中硅高科-工程研究中心组建方案

     2016年河南省工程研究中心组建方案项目名称：河南省超高纯硅材料工程研究中心建设单位：洛阳中硅高科技有限公司建设地点：洛阳市洛龙区科技园区联系人：何伟电话：[phone]传真：[phone]        申报日期：二○一六年二月I  目录一、工程中心组建方案摘要.................................11.1项目名称..........................................11.2项目法人单位......................................11.3发展战略与目标....................................11.4建设内容、规模、方案与地点........................11.5总投资与资金筹措..................................21.6主要建设条件......................................2二、工程中心建设背景及必要性.............................32.1本领域在国民经济建设中的地位与作用................32.2国内外技术发展状况、产业发展状况与市场分析........42.3本领域当前急待解决的关键技术问题.................112.4本领域成果转化与产业化存在的主要问题及原因.......142.5建设工程研究中心的意义与作用.....................15三、申报单位概况和建设条件..............................173.1申报单位概况.....................................173.2拟工程化、产业化的重要科研成果及其水平...........183.3技术队伍及学科主要带头人概况.....................203.4现有基础条件.....................................22四、主要任务与目标......................................264.1工程研究中心的主要发展方向.......................264.2工程研究中心的主要功能与任务.....................264.3工程研究中心的发展战略与经营思路.................28II  4.4工程研究中心的近期和中期目标.....................30五、管理与运行机制......................................335.1工程研究中心的机构设置、职责和运行机制...........335.2队伍、编制及学科、技术主要带头人概况.............425.3与相关企业、科研单位、院校的关系.................486.1工程研究中心建设地点、内容、规模与方案...........496.2申报单位及参建单位提供的配套与支撑条件...........586.3工程研究中心建设投资估算.........................606.4资金筹措方案.....................................69七、经济和社会效益初步分析..............................707.1经济效益分析....................................707.2社会效益分析.....................................71八、其他需要说明的问题..................................738.1技术风险分析.....................................738.2市场风险分析.....................................738.3政策风险分析.....................................748.4安全风险分析.....................................74九、附件................................................751、中硅高科营业执照、企业法人证明...................752、工程研究中心章程.................................783、科技成果证明文件.................................864、其他配套证明文件................................1281  一、工程中心组建方案摘要1.1项目名称河南省超高纯硅材料工程研究中心1.2项目法人单位洛阳中硅高科技有限公司成立于2003年，是由中国恩菲工程技术有限公司、洛阳硅业集团有限公司、偃师金丰投资管理有限公司和中国有色工程有限公司共同出资组建的国有高新技术企业，注册资金10.57亿元，现有员工1200余人，拥有完全自主知识产权的改良西门子法多晶硅生产技术，主导产品多晶硅，目前产能15000吨/年，实际产量连续五年位居世界前八。银行信用等级AAA。1.3发展战略与目标“河南省超高纯硅材料工程研究中心”建设，将联合国内实力强、有产业化研究基础的单位进行 “产—学—研”合作，进一步研究解决制约超高纯硅材料材料大规模、低单耗、高品质、清洁生产的技术瓶颈，提升硅材料产业持续创新能力，创建行业企业生产管理技术标准、规范，保障我国硅材料产业规范、有序、健康地发展。 1.4建设内容、规模、方案与地点建设内容：河南省超高纯硅材料工程研究中心依托中硅高科的电子级含硅特气研发平台组建，建设4个试验平台和1个综合测试分析中心，包括：氯硅烷精馏试验平台、光纤四氯化硅试验平台、氯硅烷歧化制备硅烷试验平台、硅烷制备超高纯多晶硅试验平台和综合测试分析中心。