中国的“芯”路历程——中国集成电路发展历程回顾

73国际观察OBSERVATION漫漫“芯酸”路1949年新中国成立的时候，美国已经在世界第一工业大国的宝座上，稳坐了50年。而中国，是个连汽油铁皮桶都无法生产的落后农业国。全国五亿多人口中，80%以上是文盲，农村文盲率超过95%。就是在这样的巨大差距下，中国亿万人民在共产党毛主席领导下，开始了艰苦卓绝的工业追赶进程，创造了世界历史上的经济奇迹。中国电子工业发展，1950年抗美援朝战争爆发后，为解决军队电子通信问题，国家成立电信工业管理局，在北京酒仙桥筹建北京电子管厂（即现在的北京京东方），由民主德国（东德）提供技术援助。该厂总投资1亿元，年产1220万只，是亚洲最大的电子管厂。除此之外，酒仙桥还建起了规模庞大的北京电机总厂、华北无线电器材联合厂（下辖706、707、718、751、797、798厂）、北京有线电厂（738厂）、华北光电技术研究所等单位。1956年国家提出“向科学进军”，国务院制定科技发展12年规划，将电子工业列为重点发展目标。中国科学院成立了计算技术研究所（中科院计算所）。为了培养电子工业人才，教育部集中全国五所大学的科研资源，在北京大学设立半导体专业。1957年毕业的第一批学生中，出现了大批人才。如中芯国际董事长王阳元、华晶集团总工程师许居衍、电子工业部总工程师俞忠钰。1958年，上海组建华东计算技术研究所，及上海元件五厂、上海电子管厂、上海无线电十四厂等企业。使上海和北京，成为中国电子工业的南北两大基地。1960年中国科学院成立半导体研究所，同年组建河北半导体研究所（现为中电集团第13所），进行工业技术攻关。1962年由中科院半导体所，组建全国半导体测试中心。1963年中央政府组建第四机械工业部，主管全国电子工业。1966年，中国电子工业得到快速发展，北京酒仙桥电子工业区基本成型。电子工业开始与纺织、印染、钢铁等行业结合，实现自动化生产。1968年，北京组建国营东光电工厂（878厂），上海组建无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国集成电路产业中的“南北两霸”。其中北京878厂主要生产TTU电路、CMOS钟表电路及A/D转换电路。上海无线电19厂，主要生产TTL、HTL数字集成电路，是中国最早生产双极型数字集成电路的专业工厂。1977年四机部投资300万元，建设6000平方米集成电路洁净车间。到1990年该厂累计生产509种集成电路，产量4120万块，产值3.25亿元。该厂后来合资为上海飞利浦半导体。1968年，国防科委在四川永川县，成立固体电路研究所（即永川半导体研究所，解放军1424研究所，现中电集团24所）。这是中国中国的“芯”路历程——中国集成电路发展历程回顾曹永胜中国军转民7475国际观察OBSERVATION国际观察OBSERVATION唯一的模拟集成电路研究所。同年上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路。拉开了中国发展MOS集成电路的序幕。1970年代永川半导体研究所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后又研制成CMOS电路。至1990年底，上无十四厂累计产量为3340万块（后来合资成为上海贝岭半导体）。1972年美国总统尼克松访华后，中国从欧美大量引进技术。由于集成电路产品利润丰厚，全国有四十多家集成电路厂建成投产。包括四机部下属的749厂（甘肃天水永红器材厂）、871厂（甘肃天水天光集成电路厂）、878厂（北京东光电工厂）、4433厂（贵州都匀风光电工厂）和4435厂（湖南长沙韶光电工厂）等。各省市另外投资建设了大批电子企业。1973年8月26日，中国第一台每秒运算100万次的集成电路电子计算机-105机，由北京大学、北京有线电厂、燃料化学工业部等单位协助研制成功。