复旦微电子保研面试题

首先老师先叫我读了一段关于互补数字系统的英文，然后说说自己的idea，我读了2分钟，好像说不出个什么东西来，就blabla两句就结束了。。。。然后又用英文说自己在本科阶段学过的东西。。。。也是blabla几句，后来还好老师问我在lab做过的research，然后就滔滔不绝如江水了。。。。后来的几个问题都是和这个research有关的，由于时间问题就叫我画了一个与非门，问了想去什么方向。。就出来了。。。。下面保持队形。。。模电的:正反馈震荡条件(我忘记答相位的条件了...)负反馈对增益和带宽的影响运放一般是开环的还是闭环的数电的:同步电路跟异步电路的区别(我答错了..应该是触发沿的区别,不是频率的区别...不过后来王sir来接话圆场了,赞王sir~)然后洪sir问了d触发器异步和同步的区别，这个知道。还有至少几个触发器才能5分频。我答了3个。后面两个问题，一个是mos管的延迟时间，我不会。随便说了个0。1ns。然后，工艺老师说多晶硅和单晶硅做器件哪个速度快。然后猜错了，我说是多晶硅。就这么多。然后问我digitaldevice&signal和analogdevice&signal的区别并举一个例子然后问dsp的优点答auto-idlabdigitaldesign数字设计流程逻辑综合做了哪些事情有几种逻辑功能仿真方法后仿有哪些东西哪些影响因素最后问cad有没兴趣英语部分大家都差不多，后面问了振荡器相关，电流/压负反馈、串/并联负反馈作用并挑个画图，然后问了FPGA是啥，目前的特征尺寸到多少了，最后存储器有些啥。谈项目然后具体问问项目中的细节（电阻用哪种之类的）英语刘冉问目前大规模投产的特征尺寸是多少，我说90nm，然后他说知不知道INTEL投产的是多少，我说45nm，然后又问估计32nm什么时候投产，再问做小的话有什么问题，我说powerconsumption然后问leakagecurrent主要是为什么，我说是chargesharingeffect和DIBL,然后问gatecurrent我说可以用HIGH-K就结束了因为我在英语过程中谈到我是电工转来的，洪sir就说既然是从电工转来的那就问一个关于高频的问题（我汗，高频跟电工有关系吗，而且我没准备过高频，好在问题简单），高频电路有什么问题，我就说寄生电容云云。接着说要把放大器频率做上去，抑制噪声用什么方法，我就答负反馈，差分对管。然后才是问我模拟数字哪个感兴趣，我说模拟。他就问我上过哪些模拟课程，有没有研究经历。最后他问了一下深亚微米问题，我就说了一些技术节点以及Intel的45纳米。不过让我不爽的是我竟然把250nm说成了250um，是江sir点了一下我才改过来的，但也没说对，深亚微米是0.35um。面完和其他同学聊了一下感觉我的问题是最简单的，运气还不错～。然后就开始面专业，可能是前面进去的都给了老师我们班同学项目做得很牛的印象，于是他开口就问我在实验室做什么，我说做频率综合电路，主要关注锁相环路，后来我极度后悔说了这句话，因为那个老师瞬间来了兴趣，说你知道数字电路和模拟电路的区别么？你知道现在有用数字电路构成控制电路，来调节模拟电路由于工艺原因而产生的误差么？你看过类似的paper么？简单举个例子说说看，我瞬间蒙了，于是我说我在实验室时间不长，主要是用matlab做一些系统级的simulink，还没有做这么具体的电路设计，不过在组会上面听同学提到过一些类似的东西，然后巴拉巴拉扯了一些，问他是不是想要问这些。那个老师倒是点头了，不过ms黄老师不是很满意，我也不是特别清楚，哎...接着就问我现在国际上主流的工艺是多少纳米的？我说了一下，应该大部分是对的，说的过程中提到了intel45n的时候的high-k技术，于是传说中一直没开口的茹老开口了，问我为啥要用high-k，我还不容易逮到一个熟的，刚准备往深里说，结果被打断了，问了一个记不清啥问题了，接着就问将来愿不愿意做工艺或者CAD，接着就结束了。不过感觉我被问到的问题基本都是工艺的...心里有点慌了...。然后当中的老师很和蔼可亲的问我是怎么想的。然后问了我些国内半导体生产厂商的情况。茹老板再问我intel能生产多少尺寸的芯片。我说45nm。然后茹老板就问我其中运用到什么技术。我说highk。他就问了问我其中的原理。后来再问我栅上面是什么。我一开始说二氧化硅，他重复了遍问题，我改说多晶硅。他就问我pmos，nmos的多晶硅有什么不一样。我说参杂不一样。他问我pmos是怎么样的，nmos是怎么样的。我随便一说也不知道对不对（好象蒙对了）。他问我原理，我一下想不出来，就瞎扯。他再问我vth和费米势能有没有关系，多晶硅n型，p型的费米势一不一样。现在的工艺是如何调整vth的。然后问我的问题我没听的很明白。我一开始就说不太清楚，后来经过提示，我问是不是dfm，他说是的，再经过提示，终于明白大概是要问我设计在生产中的重要性。然后就是朗读英语。然后用英语问我为什么设计需要工具。我答了答，再问我现在一个硅片里有多少晶体管。