模电填空题答案1

第一章一、填空题1．杂质半导体分为（N）型和（P）型。自由电子是（N）型半导体中的多子。空穴是（N）型半导体中的中的少子。2．杂质半导体中的少子因（本征激发）而产生，多子主要因（杂质电离）而产生。3．常温下多子浓度等于（杂质）浓度,而少子浓度随（温度）变化显著。4．半导体中的（扩散）电流与载流子浓度梯度成正比；（漂移）电流与电场强度成正比。5．当（P）区外接高电位而（N）区外接低电位时，PN结正偏。6．PN结又称为（空间电荷区），（耗尽层），（阻挡层）和（势垒区）。7．PN结的伏安方程为（/(1)TvVSiIe）。该方程反映出PN结的基本特性是（单向导电）特性。此外，PN结还有（电容）效应和（反向击穿）特性。8．PN结电容包括（势垒）电容和（扩散）电容。PN结反偏时，只存在（势垒）电容。反偏越大，该电容越（小）。9．普通Si二极管的导通电压的典型值约为（0.7）伏，而Ge二极管导通电压的典型值约为（0.3）伏。10．（锗）二极管的反向饱和电流远大于（硅）二极管的反向饱和电流。11．PN结的反向击穿分为（雪崩）击穿和（击纳）击穿两种机理。12．稳压管是利于PN结（反向击穿电压稳定的）特性工作的二极管。13.变容二极管是利于PN结（反偏时势垒电容）特性工作的二极管。14．二极管交流电阻rd的定义式是（DDQdvdi），rd的估算式（TDQVI），其中热电压VT在T=300K时值约为（26）mV。第二章一．填空题1．当发射结正偏，集电结反偏时，BJT工作在（放大）区，当发射结和集电结都（正偏）时，BJT饱和；当发射结和集电结都（反偏）时，BJT截止。2．放大偏置的NPN管，三电极的电位关系是（CBEVVV）。而放大偏置的PNP管，三电极的关系是（CBEVVV）。3．为了提高值，BJT在结构上具有发射区杂质密度（远大于）基区杂质密度和基区（很薄）的特点。4．ICBO表示（集电结反向饱和电流），下标O表示（发射极开路）。ICEO表示（穿透电流），下标O表示（基极开路），两个电流之间的关系是（(1)CEOCBOII）。5．在放大区，iC与iB的关系为（(1)CBCBOiiI），对Si管而言，iC≈（Bi）。6.共射直流放大系数与共基直流电流放大系数的关系是（1）。7.在放大区，iE﹑iC和iB近似成（线性）关系，而这些电流与vBE则是（指数）关系。8．放大偏置的BJT在集电结电压变化时，会通过改变基区宽度而影响各级电流，此现象称为（基区宽度调制效应）。9．一条共射输入特性曲线对应的函数关系是（()CEBBEVifv常数）。一条共射输出特性曲线对应的函数关系是（()BCCEIifv常数）。10．当温度增加时，（增加），ICBO（增加），而共射输入特性曲线（左移）。（外部偏置电路一定时，这种左移使偏压BEV减小。）11．BJT的三个主要极限参数是（CMP），（CEOBV）和（CMI）。12．交流α的定义式为（CBCEVii常数）；交流β的定义式为（CECBVii常数）。13．当||=1时的频率称为BJT的（特征频率）。14．在工程上，可将不等式（||5bevmV）作为双极性晶体管的线性模型成立条件。15．BJT的小信号跨导gm定义式为（CmBEQigV），估算式为（CmTQIgV）。16．rbe和交流β其实是两个共射H参数，它们与混合π参数的关系是rbe=（bbberr）,β=（mbegr）。（后面的题号不太对应，但都能找到答案）17．引入厄利电压VA是为了便于估算反映基调效应的混合π参数（cer）和（bcr）。1．场效应管（FET）依靠（GSv）控制漏极电流iD,故称为（电压）控制器件。2．FET工作于放大区，又称为（饱和）区或（恒流）区。此时iD主要受（GSv）电压控制，而iD几乎不随（DSv）电压的改变而变化。3．N沟道FET放大偏置时，iD的方向是从（漏）极到（源）极；P沟道FET放大偏置时，iD的方向是从（源）极到（漏）极。6．符号IDSS的含义是（零偏（0GSV）饱和漏电流）。7．沟道预夹断是指沟道在（靠近漏极端）位置刚好消失的状态。此时，vDS与vGS满足的关系式称为（预夹断）方程。8．耗尽型FET的小信号跨导定义为gm=（DGSQiv放大区）。对于耗尽型管gm≈（2||DSSDPIIV）或（21||DSSGSPPIVVV）；对于增强型管gm≈（2DkI）。9．在放大区，耗尽型管转移特性曲线近似满足的平方律关系式为（21GSDDSSPviIV），而增强型管的平方律关系式为（2()DGSTikvV）。10．根据FET在放大区的外特性，它的栅极、源极和漏极分别与BJT的（基）极、（发射）极和（集电）极相似。第三章一、填空题1．放大器的直流通路可用来求（工作点）。在画直流通路时，应将电路元件中的（电容）开路，（电感）短路。