2012中国计量大学半导体器件期中答案

《半导体器件》期中测试第1页共6页我中国计量学院2011~2012学年第2学期《半导体器件》期中测试开课二级学院：光学与电子科技学院，考试时间：年月日时考生姓名：学号：专业：班级：题序一二三四五六七八九总分得分评卷人一、填空题（每个空2分，共16分）请在每小题的空格中填上正确答案。1、电子扩散、空穴扩散2、JFET、MESFET、MOSFET3、饱和模式、截至模式4、变窄、变小5、阳极电位高于阴极、阳极电流大于维持电流6、扩散电容、势垒电容7、单边突变结8、少数载流子9、金属-半导体整流接触、多数载流子10、NPN二、名词解释（每小题4分，共8分）1、共射级电流增益||=1时的工作频率。2、真空中静止电子的能量E0与金属的费米能级EF能量之差3、当VCE增大时，集电结反偏(VBC=VBE–VCE)增大，集电结耗尽区增宽，使中性基区的宽度变窄，基区少子浓度分布的梯度增大，从而使IC增大。三、简答题（每小题6分，共12分）1、体积小、重量轻、效率高、具有单向导电性等。主要应用于强电领域，作为大功率硅半导体器件。指存在于其他器件中形成的PNPN结构，如CMOS反相器中的闩锁效应；会产生不必要的大电流从而使得芯片永久损坏。装订线《半导体器件》期中测试第2页共6页2、两种不同半导体材料组成的PN结；发射效率较高、应用基本与双极型晶体管相同、具有较高的速度、可以工作在更高的频率异质结中因为发射区和基区材料间具有很大的禁带宽度差，共射电流增益可以提到很高。而同质结的双极型晶体管并无禁带宽度差存在，必须将发射区和基区的掺杂浓度比提到很高。五、解：（1）BN=m-=0.64V（2）0.43bimsVV0.18pbiTVVVV（3）721.3210spDVamqN六、解：（1）22BpWD=0.15ns（2）12TBf=1.06GHz（3）0cpEII=0.938，0Tff=1.13GHz七、解（1）2lnADbiiNNkTVqnexp()2gicvBEnNNkT（2）温度升高，两侧费米能级更接近禁带中央，则Vbi变小（3）DmsqNWE=9.67×105V/m2()sbiDVVWqN=6.42×10-7m装订线《半导体器件》期中测试第3页共6页