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中国3000万经理人首选培训网站更多免费资料下载请进:检验规范。1.2订定成品入库批允收程序,以确保产品质量达一定水平。2.范围本公司生产之所有LED产品均属之。3.内容3.1检验测试项目3.1.1光电性检验3.1.2外观检验3.1.3数值标示检验。3.2抽样计划(片数定义:芯片片数)3.2.1依「产品检验抽样计划」(WI-20-0101)抽片执行检验。3.2.2光电特性检验(VFH、VFL、IV)(1)抽样位置:分页片边缘4颗,分页片内围6颗,均匀取样。(2)抽样数量:每片10颗。(3)每片抽样数,每一颗不良,则列一个缺点。3.2.3外观检验(1)PSTYPE不良晶粒>2ea/sheet,列入一个缺点。(2)NSTYPE或PSTYPE分页面积最长距离<6.5cm者,不良晶粒>5ea/sheet,且>10ea/wafer列入一个缺点。(3)缺点项目之限样标准由制造、FQC两单位共同制作,作为人员检验之依据。3.3缺点等级代字3.3.1主要缺点代字:MA(Major)。3.3.2次要缺点代字:MI(Minor)。3.4参考文件3.4.1本公司产品目录规格书中国3000万经理人首选培训网站更多免费资料下载请进:依特定之额定电流点测,须低于规格上限。4.1.2规格上限应参考测试分类规格及GaP、GaAsP、AlGaAs产品T/S前测站作业指导书。4.1.3缺点等级:MA4.2顺向电压VFL4.2.1依特定之额定电流点测,须高于规格下限,低于上限。4.2.2规格:GaP≧1.5V,GaAsP≧1.3V,AlGaAs(1.25≦VFL≦1.5V),IR(0.70~1.0V)。4.2.3缺点等级:MI4.3亮度Iv/Po4.3.1依特定之额定电流点测,须高于规格下限。4.3.2规格下限应参考测试分类规格及各产品T/S前测站作业指导书判定。4.3.3缺点等级:MA5.外观检验﹙共同标准﹚检验项目说明图示缺点等级5.1晶粒厚度5.1.1同一芯片晶粒厚度差≦2mil5.1.2UR同一芯片晶粒厚度差≦3milMA5.2正面电极5.2.1电极中心点1/3半径范围内,不得有任何异常(不含刮伤)电极R/3MA5.2.2电极破损、铝泡(金泡)、非化学药水污染(沾胶、杂物、硅胶粒、Ink…)、重工造成之金属残印子(如残钛)面积应≦1/5原电极面积。MA5.2.3电极刮伤自动用PS应≦1/5原电极面积材质:AlGaInP适用MA5.2.4电极扩大缩小:0.9倍<原订值φ<1.1倍MA5.2.5二道偏移应≦1.1倍MI5.2.6电极偏移a/b≦2/1abMA5.2.7电极不得有铝黄、药水污染MA5.2.8自动用PS电极不得有粗糙程度不一致影响机器MA中国3000万经理人首选培训网站更多免费资料下载请进:长脚电极断裂应≦1只脚面积PowerChip(524,540相关产品)Pad不可形成掉脚MA5.2.10长脚电极缩小宽度(B)应≦1/2原宽度(A)ABMA5.3正面晶粒5.3.1晶粒污染、沾胶、药水残需≦1/5发光区面积MA5.3.2全切晶粒未切穿者不作PS(半切晶粒及手动用NS之未切穿面积应≦1/5原晶粒面积)MA5.3.3晶粒切割内斜需≦1/10原晶粒面积MA5.3.4晶粒不得为长方形|b/a|≧90%baMA检验项目说明图示缺点等级5.3正面晶粒5.3.5电极周围未粗化到的月眉形区域,最宽处须≦1milMA5.3.6发光区伤到面积‧自动用(PS)应≦1/5发光区面积‧手动用(NS)A/B≦2/1ABMA5.3.7发光