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3.对于3m晶体LiNbO3,试求外场分别加在x,y和z轴方向的感应主折射率及相应的相位延迟(这里只求外场加在x方向上)解:铌酸锂晶体是负单轴晶体,即nx=ny=n0、nz=ne。它所属的三方晶系3m点群电光系数有四个,即γ22、γ13、γ33、γ51。电光系数矩阵为:0000000002251513313221322ij由此可得铌酸锂晶体在外加电场后的折射率椭球方程为:12)(2)1()1()1(2251233121322202152220xyExzEyzEzEnyEEnxEEnxxzzezyzy(1)通常情况下,铌酸锂晶体采用450-z切割,沿x轴或y轴加压,z轴方向通光,即有Ez=Ey=0,且Ex≠0。晶体主轴x,y要发生旋转,上式变为:1222251222222xyExzEnznynxxxzyx(2)因151xE,且光传播方向平行于z轴,故对应项可为零。将坐标轴绕z轴旋转角度α得到新坐标轴,使椭圆方程不含交叉项,新坐标轴取为''cossinsincosyxyx,z=z’(3)将上式代入2式,取o45消除交叉项,得新坐标轴下的椭球方程为:1''1'1222222022220exxnzyEnxEn(4)可求出三个感应主轴x’、y’、z’(仍在z方向上)上的主折射率变成:ezxyxxnnEnnnEnnn'22300'22300'2121(5)可见,在x方向电场作用下,铌酸锂晶体变为双轴晶体,其折射率椭球z轴的方向和长度基本保持不变,而x,y截面由半径为n0变为椭圆,椭圆的长短轴方向x’y’相对原来的xy轴旋转了450,转角的大小与外加电场的大小无关,而椭圆的长度nx,ny的大小与外加电场Ex成线性关系。当光沿晶体光轴z方向传播时,经过长度为l的晶体后,由于晶体的横向电光效应(x-z),两个正交的偏振分量将产生位相差:lEnlnnxyx22302)''(2(6)若d为晶体在x方向的横向尺寸,dEVxx为加在晶体x方向两端面间的电压。通过晶体使光波两分量产生相位差(光程差/2)所需的电压xV,称为“半波电压”,以V表示。由上式可得出铌酸锂晶体在以(x-z)方式运用时的半波电压表示式:ldnV22302(7)由(7)式可以看出,铌酸锂晶体横向电光效应产生的位相差不仅与外加电压称正比,还与晶体长度比l/d有关系。因此,实际运用中,为了减小外加电压,通常使l/d有较大值,即晶体通常被加工成细长的扁长方体。4.一块45度-z切割的GaAs晶体,长度为L,电场沿z方向,证明纵向运用时的相位延迟为ELrn4132。解:GaAs晶体为各向同性晶体,其电光张量为:41414163000000000000000(1)z轴加电场时,Ez=E,Ex=Ey=0。晶体折射率椭球方程为:1241222222xyEnznynx(2)经坐标变换,坐标轴绕z轴旋转45度后得新坐标轴,方程变为:1''1'12224122412nzyEnxEn(3)可求出三个感应主轴x’、y’、z’(仍在z方向上)上的主折射率变成:nnEnnnEnnnzyx'413'413'2121(4)纵向应用时,经过长度为L的晶体后,两个正交的偏振分量将产生位相差:ELnLnnyx4132)''(2(5)5.何为电光晶体的半波电压?半波电压由晶体的那些参数决定?答:当光波的两个垂直分量'xE、'yE的光程差为半个波长(相应的相位差为)时,所需要加的电压,称为“半波电压”,通常以V或2V表示。30632Vn半波电压是表征电光晶体的一个重要的参数,这个电压越小越好,特别是在宽频带高频率的情况下,半波电压越小,需要的调制功率越小。晶体的半波电压是波长的函数。由上式可知,半波电压还跟n0和63有关。6.在电光晶体的纵向应用中,如果光波偏离z轴一个远小于1的角度传播,证明由于自然双折射引起的相位延迟为2220012ennncL,式中L为晶体长度。解:22222sincos1eoennn,得222001211eennnn自然双折射引起的相位延迟:222000122eennncLLnn7.若取vs=616m/s,n=2.35,fs=10MHz,0=0.6328m,试估算发生拉曼-纳斯衍射所允许的最大晶体长度Lmax=?解:由公式0204snLL计算。