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多晶硅产品的用途与生产工艺简介2黎展荣编写2008-03-15多晶硅产品的用途与生产工艺简介讲课提纲:一、多晶硅产品的用途二、国内外多晶硅生产情况与市场分析三、多晶硅生产方法四、多晶硅生产的主要特点五、多晶硅生产的主要工艺过程讲课想要达到的目的:通过介绍,希望达到以下几点目的:1,了解半导体多晶硅有关基本概念与有关名词,为今后进一步学习、交流与提高打下基础;2,了解多晶硅的主要用途与国内外多晶硅的生产和市场情况,热爱多晶硅事业与行业;3,了解多晶硅生产方法和多晶硅生产的主要特点,加深对多晶硅生产工艺流程的初步认识;4,了解公司3000吨/年多晶硅项目的主要工艺过程、工厂的概况、规模、车间工序的相互关联,有利于今后工作的开展。多晶硅产品的用途在讲多晶硅的用途前,我们先讲一讲半导体多晶硅的有关概念和有关名词。1,什么是多晶硅?我们所说的多晶硅是半导体级多晶硅,或太阳能级多晶硅,它主要是用工业硅或称冶金硅(纯度98-99%)经氯化合成生产硅氯化物,将硅氯化物精制提纯后得到纯三氯氢硅,再将三氯氢硅用氢进行还原生成有金属光泽的、银灰色的、具有半导体特性产品,称为半导体级多晶硅。2,什么是半导体?所谓半导体是界于导体与绝缘体性质之间的一类物质,导体、半导体与绝缘体的大概分别是以电阻率来划分的,见表1。表1导体、半导体与绝缘体的划分名称电阻率(Ω.Cm)备注导体<10-4<0.0001Cu,Ag,AL等半导体10-4~1090.0001~1000000000Si,Ge,GaAs等绝缘体>109>1000000000塑料,石英,玻璃,橡胶等13,纯度表示法半导体的纯度表示与一般产品的纯度表示是不一样的,一般产品的纯度是以主体物质的含量多少来表示,半导体的纯度是以杂质含量与主体物质含量之比来表示的。见表2。表2纯度表示法1%1/10010-22N百分之一(减量法,扣除主要杂质的量后)1PPm1/100000010-66N百万分之一0。0000011PPb1/100000000010-99N十亿分之一0。0000000011PPt1/100000000000010-1212N万亿分之一0。000000000001PPma原子比PPmw重量比PPba原子比PPbw重量比PPta原子比PPtw重量比1),外购的工业硅纯度外购的工业硅纯度是百分比,1个九,“1N”,98%,两个九,“2N”,99%,是指扣除测定的杂质元素重量后,其余作为硅的含量(纯度)。如工业硅中Fe≤0.4%,AL≤0.3%,Ca≤0.3%,共≤1%,则工业硅的纯度是:(100-1)X100%=99%。2),半导体纯度工业硅中的B含量是0.002%(W),则工业硅纯度对硼来说被视为99.998%,即4N(对B来说)。半导体硅中的B含量,如P型电阻率是3000Ω.Cm时,查曲线图得B的原子数为4.3X1012原子/Cm3,则半导体的纯度是:4.3X1012/4.99X1022=0.86X10-10=8.6X10-11(~11N,0.086PPba),或(4.3X1012X10.81)/(4.99X1022X28)=0.33X10-10=0.033PPbw=3.3X10-11(~11N)。对B来说,从工业硅的4N提高到11N,纯度提高7个数量级(10000000,千万倍)即B杂质含量要降低6个数量级(1000000,百万倍),因此生产半导体级多晶硅是比较困难的。3),集成电路的元件数集成电路的元件数的比较,列于表3。集成电路的集成度越高,则对硅材料纯度的要求越高。表3集成电路的元件数比较晶体管分立元件1个分立元件指二极管、三极管IC集成电路100-1000个元件LSI大规模集成电路1000-10万个元件VLSI超大规模集成电路>10万个元件ULSI超超大规模集成电路>1亿个元件据报导:日本在6.1X5.8mm2的硅芯片上制出的VLSI有15万6千多个元件4),硅片(单晶硅)发展迅速硅片(单晶硅)发展迅速,见表4。