区金属残余应≦1/5电极面积MA5.3.8发光区刮伤应≦1/5原发光面积且刮伤宽度应≦10μm/lineMA5.3.9SR,DR,UR氧化层膜脱落面积‧一般规格(NX、NL、PX)应≦1/2原发光区面积‧均匀性规格及自动用(PS)应≦1/5原发光区面积(PD、ND、PM)MA5.3.10脱离电极之铝(金)线长度应1/2电极长度MA5.3.11正崩‧正面损伤、暗伤面积应≦1/5单边长界限内‧均匀性产品不得有暗伤MA5.4背面电极背面电极总面积需≧1/2应有总面积MA5.5背面晶粒5.5.1背面晶粒污染面积应≦1/2原晶粒面积MA5.5.2背面损伤面积应≦1/5原晶粒面积5.5.3GaP产品8mil背崩面积应≦1/3原晶粒面积5.5.4TK508SRT,UYT背崩面积应≦1/2原晶粒面积MA5.6晶粒排列5.6.1同一排晶粒排列歪斜需≦1颗晶粒1chipMA5.6.2相邻之晶粒,排列不齐需≦1/2晶粒1/2chipMA5.6.3晶粒角度不正≦±30°MA5.6.4晶粒倾倒≦2ea/sheetMA中国3000万经理人首选培训网站更多免费资料下载请进:~1.0倍晶粒宽,手动用NS不得超过0.5~1.2倍晶粒宽0.5~1.0垂采糴(PS)0.5~1.2垂采糴(NS)MI5.6.6晶粒排列自动用PS‧空洞超过5ea×5ea应≦2处/sheet(含芯片外围有凹洞者)‧空洞率应≦20%‧补洞应单边每颗补齐,不得歪斜。‧5×5MA5.7分页5.7.1自动用PS:分页面积最长距离应≦8.5cmMA检验项目说明图示缺点等级5.7分页5.7.2手动用NS‧分页面积最长距离应≦4.5cm‧8milSR、NR分页面积最长距离应≦3.5cm4.5cmMA5.7.3分页晶粒距TAPE边缘应≧4.5cm4.5cmMA5.7.4外围眉形产品、次级品,可并片。PS并片规格:并片片数:应≦3片每片间隔:14Mil以下应6+2mm16Mil以上应7~9mm单片数量:≦12Mil(每小片至少1000ea)≧14Mil及112UR(每小片至少500ea)116IRS≧0.5K其它IR≧1K晶粒方向:以平行为原则并片限制:同片始可并片编码:同一般实施项目:YGS、HO、HY、UR、IR、四次元、RD、YGMA5.7.5手动用分页片数量‧手动用(NS)≧1Kea‧四次元16mil以上(含)应≧0.5Kea自动用分页片数量‧IR系列、UR产品应≧1Kea。‧四次元产品8~10mil应≧2Kea,11~14mil应≧1Kea,16mil以上(含)应≧0.5Kea‧其余产品应≧3KeaMA5.7.6外围分页片数量≧400ea,PS≧1/4圆片MA5.8TAPE5.8.1不得有毛屑、污渍、多余之零散晶粒MA5.8.2不得有破损、刮伤MA5.8.3不得有明显之晶粒、隔板痕迹MA5.8.4晶粒与晶粒间不得有tape的胶丝残余MA5.9对比5.9.1自动用(PS)晶粒,电极与发光区对比要明显5.9.2四次元产品掉ITO者为良品MA5.10MESA5.10.1自动用((PS)MESA晶粒,单边边长应≧7mil5.10.2UR产品单边边长应≧5milMA6.数值标示检验检验项目说明缺点等级6.1标签6.1.1品名、批号要与产品符合MA8.5cm中国3000万经理人首选培训网站更多免费资料下载请进:数量卷标,与质量卷标之标示值、片号要一致MA6.1.3厂商特殊规格标示值检验MA6.2计数包装6.2.1计数每小盒应≦45片MI
本文标题:LED芯片来料检验规范
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