2．交流通路只反映（交流）电压与（交流）电流之间的关系。在画交流通路时，应将耦合和傍路电容及恒压源（短路）。3．图F3-1所示共射放大器的输出直流负载线方程近似为（()CECCCECVVRRI）。该电路的交流负载线是经过（工作）点，且斜率为（1///CLRR）的一条直线。共射放大器的交流负载线是放大器工作时共射输出特性曲线上的动点（CEv,Ci）的运动轨迹。4．CE放大器工作点选在（交流负载线）的中点时，无削波失真的输出电压最大。5．放大器的信号源的等效负载是放大器的（输入）电阻，而向放大器的负载RL输出功率的等效信号源的内阻是放大器的（输出）电阻。6．多级放大器的增益等于各级增益分贝数（相加）。若放大器AV＝－70.7倍，则AV的分贝数＝（37）。图F3-17．级联放大器常用的级间耦合方式有（电容）耦合，（变压器）耦合和（直接）耦合。8．放大器级间产生共电耦合的原因是（电源不是理想恒压源，存在内阻），消除共电耦合的方法是采用（电源去耦）电路。9．高增益直流放大器要解决的一个主要问题是（克服零点漂移）。10．在多级放大器中，中间某一级的（输入）电阻是上一级的负载。11．任何正常工作的放大器的（功率）增益总是大于一。12．从频谱分析的角度而言，放大器非线性失真的主要特征是（输出信号的频率分量比输入信号多）。13．图F3-2和图F3-3是两个无源单口网络。图F3-2的端口等效电阻是Ra等于（51.1k）。图F3-3的端口等效电阻等于（21.6）。图F3-2图F3-314．图F3-4是某放大器的通用模型。如果该放大器的端电压增益AV＝－100，则该放大器的AVS=（39.2）dB，AVO=（40.4）dB,AI=（34）dB，AP=（15）dB。15．在BJT三种基本放大器中，CE组态使用较多的一个原因是（功率）增益最大。16．当温度增加时，晶体管的直流参数（）和（CBOI）增加，而（BEV）减小，使图F3-5偏置电路的工作点向（饱和区）移动。17．当温度增加时，图F3-5偏置电路的（基极）电流几乎不变，而（集电极）电流明显增大，（集射间）电压明显减小。该偏置电路称为（固定基流）电路。18．图F3-6所示偏置电路称为（基极分压射极）偏置电路。当电路满足条件（1I（或2I）BI）或（12//ERRR）时，稳Q效果较好。图F3-4图F3-519．图F3-6电路中，只有电阻（CR）对IC几乎无影响，但RC增加时,工作点会移向（饱和）区。11．在FET分立元件放大电路中，常采用的偏置电路是（源极自给偏压）电路和（混合偏置）电路。但（源极自偏）电路不能用于增强型MOSFET。12．FET的基本放大组态：CS组态、CD组态和CG组态，其放大特性分别与BJT的（CE）组态、（CC）组态和（CB）组态相似。13．FET的（沟道长度调制）效应与BJT的基区宽调效应相似。基区宽调效应使集电结反偏电压变化对各极电位有影响，而FET的该反应使（DSv）电压的变化对iD产生影响。14．FET的小信号参数（dsr）是沟道调制效应的反映。第四章一、填空题1．在半导体集成电路（IC）中，（晶体管）元件占芯片面积最小，（电阻）和（电容）元件的值越大，占芯片面积越大，而（电感）元件无法集成。2．Si集成放大器的偏置电路往往采用（恒流源）电路。而集成放大器的负载常采用（有源）负载，其目的是为了（提高电压增益）。3．IC中的恒压源和恒流源电路其模型中的电阻都是（交流）电阻。前者有很小的（交流）电阻，后者的（交流）电阻很大。4．图F5－1所示CE基本差动放大器的差模输入电压vid的线性范围约为（28）mV。5．在图F5－1中，当vid超过大约（100）mV时，输出出现明显限幅。6．差动放大器依靠电路的（对称性）和（共模）负反馈来抑制零点漂移。图F5-17．一般情况下，单端输入的差动放大器其输出电压与同一信号差模输入时的输出电压几乎相同，其原因是（CMRK很大，使单端输入时，共模分量的输出很小）。8．采用恒流源偏置的差动放大器可以明显提高（共模负反馈）。10．NPN-PNP互补对称乙类功放在每管工作时，都是（CC）组态。在这种功放里，对发射结加入一定正偏的目的是为了克服（交越失真）。11．图F5-2所示复合管等效为一支（PNP）管（标出各电极）。其等效＝（12），等效rbe=（1ber）。12．使用PCM＝1W的BJT作甲类功放时，只能输出（0.5）W功率，而用两支PCM＝1W的NPN和PNP管，却能输出（5）W功率。13．对于OCL或OTL电路，当负载电阻减小时，最大输出功率（增大）。图F5-214．当功率管的饱和压降VCES增大时，各指标的变化为POmax（减小），max（降低），PCCmzx（降低）和PT1max（不变）。