由公式02202044sssfnvnLL计算,得到6122022max106328.041010061635.24ssfnvL=3.523mm8利用应变S与声强Is的关系,证明一级衍射光强I1与入射光强I0之比为ssInPLII26221001cos21(近似取22141J)解答:2200cos()()2ivIIJv2211sin()()2ivIIJv由:2211()4Jvv2114iIIv,0iII2210112()44IvnLI由312nnPS得223210121()()42ILnPSI将222ssISv代入得2621201()2ssILPnIIv9考虑熔岩石英中的声光布喇格衍射,若取00.6238m,n=1.46,35.9710/svms,100sfMHz,计算布喇格角B。思路分析:根据公式sin2Bsn求解,过程如下:解:sssvf代入公式得:sin22Bsssfnnv代入数据得:sin0.00363B由于B很小,故可近似为:0.00363B1.一纵向运用的KDP电光调制器,长为2cm,折射率n=2.5,工作频率为1000kHz。试求此时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。解:011ncn880113101.2102.5ncn1010.021.6710d=0.167nS渡越时间为:d=nL/c相位延迟因子:tidmittmdmdeietdtEnact)1()()(02.在电光调制器中,为了得到线性调制,在调制器中插入一个/4波片,波片的的轴向如何设置最好?若旋转/4波片,它所提供的直流偏置有何变化?答:其快慢轴与晶体的主轴x成45角,从而使xE和yE两个分量之间产生/2的固定相位差。若旋转波片,出射光的光强会变小,故应加大其直流偏压。3.为了降低电光调制器的半波电压,用4块z切割的KD*P晶体连接(光路串联,电路并联)成纵向串联式结构,为了使4块晶体的光电效应逐块叠加,各晶体的x轴和y轴应如何取向?并计算其半波电压。应使4块晶体成纵向排列,且相邻晶体的光轴应互成90°排列,即一块晶体的'y和z轴分别与另一块晶体的z和'y轴平行,这样排列后第一块和第三块晶体的光轴平行,第二块和第四块晶体的光轴平行。经过第一块晶体后,亮光束的相位差31'006321()2xzeznnnEL经过第二块后,其相位差32'006321()2zxeznnnEL于是,通过两块晶体之后的相位差为3120632LnVd由于第一块和第三块晶体的光轴平行,第二块和第四块晶体的光轴平行,故总的相位差为3120634'22()LnVd3063()4dVnL4如果一个纵向电光调制器没有起偏器,入射的自然光能否得到光强度调制?为什么?解答:不能得到强度调制。因为自然光偏振方向是任意的。自然光通过电光调制器后,不能形成固定相位差。5一个PbMoO4声光调制器,对He-Ne激光进行调制。已知声功率Ps=1W,声光相互作用长度L=1.8mm,换能器宽度H=0.8mm,M2=36.310-15s3/kg,试求PbMoO4声光调制器的布喇格衍射效率?解答:ssPMHLLII2202sin1计算可得71.1%6一个驻波超声场会对布喇格衍射光场产生什么影响?给出造成的频移和衍射方向。解答:新的光子沿着光的散射方向传播。根据动量守恒和能量守恒定律:diskkk,即diskkk(动量守恒)isd(能量守恒)(能量守恒)——衍射级相对于入射光发生频率移动,根据光波矢量的定义,可以用矢量图来表示上述关系,如图所示图中ssk2为声波矢量,'22ckii为入射光波矢量。'22cfdksd为衍射光波矢量。因为sf,fs在1010Hz以下,υ在1013Hz以上,所以衍射光的频率偏移可以忽略不计。则iisd在上面的等腰三角形中Biskksin2布拉格条件:siB2sin和书中推导的布拉格条件相同。入射光的布拉格角只由光波长,声波长决定。7.用PbMoO4晶体做成一个声光扫描器,取n=2.48,M2=37.7510-15s3/kg,换能器宽度H=0.5mm。声波沿光轴方向传播,声频fs=150MHz,声速vs=3.99105cm/s,光束宽度d=0.85cm,光波长=0.5m。⑴证明此扫描器只能产生正常布喇格衍射;⑵为获得100%的衍射效率,声功Ps率应为多大?⑶若布喇格带宽f=125MHz,衍射效率降低多少?⑷求可分辨点数N。解:⑴由公式0204snLL证明不是拉曼-纳斯衍射。⑵22222cosLMIBs,LHMHLIPBss2222cos,答案功率为0.195W。⑶若布喇格带宽f=125MHz,衍射效率降低多少?ssBfnv2,HPvPnffsBsscos2232270⑷用公式)(RN和RfvNss计算。答案:148。
本文标题:激光调制技术习题
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