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2导带电子浓度和价带空穴浓度和计算状态密度是一样,认为能带中的能级是连续分布的,将能带分成一个个很小的能量间隔来处理。对导带分为无限多的无限小的能量间隔,则在能量E到E+dE之间有dZ个量子态,而电子占据能量为E的量子态的几率是f(E),则在能量E到E+dE间有f(E)dZ个被电子占据的量子态,因为每个被占据的量子态上有一个电子,所以在E到E+dE间有f(E)dZ个电子。然后把所有能量区间中的电子数相加,实际上是从导带底到导带顶对f(E)dZ进行积分,就得到了能带中底电子总数,再除以半导体体积就得到了导带中的电子浓度。由于费米能级一般在禁带中,导带中的能级远高于费米能级,即当时,计算导带电子浓度可用玻耳兹曼分布函数。kTEEF由上式可知:电子浓度和空穴浓度的乘积与费米能级无关。对一定的半导体材料,乘积只决定于温度,与所含杂质无关。而在一定温度下,对不同的半导体材料,因禁带宽度不同,乘积也将不同。这个关系式不论是本征半导体还是杂质半导体,只要是热平衡状态下的非简并半导体,都普遍适用,在讨论许多许多实际问题时常常引用。00pn00pngE00pn对一定的半导体材料,在一定的温度下,乘积是一定的。换言之,当半导体处于热平衡状态时,载流子浓度的乘积保持恒定,如果电子浓度增加,空穴浓度就要减小;反之亦然。式和式是热平衡载流子浓度的普遍表示式。只要确定了费米能级,在一定温度T时,半导体导带中电子浓度、价带中空穴浓度就可以计算出来。00pn0n0pFE
本文标题:2 导带电子浓度和价带空穴浓度
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