高低结模型

高低结高低结是发生在同一材料两个具有相同导电类型半导体接触之间的结。结中的一侧掺杂浓度较高，另一侧掺杂浓度较低。电池正面的N+N和背面的P+P都是高低结。上图所示的是N+N结处于平衡状态时的能带图和电势分布图，由于结两侧半导体材料的掺杂浓度不同，因此N+N结处于平衡状态时在界面处要形成势垒。则结两边的电势差为：2V-1V=DV=-qkTln21DDNNN+N结与PN结不同的地方是势垒高度DqV比较低且不处于耗尽状态，所以在结处没有高阻区。当有光电流产生时，N+N结将有一定的电场加速电子的运动。而且，其电压降不象PN结一样发生在势垒这种情况对经过钝化的电池表面收集电流具有一定的效果，电池表面钝化后浓度降低，薄层电阻增加，少子的横向移动将受到限制。但电池表面横向的N+N结将使少子在电场的作用下加速移动。另外，由于高低结对任何方向的电流都不呈高阻，故这种结具有良好的欧姆接触，可以有效降低电极与电池的串联电阻。N+N结平衡时的能带图、电势分布图N+N电极电池表面N+N电场对电子的加速示意图