表4硅片(单晶硅)发展迅速1960年Φ25mm1”1990年Φ200mm8”21965年Φ50mm2”1995年Φ300mm12”1970年Φ75mm3”2000年Φ400mm16”批量1974年Φ100mm4”2005年Φ450mm18”研发中1978年Φ150mm6”大规模生产中多晶硅直径一般公认为是120-150mm比较合适,也研发过200-250mm。5),多晶硅、单晶硅、硅片与硅外延片多晶硅:内部硅原子的排列是不规则的杂乱无章的。单晶硅:内部硅原子的排列是有规则的(生产用原料是多晶硅)。硅片:单晶硅经滚磨、定向后切成硅片,分磨片与抛光片。硅外延片:抛光片经清洗处理后用CVD方法在其上再生长一层具有需求电阻率的单晶硅层,目前超大规模集成电路正趋向于采用硅外延片来生产。4,多晶硅产品的用途半导体多晶硅本身用途并不大,必须要将多晶硅培育成单晶硅,经切、磨、抛制成硅片(又称硅圆片),在硅片上制成电子元件(分立元件、太阳能能基片、集成电路或超大规模集成电路),才能有用。硅由于它的一些良好的半导体性能和丰富的原料,自1953年硅作为整流二极管元件问世以来,随着工艺技术的改革,硅的纯度不断的提高,目前已发展成为电子工业中应用最广泛的一种半导体材料,有关硅的基础理论也发展得较为完善。起初由于制造硅材料的技术问题,半导体多晶硅纯度不高,只能作晶体检波器(矿石收音机,相当于二极管).随着材料制造工艺技术的不断改进与完善,材料纯度不断提高,制造成功各种半导体器件,从晶体管、整流元件、太阳能电池片到集成电路到大规模集成电路和超大规模集成电路,才使硅材料得到广泛的用途。半导体多晶硅是单晶硅的关键原材料,多晶硅培育成单晶硅的方法是:有坩埚(CZ)与无坩埚(FZ),即直拉与区熔之分。制成单晶硅后通过切、磨、抛工序制成硅片,在硅片上进行半导体器件的制造,(通过扩散、光刻、掺杂、离子注入------等许多工序)即集成电路(管芯或称为芯片、基片)。由于大规模集成电路和超大规模集成电路技术的突破,半导体器件得到飞速发展,在各行各业得到广泛的应用。所有这些应用都是在有半导体多晶硅材料的基础上才能实现的。——在军事工业上:海湾战争、伊拉克战争的电子战都是用了大量的电子装备,探测器、导弹制导,火箭发射,电子控制设备,军事装备等;——在航天工业上:航天飞机,宇宙飞船(神1~神6)人造卫星,气象卫星,星球探测(登月与登火星)等;——在航空上:机场监控,飞机全天候监控,空军装备等;——在航海上:核潜艇,航空母舰,海上巡逻,海上运输,南北极探险等;——在信息技术上:通信技术(手机电话),广播电视,电子商务,电子购物,银行管理,电子眼监控,电脑网络,——在科学技术、工业技术,交通运输、铁路运输、能源工业、汽车工业、卫生医药等;——还有在人们生活中,家用电器,工资卡等都与电子打交道,所谓“无所不在,无所不有,到处可见”。这都是得益于半导体多晶硅的基础材料。当今,在人们的日常生活上、文化娱乐上得到充分的改善与享受,都离不开半导体材料与器件。因此我们从事的半导体多晶硅材料的生产与研发,对我们国家的经济建设、国防建设、工业建设、生活改善都是很重要的事业,希望大家热爱多晶硅行业,钻研多晶硅行业,发展多晶硅行业,为国家的经济发展,国防发展,社会发展,人民生活的提高与改善作出应有的贡献。3一、国内外多晶硅生产情况与市场分析1,国外多晶硅生产情况国外多晶硅生产,主要集中在美、日、德、意四国的十大公司,多晶硅的生产量占世界的90%以上,见表5。