微电子笔试(笔试和面试题)

第一部分：基础篇（该部分共有试题8题,为必答题，每位应聘者按自己对问题的理解去回答，尽可能多回答你所知道的内容。若不清楚就写不清楚）。1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。数字集成电路是将元器件和连线集成于同一半导体芯片上而制成的数字逻辑电路或系统。模拟信号，是指幅度随时间连续变化的信号。例如，人对着话筒讲话，话筒输出的音频电信号就是模拟信号，收音机、收录机、音响设备及电视机中接收、放大的音频信号、电视信号，也是模拟信号。数字信号，是指在时间上和幅度上离散取值的信号，例如，电报电码信号，按一下电键，产生一个电信号，而产生的电信号是不连续的。这种不连续的电信号，一般叫做电脉冲或脉冲信号，计算机中运行的信号是脉冲信号，但这些脉冲信号均代表着确切的数字，因而又叫做数字信号。在电子技术中，通常又把模拟信号以外的非连续变化的信号，统称为数字信号。FPGA是英文Field－ProgrammableGateArray的缩写，即现场可编程门阵列，它是在PAL、GAL、EPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路（ASIC）领域中的一种半定制电路而出现的，既解决了定制电路的不足，又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。2、你认为你从事研发工作有哪些特点？3、基尔霍夫定理的内容是什么？基尔霍夫电流定律:流入一个节点的电流总和等于流出节点的电流总和。基尔霍夫电压定律:环路电压的总和为零。欧姆定律:电阻两端的电压等于电阻阻值和流过电阻的电流的乘积。4、描述你对集成电路设计流程的认识。5、描述你对集成电路工艺的认识。把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。单片集成电路工艺利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺；紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等；外延生长又采用超高真空分子束外延技术；采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。薄膜集成电路工艺整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作,它的材料结构有两种形式：①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。厚膜集成电路工艺用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。淀积过程是使用一细目丝网，制作各种膜的图案。这种图案用照相方法制成，凡是不淀积涂料的地方，均用乳胶阻住网孔。氧化铝基片经过清洗后印刷导电涂料，制成内连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器的底电极和导体膜。制件经干燥后，在750～950℃间的温度焙烧成形，挥发掉胶合剂，烧结导体材料，随后用印刷和烧成工艺制出电阻、电容、跨接、绝缘体和色封层。有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒装焊或梁式引线等工艺制作，然后装在烧好的基片上，焊上引线便制成厚膜电路。厚膜电路的膜层厚度一般为7～40微米。用厚膜工艺制备多层布线的工艺比较方便，多层工艺相容性好，可以大大提高二次集成的组装密度。此外，等离子喷涂、火焰喷涂、印贴工艺等都是新的厚膜工艺技术。与薄膜集成电路相仿，厚膜集成电路由于厚膜晶体管尚不能实用，实际上也是采用混合工艺。单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺方式各有特点，可以互相补充。通用电路和标准电路的数量大，可采用单片集成电路。需要量少的或是非标准电路，一般选用混合工艺方式，也就是采用标准化的单片集成电路，加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易，电路设计灵活，生产周期短，散热良好，所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。另外，由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线，在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面，可将大规模集成电路芯片组装成超大规模集成电路，也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。单片集成电路除向更高集成度发展外，也正在向着大功率、线性、高频电路和模拟电路方面发展。不过,在微波集成电路、较大功率集成电路方面，薄膜、厚膜混合集成电路还具有优越性。在具体的选用上，往往将各类单片集成电路和厚膜、薄膜集成工艺结合在一起，特别如精密电阻网络和阻容网络基片粘贴于由厚膜电阻和导带组装成的基片上，装成一个复杂的完整的电路。必要时甚至可配接上个别超小型元件，组成部件或整机。6、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？7、描述一个交通信号灯的设计。8、我们将研发人员分为若干研究方向，对协议和算法理解（主要应用在网络通信、图象语音压缩方面）、电子系统方案的研究、用MCU、DSP编程实现电路功能、用ASIC设计技术设计电路（包括MCU、DSP本身）、电路功能模块设计（包括模拟电路和数字电路）、集成电路后端设计（主要是指综合及自动布局布线技术）、集成电路设计与工艺接口的研究。