3D-NAND--Flash技术及厂商介绍

3DNANDFlash技术及厂商随着NANDFlash纳米制程技术不断向下微缩，技术瓶颈越发凸显，3DNANDFlash技术经过多年沉淀，上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光等早已在2013年即公布了3D技术规划的时程表。一、SAMSUNG1、技术方案：TCAT2、量产情况目前已经有两代产品问世，更高技术产品正在规划中。第一代：2013年8月首次批量生产3DV-NAND产品，制程35nm，堆叠24层，MLC设计，容量可达128GbV-NAND，存储密度约为0.93Gb/mm2；第二代：堆叠32层，TLC设计，存储密度提升为1.86Gb/mm2；2015年8月，三星宣布开始正式量产48层256Gb3DV-NAND，目前正在研发64层及以上技术。为了稳固在技术及市场上的领导地位，三星除了大陆西安厂，还投资150亿美金新建平泽工厂，主要用于2D10nm工艺和3D技术的发展，预计2017年产线投入生产。二、TOSHIBA&SANDISK1、技术方案：P-BICS2、量产情况东芝/闪迪采用P-BiCS(Pipe-shapedBitCostScalable)技术，计划将在2015下半年量产48层3DNAND，欲追上三星的步伐。除Fab5二期工厂，还将Fab2进行改建用于3DNAND量产专用，预计2016年开始投入生产；三、MICRON&INTEL1、技术方案（可能是浮栅，具体技术细节不清楚）2、量产情况美光3DNAND预计将在2016年初量产出货，采用32层MLC架构容量可达256Gb，如采用TLC架构可达到384Gb。投资40亿美金扩建新加坡的Fab10x工厂，预估满载月产能在14万片左右，根据市场需求量，从2016年底开始以平均每年40%-50%的bit成长率增加。四、SKHYNIX1、技术方案：据报道是VSAT2、量产情况SK海力士使用微调VSAT(VerticalStackedArrayTransistor)技术生产3DNANDFlash，2015下半年采用36层量产3DNAND，并将在年底规划48层3DNAND量产。五、XMCTCAT技术1、技术方案基本上采用与SAMSUNG相同的TCAT方案，存在知识产权问题，目前不知如何解决；2、量产情况目前在工艺调试和test-chip验证阶段，计划2017年量产，实际可能会延迟到2018年。六、其他如台湾旺宏，IMEC等单位，也进行了3DNAND的新结构研发，但是属于研究和专利布局性质，目前未见量产计划报道。虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表，但目前除了三星已开始量产外，其他芯片厂预计均在2015下半年或2016年以后量产，目前尚未有产品问世。