表5国外多晶硅产能与产量(t/a)所在国公司或厂商2005年2006年2007年2008年预测备注产能产量产能产量日本德山曹达520052005400540054005400棒状,SiHCl3三菱160016001600160016001600棒状,SiHCl3隹友800800900900900900棒状,SiHCl3美国哈姆洛克7700770010000100001450018000棒状,SiHCl3Asimi300030003300330036003600棒状,SiH4Memc270015002700270027002700粒状,FBR反应器三菱120011001200110015001500棒状,SiHCl3SGS220022002200220022004400棒状,SiH4德国瓦克5500500060006000800012000棒状,SiHCl3意大利Memc100010001000100010001000棒状,SiHCl3合计309002910034300342004140051100半导体多晶硅的生产是一个跨化工、冶金、机械、电子与自动控制多学科综合技术集成一体的系统工程。目前国外有报导已发展到高效率低能耗48-50对棒的还原炉。2,国内多晶硅生产情况1)目前国内能生产多晶硅的厂家只有五家:(1)739厂(200t/a),(2)洛阳中硅(300+700t/a),(3)新光硅业1000t/a,(4)江苏中能1500t/at/a,(5)无锡金大中200t/a。2)据报导在建与筹建的有20多家(见附件){(1)新津天威四川硅业(3000t/a),(2)乐电天威硅业3000t/a,)、(3)中德合资江西新时代高新能源公司(1000-3000t/a)2005年4月开建,计划2008年投产,(4)云南曲靖爱信硅科技公司(一期投资25亿元,建多晶硅生产线3000t/a,三年后建成10000t/a),2006年4月7日开工(奠基)。(5)宁夏石嘴山投资70亿元,建设世界级硅基地,多晶硅计划建成5000t/a的规模,(6)辽宁凌海多晶硅之城(1000t/a),(7)扬州太阳能产业基地3000t/a多晶硅分两期建设,一期投资12亿元07年上半年投产,二期08年上半年建成,(8)江苏高邮(江苏顺大半导体发展有限公司领头)投资25亿元分两期到位,07年6月投产一条线1500t/a,08年初再上一条生产线,生产能力达3000t/a。}5多晶硅国内计划建设项目2008-2-10序号公司或厂家建设地计划产能(吨/年)奠基时间计划投产时间投资(亿元)备注1期2期3期合计1期总计1峨嵋739厂四川省峨眉山市1002005008002006-62008-661、2期投产2洛阳中硅河南省堰师市300700200030002005-2006-102.21、2期投产3新光硅业四川省乐山市126012602005-2007-212.9投产4江苏中能江苏省徐州市150060002006-2007-8701期投产5无锡中彩集团江苏无锡市3003002006-2007-82投产6通威和巨星(永祥多晶硅)四川省乐山市100030006000100002007-2008-650在建7东汽(乐山)硅业四川省五通市15001500150045002007-32008-127.5在建8天威四川硅业四川省成都市新津300030002007-122009-627在建9乐山乐电天威硅业四川省乐山市300030002008-22009-625在建10赛维LDK江西新余市6000150002006.-52008-12在建11深圳南玻湖北省宜昌市15001500150045002006-52008-61.5$60在建12亚洲硅业青海省西宁市100060002007-32008-128在建13江苏顺大江苏省扬州市150015002007-在建14神舟硅业内蒙古呼和浩特市150015002007-18在建15江苏阳光(宁夏)宁夏省石嘴山市15001500150045002007-1540在建16江苏大全集团重庆万州市3000300060002006-940在建17爱信硅科技(云南冶金)云南省曲靖市3000100002006-425100开工典礼18天宏硅材料陕西省咸阳市3750100002006-93752开工典礼19特变电工新疆省乌鲁本齐市15001200016.3项目洽谈20大陆多晶硅项目内蒙古呼和浩特市2500180002007-9180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