1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1KDRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。那时韩国、台湾根本就没有电子工业科研基础。也就是说，如果延续发展路线和势头，中国在电脑和集成电路产业应该在不长的时间内就能与美国齐头并进，甚至赶超美国。80年代起被日韩台赶超1973年，借着中美关系缓和及欧美石油危机的机会，中国希望从欧美国家，引进七条3英寸晶圆生产线，是当时世界最先进技术。这要比台湾早2年，比韩国早4年，那时候台湾与韩国还没有电子工业科研基础。1975年美国英特尔才开始建设世界第一座4英寸（100mm）晶圆厂。但是由于欧美技术封锁，中国国内政治变故，最终拖了七年，中国才得以引进三条已经落后的3英寸晶圆生产线，分别投资在北京国营东光电工厂（878厂），航天部陕西骊山771研究所（西安微电子研究所），和贵州都匀风光电工厂（4433厂）。其中北京878厂的3寸晶圆生产线，直至1980年才建成，已经比台湾晚了3年，比韩国晚2年。1975年，就在台湾刚刚向美国购买3英寸晶圆厂时，中国大陆已经完成了DRAM核心技术的研发工作。北京大学物理系半导体教研室（成立于1956年，现北大微电子研究院），由王阳元领导的课题组，完成硅栅P沟道、铝栅N沟道和硅栅N沟道三种技术方案。在中科院北京109厂（现为中科院微电子研究所），采用硅栅N沟道技术，生产出中国第一块1KDRAM。这一成果尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国、台湾要早四五年。直至1980年前后，韩国、台湾才在美国技术转移下，获得了DRAM技术突破，瞬间反超中国大陆。韩国直接从16K起步，台湾从64K起步。1978年10月，中国科学院成立半导体研究所，研制4KDRAM，次年在中科院109厂投入批量生产（比美国晚六年）。1981年中科院半导体所又研制成功16KDRAM（比韩国晚两年）。1982年，江苏无锡江南无线电器材厂（742厂），耗资6600万美元，从日本东芝引进3英寸晶圆生产线（5微米制程，月产能1万片），生产电视机集成电路。1985年，该厂制造出中国第一块64KDRAM（比韩国晚一年）。1993年，已经改组的无锡华晶电子公司（原无锡742厂），制造出中国第一块256KDRAM（比韩国晚七年）。从上述历史，我们可以明显看出，在欧美技术封锁，以及1980年后，中国大陆减少电子产业投资的情况下，中国DRAM产业从领先韩国、台湾，然后迅速被韩国、台湾反超。尤其是韩国在美国刻意扶植下，依靠20亿美元左右的巨额疯狂投资，在DRAM产业取得了显著成果。洋跃进——800亿美元疯狂计划1977年中国的外汇储备还有9亿多美元，7月份国家计委提出，今后八年花费65亿美元从国外进口技术设备，重点发展石油化学工业，其中只有一个陕西咸阳显像管厂是电子项目。政治局讨论时，提出可以花100亿美元进口设备，提高中国石油、煤炭和轻工业产量，以赚取更多外汇。8月，国家计委将进口项目提高到150亿美元规模。1978年6月份，政治局再次听取政府工作报告，有种主张：同国外做生意，搞买卖，搞大一点，什么150亿，搞它500亿。500亿美元的规模。7月上旬，国家计委初步整理，汇总了一个850亿美元的方案，其中400亿引进外资。1978年中国的财政收入为1132亿元，光是一个上海宝钢项目就要投资300亿元，根本不是中国国力所能负担的。没钱怎么办？1979年中国人民银行增加了50亿元人民币的供应量。同时期，开始给工人涨工资、提高粮食收购价，给老革命家们盖住所、换进口小轿车，提高福利待遇。1979年全国在建的大中型项目有1100多个，财政赤字170.6亿元。1980年又新增了1100多项，财政赤字127亿元。上述项目全部建成，还需要投资1300亿元。为了弥补财政亏空，1980年央行又增印了78.5亿元钞票。1978年中国全社会的流通现金仅有229.59亿元，到1985年已经暴增至839亿元。