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2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P1返馳式開關調節器之研究南台科技大學電機工程系2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P2大綱•摘要•研究動機及目的•轉換式電源穩定器廣泛應用之原因•反馳式轉換器電源穩定器•變壓器模型及參數計算•轉換式電源穩定器電路之結構•結論•參考文獻2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P3摘要本文提出以不連續電流模式,進行返馳式轉換器開關調節電路之研製。電路本身不需要作電氣隔離,設計上使用變壓器作電氣隔離與電壓準位的調整。返馳式轉換器的電路架構,是具有隔離特性的昇降壓型轉換器,該變壓器不是磁性元件的功能,而係利用耦合電感達到能量轉換的目的,設計整個電路的重點是磁能的儲存與釋放。本文返馳式轉換器的電路,傳遞能量機制是耦合電感,不是真正的變壓器,鐵芯需要有適當的氣隙存在,防止飽和和平衡直流成分。關鍵字:不連續電流,電氣隔離,儲存與釋放。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P4研究動機及目的電力電子技術結合功率半導體元件之開關控制,拓蹼結構之設計與系統控制學科,其目的是要利用功率半導體元件對電源來加以轉換與控制,以達到各種負載的需求。電力電子主要研究領域有結合功率半導體元件、率級的電路、傳動系統與電機機械、防制電磁干擾的技術、積體電路設計、控制理論、應用微處理器、類比與數位電子和電腦輔助設計技術等等,知識應用之綜合科技。各種電力轉換器,形成之功率電路,所組成電力電子設備。電力轉換器,就由功率半導體元件所結合,就在固定之控制模式裡決定功率開關之導通與截止的時間,使得負載可以穩定的操作。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P5轉換式電源穩定器廣泛應用之原因轉換式電源穩定器體積小,重量輕,效率高的特點,而且節省能源符合時代的需求。所以,廣泛應用在各種不同電子機器上。而且能與廣闊範圍的輸入電壓配合,不需要改變分接頭和電路常數,方便在輸入電壓不同地區使用之特點。轉換式電源穩定器都會產生雜訊,如整流二極體(rectifying)、轉換電晶體(switchingtransistor)、變壓器(transformer)、扼流圈(chokecoil)等等,這種缺點都可以利用濾波器(filter)和屏蔽(shield)及電路設計上的改進,來加以改善。由於漣波(ripple)和雜訊(noise)皆對轉換式電源穩定器的穩定度有不良影響,在設計技巧上需適當,才能防止這種不良影響,來保持比較高的穩定度。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P6探討電感之性質:(1)當電感上有電流I流通時,可儲存能量是E=(LI2)/2,如圖2-1(2)開關S打開的瞬間,電流不是立即截斷,仍然有電流I的能量維持,並且產生電壓,和V在同一方向重疊。結果,在開關S的端子上加入高壓,產生電弧。這能量消耗在電弧和電阻R上。如圖2-2圖2-1電感內所能儲存的能量是LI2/22019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P7(2)開關S打開的瞬間,電流不是立即截斷,仍然有電流I的能量維持,並且產生電壓,和V在同一方向重疊。結果,在開關S的端子上加入高壓,產生電弧。這能量消耗在電弧和電阻R上。如圖2-2圖2-2因為無法使能量在瞬間產生變化,所以無法使電流I在瞬間遮斷,或者改變它流通方向。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P8(3)當初級繞組有電流Ip流通時,開關S打開,次級繞組上就有同一安匝的電流流通,如圖2-3。如此,次級繞組上流通電流是Is=Ip×Np/Ns依照時間常數,Ls/R發生衰減,能量在電阻處變成熱能放出。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P9圖2-3有次級電路的電感時,利用初級電路遮斷,相同的安匝(ampereturns),可以保持和次級電路上流通的電流相同磁場。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P10(4)當電感端子電壓是V時,電感的電流變化率是V/L圖2-4電感的端子電壓是V時,電感L上所流通的電流變化率就是V/L2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P11反馳式轉換器電源穩定器返馳式轉換器由圖2-10(a)所表示的,升降壓式轉換器衍生來的如圖2-10(b)表示的。圖2-11表示將圖2-10(b)的二線圈式電感以它的等效電路來表示。返馳式轉換器,它輸入和輸出之間,並沒有安全的隔離裝置。通常轉換式電源供應器裡,常用的隔離元件是變壓器(Transformer)。也就是說,在電路圖中出現的是變壓形式,但是它的動作狀態卻是扼流圈(Choke)形式,所以就直稱它是變壓器扼流圈(TransformerChoke)。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P12圖2-10返馳式轉換器2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P13圖2-11返馳式轉換器的電路模式:(a)開關導通(b)開關截止2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P14變壓器模型及參數計算返馳式轉換器變壓器—扼流圈,其僅在B-H特性曲線的單一方向來做轉換運動,因此在設計變壓器—扼流圈時不可設計於飽和工作狀態,使用的鐵心(Core),需有較大的體積並且有空氣間隙(airgap)。有效的變壓器—扼流圈的體積大小為:Volume=u0ueIL2maxLout/B2max在此ILmax:負載電流所決定ue:鐵心材料的相對導磁率(permeability)Bmax:鐵心的最大磁通密度我們在選擇相對導磁率時,必須選擇足夠大,以避免鐵心會有溫度升高的情形發生,由於對鐵心與繞線尺寸大小的限制,因此會產生銅損失與鐵心損失(copperandcorelosses)。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P15在返馳式轉換器中,對變壓器—扼流圈來說有二種可能的操作模式:(1)整個能量轉移,在電晶體開關轉換至ON狀態時,所有儲存在電感器—變壓器的能量會轉換至次級圈。