微机电自测题1

微机电系统在线测试一一、选择题（共10题，40分，每题4分）1.处于IC工艺核心位置的工序是______。刻蚀光刻薄膜2.选择比是指_____。不同材料间的腐蚀速度区别不同方向间的腐蚀速度区别3.外延生长要求温度高的原因是______。高温下才能开始淀积原子获得足够动能淀积一致性好4.离子掺杂时应当_____离子沿沟道注入。尽量使避免5.二氧化硅膜是______的。导电绝缘半导体导电性可以调节6.CVD中采用低压的主要目的是______。提高生产率提高单片淀积速率降低腔壁污染7.直接表征传感器对微弱信号响应能力的指标是_____。灵敏度分辨力选择性8.谐振效应硅梁式加速度微传感器采用两个支撑梁的主要原因是_____。提高整体结构的刚度降低侧向加速度造成的弯曲降低侧向加速度造成的绕轴转动9.压电效应是指______。输入电压导致变形外加应力形成电压外加应力导致体电阻率变化10.湿法刻蚀V型槽一般采用的硅衬底是_____。（100）型（111）型（110）型正确答案：Question1.光刻Question2.不同材料间的腐蚀速度区别Question3.原子获得足够动能Question4.避免Question5.导电性可以调节Question6.提高生产率Question7.分辨力Question8.降低侧向加速度造成的绕轴转动Question9.外加应力形成电压Question10.（100）型二、填空题Ⅰ、推导说明为什么在无阀微泵泵腔容积经过“吸入-排出”一个周期后，会沿泵的入口到出口形成流量。（15分）Ⅱ、微电子工艺有哪几个主要组成工序。各工序具体任务、工艺流程关系如何？（15分）Ⅲ、为何在宏观电机中主要采用电磁驱动，而在MEMS电机中主要采用静电力驱动？试以理论公式说明其根据。（15分）Ⅳ、结合选择具体案例，阐述对微机电系统产品在你所学专业中的已有或潜在应用，以及其设计与制造的关键点。（15分）Ⅰ、答案要点与评分细则：1、画出简图说明给3分，否则扣除。2、引用教材公式（6-26）到（6-35）。要求引用公式逻辑顺序与教材吻合，缺少一个公式扣除2分；回答不完整者酌情扣分）Ⅱ、答案要点与评分细则：1、主要工序与基本流程关系为：硅片制备——薄膜制备——光刻——刻蚀/掺杂——测试、封装。（答出8分；回答不完整者酌情扣分）2、其内容：（1）硅片制备：硅片提供单晶基础、刚度支撑；（2）薄膜制备：IC工艺是多次、反复、各种薄膜上形成微电路的分区与连线；（3）光刻：定义在刻蚀或掺杂时需要暴露加工或保护的区域；（4）刻蚀：分干法、湿法；目的是去除材料；（5）掺杂：在基底材料上掺入杂质以改变电性能；（6）测试：检测IC单片电路是否正常；（7）封装：主要为了形成机械保护，同时形成与外界相通的电路通道。（答出8分；回答不完整者酌情扣分）Ⅲ、答案要点与评分细则：1、宏观情况下静电力太小，电磁方式实现与控制方便。微观情况下静电力上升为重要力之一，而电磁驱动线圈制作相对困难。（答出5分；回答不完整者酌情扣分）2、静电力引用公式为教材（2-42）后的三个公式，说明与尺度l2相关。电磁力的公式引用教材（2-45）、（2-46），说明与尺度l4相关。结论：尺度减小到1/10，电磁力减小到1/10000，而静电力只减小到1/100。（答出10分；回答不完整者酌情扣分）Ⅳ、答案要点与评分细则：1、说明自己所学专业，选择案例（案例适当给5分，不适当或回答不完整者酌情扣分）；2、对其设计、制造要求灵活给分，看学生是否基本掌握对应课程要点。（答案合理给10分，回答不完整者酌情扣分）