10V电源和R1、R2这部分利用戴维南定理等效化简,如图题解1.16(c)所示,即ocoDAD31010V7.69V310(3//10)k2.31k(7.690.7)V/(2.312)km=0.71.62mkVVURUIR图题解1.16(c)1.17二极管电路如图题1.17所示,已知ui=5sin3140tmV,VDD=4V,R=1kΩ,试求二极管两端的电压uD及流过二极管的电流iD。(提示:电容C对直流不通,对交流ui可通。)1.17解答:(1)静态分析令ui=0V,用恒压降模型求得UDQ=0.7VIDQ=(4–0.7)V/1k=3.3mA(2)动态分析rd=26mV/3.3mA≈8uD=ui=5sin3140tmViD=5sin3140tmV/8=0.625sin3140tmA·5·(3)总电压、电流uD=UDQ+uD=(0.7+0.005sin3140t)ViD=IDQ+iD=(3.3+0.625sin3140t)mA1.18二极管电路如图题1.18所示,已知电源tVusin5.12,试分别使用二极管理想模型和恒压降模型(UF=0.7V)分析,绘出负载电阻RL两端电压uo的波形,并标出幅值。1.18解答:负载电阻RL两端的电压uO=u2–UF=1.5sintV–0.7V当使用二极管理想模型分析时,其波形如图题解1.18(a)所示;当使用二极管恒压降模型分析时,其波形如图题解1.18(b)所示。图题解1.181.19在图题1.19所示桥式整流电容滤波电路中,已知RL=50Ω,c=1000μF。(1)用交流电压表测得u2=20V,用直流电压表测得RL两端的电压uO为:①uO=28V,②uO=18V,③uO=24V,④uO=9V,试分析该电路分别处于何种情况下测出。(2)当桥式整流电路中任一个二极管出现下列情况:①短路,②开路,③接反,试分析各会出现什么情况和危害。·6·1.19解答:(1)①负载RL断路;②电容断路;③正常工作;④电容断路且其中一个二极管断路。(2)①造成电源变压器二次侧短路,使变压器及和短路相通的二极管烧坏;②构成了半波整流电容滤波电路;③情况同①。1.20已知一桥式整流电容滤波电路的交流电源电压U1=220V,f=50Hz,负载电阻RL=40Ω,要求输出直流电压为24V,纹波较小。(1)求选择整流管的参数要求;(2)选择滤波电容(容量和耐压);(3)确定电源变压器二次绕组的电压和电流。1.20解答:(1)确定选择整流管的参数要求电源变压器二次绕组电压有效值U2=UO/1.2=24V/1.2=20V二极管承受的最大反向电压DRM2228.3VUU流过二极管的平均电流DO1124V300mA2240II所选整流二极管的最大整流电流需IFID整流二极管的最高反向工作电压需URMUDRM(2)选择滤波电容的电容量3L0.02s(3~5)/410F1000F2240TCR电容的耐压2228.3VU选择电解电容1000F/50V(3)确定变压器二次绕组的电压U2=20V变压器二次绕组的电流I2=(1.5~2)IO=2IO=2×24V/40=1.2A1.21在图题1.21所示的限幅电路中,已知输入信号为tuisin6V,试画出输出电压uo的波形。设二极管为理想器件。·7·1.21解答:图题1.21所示电路的uO波形如图题解1.21(a)、(b)、(c)、(d)所示。图题解1.211.22在图题1.22所示电路中,设tussin15V,硅稳压二极管DZ的稳定电压为8V,试近似画出uo的波形。1.22解答:uO的波形如图题解1.22所示。图题解1.22(a)(b)·8·1.23已知两只硅稳压二极管的稳定电压值分别为8V和7.5V,若将它们串联使用,问能获得几组不同的稳定电压值?1.23解答:可获得四组不同的稳定电压值,分别是:15.5V(两个稳压管均反向偏置)1.4V(两个稳压管均正向偏置)8.7V(8V稳压管反偏,7.5V稳压管正偏)8.2V(8V稳压管正偏,7.5V稳压管反偏)1.24图题1.24所示电路中稳压二极管为2CW7B,它的稳定电流为10mA,稳定电压值为5V,额定功耗为200mW。试问:若电源电压UO在18~30V范围内变化,输出电压UO是否基本不变?稳压二极管是否安全?1.24解答:稳压管允许的最大工作电流IZmax=200mW/5V=40mA当US=18V时,稳压管的工作电流IZ=(18–5)V/1k=13mA可见IZmin(10mA)IZ(13mA)IZmax(40mA)当US=30V时,稳压管的工作电流IZ=(30–5)V/1k=25mA可见同样IZminIZIZmax因而能实现UO基本不变,稳压管能安全工作。1.25为什么发光二极管必须正向偏置,而光电二极管却要反向偏置?1.25解答:发光二极管的工作原理是载流子通过PN结时产生复合,释放的能量转换为光能,故只有处于正向偏置,才能使较多的空穴与电子在空间电荷区中相遇复合。光电二极管是将光信号转换成电信号的器件,由光生载流子形成的管子电流取决于光照强度。无光照时,属于少数载流子的光生载流子(电子-空穴对)很少,其电流几乎为零;光照强度增加,少子的光生载流子明显增加,管子电流明显增大。因此,光电二极管必须反向偏置,才能形成与光照强度成正比的管子电流。若正向偏置,则管子电流基本取决于外加电压大小,无需光照也有较大电流,更不受光照强度控制。
本文标题:第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
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