你希望从事哪方面的研究？（可以选择多个方向。另外，已经从事过相关研发的人员可以详细描述你的研发经历）。第二部分：专业篇（根据你选择的方向回答以下你认为相关的专业篇的问题。一般情况下你只需要回答五道题以上，但请尽可能多回答你所知道的，以便我们了解你的知识结构及技术特点。）1、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？2、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx，其中，x为4位二进制整数输入信号。y为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。3、简单描述一个单片机系统的主要组成模块，并说明各模块之间的数据流流向和控制流流向。简述单片机应用系统的设计原则。4、请用方框图描述一个你熟悉的实用数字信号处理系统，并做简要的分析；如果没有，也可以自己设计一个简单的数字信号处理系统，并描述其功能及用途。5、画出8031与2716（2K*8ROM）的连线图，要求采用三-八译码器，8031的P2.5,P2.4和P2.3参加译码，基本地址范围为3000H-3FFFH。该2716有没有重叠地址？根据是什么？若有，则写出每片2716的重叠地址范围。6、用8051设计一个带一个8*16键盘加驱动八个数码管（共阳）的原理图。7、PCI总线的含义是什么？PCI总线的主要特点是什么？8、请简要描述HUFFMAN编码的基本原理及其基本的实现方法。9、说出OSI七层网络协议中的四层（任意四层）。10、中断的概念？简述中断的过程。11、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解，并举例说明竞争和冒险怎样消除。12、要用一个开环脉冲调速系统来控制直流电动机的转速，程序由8051完成。简单原理如下：由P3.4输出脉冲的占空比来控制转速，占空比越大，转速越快；而占空比由K7-K0八个开关来设置，直接与P1口相连（开关拨到下方时为0，拨到上方时为1，组成一个八位二进制数N），要求占空比为N/256。下面程序用计数法来实现这一功能，请将空余部分添完整。MOVP1，#0FFHLOOP1：MOVR4，#0FFH--------MOVR3，#00HLOOP2：MOVA，P1--------SUBBA，R3JNZSKP1--------SKP1：MOVC，70HMOVP3.4，CACALLDELAY：此延时子程序略----------------AJMPLOOP113、用你熟悉的设计方式设计一个可预置初值的7进制循环计数器，15进制的呢？14、请用HDL描述四位的全加法器、5分频电路。15、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。16、同步电路和异步电路的区别是什么？17、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。18、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。19、放大电路的频率补偿的目的是什么，有哪些方法？20、画出CMOS电路的晶体管级电路图，实现Y=A.B+C(D+E)21、请分析如下电路所实现的功能。22、A）＃includevoidtestf(int*p){*p+=1;}main(){int*n,m[2];n=m;m[0]=1;m[1]=8;testf(n);printf(Datavalueis%d,*n);}------------------------------B)＃includevoidtestf(int**p){*p+=1;}main(){int*n,m[2];n=m;m[0]=1;m[1]=8;testf(&n);printf(Datavalueis%d,*n);}下面的结果是程序A还是程序B的？Datavalueis8那么另一段程序的结果是什么？223、用简单电路实现，当A为输入时，输出B波形为：A:B:24、LC正弦波振荡器有哪几种三点式振荡电路，分别画出其原理图。25、锁相环有哪几部分组成？26、人的话音频率一般为300~3400HZ，若对其采样且使信号不失真，其最小的采样频率应为多大？若采用8KHZ的采样频率，并采用8bit的PCM编码，则存储一秒钟的信号数据量有多大？27、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N管，为什么？28、画出由运放构成加法、减法、微分、积分运算的电路原理图。并画出一个晶体管级的运放电路。29、数字滤波器的分类和结构特点。30、DAC和ADC的实现各有哪些方法？31、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？32、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？33、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？34、请描述一下国内的工艺现状。35、请简述一下设计后端的整个流程？36、有否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素？37、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？38、什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？39、为什么一个标准的倒相器中P管的宽长比要比N管的宽长比大？40、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有