(2)不完全的能量轉移,在電晶體開關轉換至ON狀態前,並非所有儲存在電感器—變壓器的能量會轉移至次級圈,在圖3-1,3-2所示為此二種操作模式的波形。圖3-1此電壓與電流的波形描圖3-2此波形則描述不完述返馳式變壓器-扼流圈整全能量轉移的關係個能量轉移的關係2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P16在轉換電晶體的on期間裏,整個能量轉移波形中具有較高的峰值集極電流,也就是因為相對地低的初級電感值,而使此電流值升高,所需付出代價是增加了繞組損失(windinglosses)與輸入電容器漣波電流。所以,同樣地轉換電晶體必須有高電流的承載能力,才能忍受此峰值電流。在另一方面,不完全的能量轉移模式中,所呈現的是較低峰值轉換電晶體集極電流,而所付出的代價是當電晶體開關於on狀態時,會產生較高的集極電流值,因此導致電晶體高功率的消耗,然而為了達成此模式的操作,相對地就需要較高的變壓器—扼流圈初級電感值。再變壓器鐵心中所儲存的殘餘能量則假定不完全能量轉移變壓器—扼流圈的體積會較完全能量轉移的體積為大,而所有其他的係數是相等的。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P17轉換式電源穩定器電路之結構4.1主要電路圖圖4.1主要電路圖2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P18在圖4.1電路裡輸入線電壓110Vac經整流和提供平滑的直流電壓。電源最初應用在電路時,使IC1的輸出,功率MOSFETQ1開始Turnon。在Q1的及時期間,能量存儲在變壓器T的空氣隙裡。這個時候輸出線圈的極性,和輸出整流器相反的,不轉移和沒有任何能量的輸出。由一個R10,電阻檢測了首要的電流,在IC1裡面與一個固定的1伏特參考比較。當到達這個位準時,Q1開始Turnoff,並且所有變壓器線圈的極性倒轉,輸出整流器提前偏壓,把存儲的能量轉移到輸出電容器。這個存儲和釋放的動作許多週期,來輸出電壓。從輸出+5V接迴受電壓對誤差放大器透過電壓分發器,供給電壓和IC1(腳2)與一個2.5v內部參考電壓作比較,來穩定輸出電壓。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P19結論一般變壓器的操作,它的效率都非常高,不管是提高或降低輸出電壓,都和圈數比成比例變化。也就是變壓器的初級圈和次級圈的電壓比和圈數比之間成正比。變壓器最重要且最有用的特性,就是提供初級和次級之間電器上的隔離。本研究的返馳式轉換器在磁路上有空氣間隙存在,磁滯迴路曲線上就會有傾斜現象產生。因此,高磁化力的情況下,可以減少鐵心飽和的可能性。大多數的磁性材料,都能用來設計高頻的功率變壓器,陶鐵磁材料,目前幾乎都使用它來作轉換器的設計。陶鐵磁沒有很高的操作磁通密度,大多數陶鐵磁的Bsat值由3000G至5000G。不過,它可以提供在高頻下低的鐵心損失,良好的繞組耦合和組合的方便。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P20選擇適當的鐵心有二個以上的設計參數,是非常重要的,其中之一是鐵心的繞組面積或是捲線軸的繞組面積。此值必須選得足夠大,才能承載適當的繞線尺寸,而將繞組損失減至最小值。另外一個就是鐵心的功率容許值。鐵心的幾何形狀用於特定的應用,全視功率的需求而定,其中以E-E、E-I、E-C和Pot型式的鐵心是最受歡迎的形狀。返馳式轉換器的優點和缺點,優點最主要是比較簡單,價格便宜,這是因為變壓器本身就是一個扼流圈(Choker),可作為能量儲存之用。缺點在變壓器和輸出元件中,所流經之電流,則具有高漣波電流,所以效率會被減低。由於這種限制,一般返馳式轉換器,都設計在150W以下。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P21轉換器電源穩定器的轉換頻率,有逐漸增高的趨勢,通常由50KHz增至100KHz。近年來甚至MHz等級的轉換頻率電源,也已型製作,一但轉換頻率升高接近100KHz之後,它電壓器所能獲取的輸出,約和同一尺吋的頻率比的平方根倍數相當,它的扼流圈的電感值和頻率成反比而下降。2019/8/5南台科技大學電力電子實驗室P22參考文獻【1】鄭振東,轉換式電源穩定器設計要訣,建興出版社,民國86年。【2】江炫樟,電力電子學,全華圖書出版社,民國87年。【3】鄭培璿,電力電子分析與模擬,全華圖書出版社,民國91年。【4】B.K.Bose,“PowerElectronics-ATechnologyreview,”ProceedingsoftheIEEE,Vol.80,No.8,August1992,pp.1303-1334.【5】E.Ohno,“TheSemiconduct6orEvolutioninJapan-AFourDecadeLongMaturityThrivingtoanIndispensableSocialStanding,”ProceedingsoftheInternationalPowerElectronicsConference(Tokyo),1990,vol.1,pp.1-10.【6】M.Nishihara,“PowerElectronicsDiversity,”ProceedingsoftheInternationalPowerElectronicsConference,Tokyo,1990,vol.1,pp.21-28.【7】R.SittigandP.Roggwiller(eds.),SemiconductorDevicesforPowerConditioning,Plenum,NewYork,1982.【8】M.S.Adler,S.W.Westbrook,andA.J.Yerman,“PowerSemiconductorDevices-AnAssessment,”IEEEIndustryApplicationsSocietyConferenceRecord,1980,pp.723-728.【9】B.JayantBaliga,ModernPowerDevices,JohnWiley&Sons,Inc,NewYork.1987.【10】User'sGuidetoMOSControlledThyristers,HarrisSemiconductor,1993.【11】P.M.Camp,“InputCurrentAnalysisofMoto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