2  研究重点与规模：研究高效精馏提纯和吸附提纯技术，研究改进型电子级多晶硅还原技术，开发电子级多晶硅、光纤四氯化硅、电子级三氯氢硅、硅烷、二氯二氢硅、六氯二硅烷等电子功能材料，电子级多晶硅生产能力达到2000t/a，光纤四氯化硅达到10000t/a，电子级三氯氢硅达到2000t/a，硅烷达到1500t/a，二氯二氢硅达到1000t/a，六氯二硅烷达到400t/a。建设地点：河南省洛阳市洛龙科技园建设周期：2016年1月-12月1.5总投资与资金筹措超高纯硅材料工程研究中心总投资为4655.5万元，其中：土建工程370万元，设备仪器购置3541.1万元，安装工程364.2万元，工程建设其他费用380万元。全部由企业自筹。1.6主要建设条件中硅高科依靠自主研发与产业化，是行业内承担国家课题最多公司，为了支撑产业转型升级，中硅高科于2014年建设了电子级含硅特气研发平台，目前已拥有各类仪器设备100多台套，设备原值3000多万元，配备专职研发人员56人，其中高级研发人员18人，同时可以提供供大规模研究用的实验平台和试验用原料，包括：高纯氯硅烷、高纯H2、高纯N2、洁净压缩空气、超纯水、洁净厂房、高纯氩气、-35℃冷冻系统、-55℃冷冻系统、尾气干法回收系统、具备承担河南省超高纯硅材料工程研究中心的基本条件。3  二、工程中心建设背景及必要性2.1本领域在国民经济建设中的地位与作用超高纯硅材料属于国家发布的《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》中的关键电子功能材料，是国家战略新兴产业中的新能源和新一代信息产业的基础原材料，属于《国家重点支持的高新技术领域》中新材料技术领域中的半导体材料生产技术。硅材料是应用范围巨大、产业关联度极高的行业，多晶硅是制取单晶硅的超纯原料，有了超高纯度的多晶硅，才可能制取满足集成电路和分立器件要求的硅片，同时多晶硅生产伴随的高纯三氯氢硅、二氯二氢硅等电子气广泛应用于电子行业、太阳能电池、移动通讯、汽车导航、航空航天、军事工业等方面。因此硅材料对半导体工业的发展至关重要，它是信息产业最重要的基础原料，全世界半导体器件中有95%是用硅材料制成的，其中85%的集成电路是由硅材料制成的。由于大规模集成电路和超大规模集成电路技术的突破，半导体器件得到飞速发展，在各行各业得到广泛的应用。半导体工业主要包括集成电路以及分立器件，是几乎所有电子信息制造业领域的基础元器件，包括计算机、通信设备、数字视听、发光二极管等。同时用多晶硅制造的大规模集成电路及分立器件还可以应用在其他行业，如机床、航天、汽车、医疗、军事、船舶、铁路等，甚至可以对传统工业进行信息技术改造，包括钢铁、纺织、化工等。可以说，硅材料是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料，被称为“微电子大厦的基石”。4  本领域也符合国家发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》、《关于加快推进工业强基的指导意见》、《中国制造2025》等政策的精神，电子信息产业具有集聚创新资源与要素的特征，仍是当前全球创新最活跃、带动性最强、渗透性最广的领域。金融危机以来，不仅美国、日本、欧盟等主要发达国家和地区纷纷将发展电子信息产业提升到国家战略高度，抢占未来技术和产业竞争制高点，巴西、俄罗斯、印度等国也着力发展电子信息产业，增长尤为迅速，竞争在全球范围内更加激烈。本项目研发的集成电路用区熔多晶硅是制造电子元器件的基础原材料，只有解决电子信息制造业基础薄弱问题，才能实现“中国制造2025”提出的推动信息化和工业化深度融合，推进中国制造向中国“智造”转型，实现制造业由大变强的历史跨越。2.2国内外技术发展状况、产业发展状况与市场分析2.2.1技术发展现状超高纯硅材料技术发展日新月异，前沿技术的突破加快了技术与生产力的转化速度。如电子功能材料的快速突破使芯片集成度及信息处理速度得到大幅提高，芯片特征线宽不断减小，大直径硅材料在缺陷、几何参数、颗粒、杂质等控制技术方面不断完善，12英寸硅材料可满足22nm技术节点的集成电路要求，18英寸硅片已产出样片。第三代半导体材料方面，国内多家高校、科研院所和企业在SiC晶体生长和后加工等取得很大进步，已制备出可供应用的3英寸SiC晶片，但与国外相比仍待改进，目前仅少数公司可商业化生产2、3英寸晶片，而在品质上与欧美产品尚有较大差距，微管和位错密度难以满足5  微电子工业要求。在2英寸Si片上实现制备的LED技术芯片，产业化水平已达到120lm/W，开展了4-8英寸Si片上生长GaN材料技术研究。我国的第三代半导体领域，除了在半导体照明领域具有一定的技术实力与产业规模外，其他技术实力与核心专利较国外相对落后；主要表现在缺乏大尺寸、高质量单晶衬底制备和材料外延的核心设备与技术；器件和应用领域缺乏国际一流的半导体集成电路设计、生产企业和相应的产业经验。超高纯多晶硅方面，目前，世界上只有德国瓦克、REC能够大量生产出区熔级半导体用多晶硅。美国REC公司采用的是三氯氢硅转化为硅烷，然后用硅烷在CVD炉中沉积生产区熔多晶硅棒，该工艺没有设置混合气体预热装置，而且硅烷和氢气在CVD炉内反应后的尾气没有液氮分离系统，生产的硅棒纯度不高，而且硅棒内应力大，容易产生破裂。德国Wacker公司采用三氯氢硅还原法直接生产区熔多晶硅棒，该工艺虽然生产的区熔多晶硅棒纯度很高，但是因工艺复杂，生产控制困难，能耗高，生产成本较高。我国主流工艺是改良西门子法，硅烷法还处于探索阶段，特别是生产区熔级高品质多晶硅没有成熟技术，我国的电子级多晶硅国家标准对表面金属杂质和总金属含量杂质没有具体要求，而瓦克的区熔用多晶硅除了对电阻率、少子寿命、碳含量有要求外，对施主和受主杂质及总金属杂质含量都有指标要求，且国标一级品低于瓦克区熔用电子级多晶硅指标。调研国内半导体企业购买的电子一级料一般要求B0.1pp