就结束拉～第一题:英文读2段话,我的是关于一个时变系统,我们可以假装(pretend)它是时不变系统处理,然后第二段讲了个关于在图象上的应用.读1遍,然后讲讲你的看法,我说既然假装时不变,就可以用dsp的方法处理,比如说压缩,变换什么的.第二题:英语解释数字电路比模拟电路好在哪里:我答:密度高成本低,有完善的辅助设计工具,精度高抗干扰,可以先储存再处理等.第三题:你的方向?实验室经历?答:数字电路设计.然后我回答了我的导师选择和实习经历.然后就问我用过什么软件:答quartusII,synopis,Cadance,Orcad,Hspice,然后我扯到我喜欢计算机和编程,追问我写过什么软件,我具体解释了下我玩过1个IBM的程序员游戏-robocode.第四题:数字电路设计和模拟电路设计在设计方法上有何不同?答:自上而下和自下而上.第五题:为什么选择数字电路设计方向?我从经济和就业形势方向回答了.没有自我介绍,没有签协议.我就这么出来了.数字接收机包括哪几部分？工作在什么频段？高频段的频率范围？可传播的距离？高频段的优点？既然高频段有这么多优点，为什么还有人在做低频段的研究？（即低频段的优点模数电实验，还记得做过AD、DA的实验（好后悔说了这个啊，只记得这个题目，具体细节都忘了啊……）那么AD、DA中精度的概念？有效精度呢？既然需要AD、DSP、DA的来回转换，那为什么还要采用数字电路？Whichdirectionwouldyouchoose,designorsemiconductortechnology?Whydoyouchoosethisprogram?HaveyoutakenanyEnglishexaminationlikeTOFELorGRE？专业课的前两个问题都蛮简单的，都是模电，第一个问题是为什么使用对管而不是单管，第二个问题是BJT的BE结是正温度系数还是负温度系数，从第二个问题引出了一个超级恐怖的问题，洪老板说，你知道有些公司是用这个BJT的BE结做为过热保护的测试单元么，然后我说是相当于热敏电阻吧，然后他的问题是，能不能画一下这个电路的草图，其他的老师全部笑了，我崩溃掉，就简单讲了一下大概的构造，然后他深究了下后来看我太弱搞不定就做罢了。之后他说那我再问你一个数电的问题吧，我就很high的说好，我对数电蛮有兴趣的，我以为他会问问全局时钟的设计啦，或者同步异步这样的问题，但是他甩出了一个完全没有听过的专有名词，问我学过没。最后的问题是关于FaultRecovery的，我简单说了一下FaultRecovery是啥，但是问题记不住了。ASIC这章就比较混沌，所以只要会什么说什么了。最后周Sir说你既然喜欢HIFI，那你讲讲HIFI吧，然后我就和他聊了五分钟的天。。。第2个进去的,前面是WS的thatway读了一段关于thedifferencebetweendigitalsignalsandanalogsignals然后自己复述一下,被英文问thebenefitsofthedigtialcircuitswhynotdothesignalprocessingwiththeanalogsignalsallthrough我的回答是从抗干扰性和精确度的方面,后来回想应该再加上现在工艺发展对于器件的影响因为牵扯到信号,自然就扯到自己现在在做的DA项目然后被问是否去CAD和工艺,委婉拒绝...比较尴尬的是被问到用过的软件Cadence的Spectrum我一直都叫icfb...然后童问我数字电路发展下去遇到的问题，说了下隧穿，用h-k解决，以及功耗，亚阈值电流和横向电场导致的二维效应，需要建立更好的二维器件模型（出来之后在回本部的桥五上猛然想起，连线延时将会起主导作用，用低电阻率的金属及在金属层中使用low-k介质减小寄生电容以及使用更好布线算法及将连线延时反标注仿真解决问题，可惜当时没想到，当时低落之极）接着童问我用过什么软件，答modelsim,synplify然后由于做过的项目较偏软件，于是童开始问我是否想去CAD，委婉拒绝，并说了已经联系了做数字电路的导师了，他说博士生主要是跟着导师做事情，硕士生如果是考研进来的话，学校还会做调整之类的云云，我虚心听讲，仍旧委婉拒绝，唉，希望他老人家大人有大量，不要跟我计较才好结束英语是关于ic全定制半定制的，由于想着如何复述有些分心，读得比较烂接下来的问题都是洪sir问的先是谈谈对于文章中architechture的想法没什么具体想法，被我扯到了上asic设计时期末做的项目扯了一些模块后，说到了乘法器除了一般的设计方法，还有什么方法能改善速度我说不是很清楚，他说，这样阿大概关于....没学过吧（没仔细听），连忙称是就问了我一下超前进位我就说了迭代设计和超前进位在速度和复杂度上的折中随后画cmos与非门画完后，问我关于cmos倒相器宽长比的设计一开始没概念，我说不能太小影响电流大小和器件速度w小会有窄沟道效应，太大延时大随后他问我pmos,nmos迁移率这才意识到是要关注电流的对称性pmos的宽长比要比nmos大再问我对一些研究项目有没有兴趣，是否愿意加入Allistheabove!