中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案

《电子技术基础》期中试卷一、填空题（每空1分，共32分）1、晶体二极管加一定的电压时导通，加电压时，这一导电特性成为二极管的特性。2.PN结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。3.用万用表“Rx1K挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。管型（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______工作状态（1）_______（2）_______（3）_______（4）_______6.Iceo称为三极管的_______电流，它反映三极管的_______，Iceo越_______越好。7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______，将直流电源视为_______。8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。二、判断题（每题2分，共14分）l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。（）2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。（）3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ie值。（）4.共基极三极管电路只能放大电压而不能放大电流。（）5.二极管一旦反向击穿就会损坏。（）6.N沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。（）三、选择题（每题2分，共14分）1.某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管，测得VE=-3V，VCE=6V，VBC=-5.4V，则该管是()A.PNP型处于放大工作状态B.PNP型处于截止状态C.NPN型处于放大工作状态D.NPN型处于截止状态2.用下图所示电路测试晶体三极管时，合上开关S1、S2后，电压表读数为1.5V，毫安表没有指示，可能是下面哪一种原因？()A．集电极内部开路班级：姓名：学号：题号一二三四五六七八九总分得分B.发射极内部开路C.C、E级间已击穿D.发射结已击穿3.判断下图所示电路反馈元件Re引进的是()A．交流电压串联负反馈B.交流电流串联负反馈C.直流电压串联负反馈D.直流电流串联负反馈4.下图中Rb是反馈元件，引入的反馈类型是()A．电流并联负反馈B.电压并联负反馈C.电流并联正反馈D.电压并联正反馈5.要求放大电路输入电阻大、输出电阻小，可采用_______。要求放大电路输入电阻小，输出电阻大，可采用_______。()A.电压串联负反馈电流并联负反馈B.电压并联负反馈电流并联负反馈C.电压串联负反馈电流串联负反馈D.电压并联负反馈电流串联负反馈6.单管共射放大器输入正弦电压，用示波器观察到输出波形的正半周被削顶，该放大器的静态工作点设置得()A.正常B.偏低C.偏高D.无法确定四、综合题（第一题8分，第二题12分，第三题18分，第四题8分，共40分）1、分析下图所示电路，试判断二极管导通还是截止？为什么？2、如下图（a）所示，图中若Vcc=16V，Rc=4KΩ，Rb=400KΩ，试在图（b）上用图解法求静态工作点，并求出电压放大倍数Au。班级：姓名：学号：3、如下图所示放大电路中，Vcc=12V，Rb1=20KΩ，Rb2=10KΩ，Rc=Re=RL=2KΩ，β=80，VBEQ=0.6V。（1）画出电路的直流通路和交流通路。（2）分析当温度下降时，电路稳定工作点过程。（3）用自己的话阐述该电路中Rb1、Rb2、Re、Ce这几个元件的作用。（4）计算静态工作点（5）若rbe=1KΩ，计算电压放大倍数4.可调节的简易型恒温器如下图所示，R0为热敏电阻。请补画缺失的电器元件，并说明工作原理。附：参考答案及评分标准一．1.正向反向截止单向导电2.较小较大3.正负4.电压栅极结型绝缘栅N5.（1）NPN（2）NPN（3）PNP（4）PNP（1）截止（2）放大（3）放大（4）饱和6.反向穿透电流热稳定性小7.电容容量较大的电容短路短路（短接线）8.越大信号电流越小带负载能力二．×××√×√三．CBDBAB四．1.二极管反偏截止2.画图略3.（1）图略（2）T↓→ICQ↓→IEQ↓→VEQ↓→VBEQ↑→IBQ↑→ICQ↑（3）Rb1限流，Rb2分压，Re限流，Ce减少信号损耗（4）VBQ=4V,VEQ=3.4V,ICQ=1.7Ma，IBQ=21.25μA，VCEQ=5.2V（5）Au=-80班级：姓名：学号：