光是1984年的钞票供应增幅，就高达惊人的39%。连年狂印钞票引发恶性通货膨胀。许多物价都至少翻番，高档烟酒等民用消费品价格，甚至直接上涨10倍，以致一些城市出现了“抢购囤积风潮”。为了控制宏观经济的严重混乱局面，压缩投资金额。1980年中央一下子停建缓建了400多个大中型项目，1981年又停缓建了22个大型项目。其中就包括上海宝钢、十堰二汽、大庆30万吨乙烯等战略工程。盲目贪大求洋给中国经济带来中国军转民7475国际观察OBSERVATION国际观察OBSERVATION唯一的模拟集成电路研究所。同年上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路。拉开了中国发展MOS集成电路的序幕。1970年代永川半导体研究所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后又研制成CMOS电路。至1990年底，上无十四厂累计产量为3340万块（后来合资成为上海贝岭半导体）。1972年美国总统尼克松访华后，中国从欧美大量引进技术。由于集成电路产品利润丰厚，全国有四十多家集成电路厂建成投产。包括四机部下属的749厂（甘肃天水永红器材厂）、871厂（甘肃天水天光集成电路厂）、878厂（北京东光电工厂）、4433厂（贵州都匀风光电工厂）和4435厂（湖南长沙韶光电工厂）等。各省市另外投资建设了大批电子企业。1973年8月26日，中国第一台每秒运算100万次的集成电路电子计算机-105机，由北京大学、北京有线电厂、燃料化学工业部等单位协助研制成功。1975年，北京大学物理系半导体研究小组，由王阳元等人，设计出我国第一批三种类型的（硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS）1KDRAM动态随机存储器，它比美国英特尔公司研制的C1103要晚五年，但是比韩国、台湾要早四五年。那时韩国、台湾根本就没有电子工业科研基础。也就是说，如果延续发展路线和势头，中国在电脑和集成电路产业应该在不长的时间内就能与美国齐头并进，甚至赶超美国。80年代起被日韩台赶超1973年，借着中美关系缓和及欧美石油危机的机会，中国希望从欧美国家，引进七条3英寸晶圆生产线，是当时世界最先进技术。这要比台湾早2年，比韩国早4年，那时候台湾与韩国还没有电子工业科研基础。1975年美国英特尔才开始建设世界第一座4英寸（100mm）晶圆厂。但是由于欧美技术封锁，中国国内政治变故，最终拖了七年，中国才得以引进三条已经落后的3英寸晶圆生产线，分别投资在北京国营东光电工厂（878厂），航天部陕西骊山771研究所（西安微电子研究所），和贵州都匀风光电工厂（4433厂）。其中北京878厂的3寸晶圆生产线，直至1980年才建成，已经比台湾晚了3年，比韩国晚2年。1975年，就在台湾刚刚向美国购买3英寸晶圆厂时，中国大陆已经完成了DRAM核心技术的研发工作。北京大学物理系半导体教研室（成立于1956年，现北大微电子研究院），由王阳元领导的课题组，完成硅栅P沟道、铝栅N沟道和硅栅N沟道三种技术方案。在中科院北京109厂（现为中科院微电子研究所），采用硅栅N沟道技术，生产出中国第一块1KDRAM。这一成果尽管比美国、日本晚了四五年，但是比韩国、台湾要早四五年。直至1980年前后，韩国、台湾才在美国技术转移下，获得了DRAM技术突破，瞬间反超中国大陆。韩国直接从16K起步，台湾从64K起步。1978年10月，中国科学院成立半导体研究所，研制4KDRAM，次年在中科院109厂投入批量生产（比美国晚六年）。1981年中科院半导体所又研制成功16KDRAM（比韩国晚两年）。1982年，江苏无锡江南无线电器材厂（742厂），耗资6600万美元，从日本东芝引进3英寸晶圆生产线（5微米制程，月产能1万片），生产电视机集成电路。1985年，该厂制造出中国第一块64KDRAM（比韩国晚一年）。1993年，已经改组的无锡华晶电子公司（原无锡742厂），制造出中国第一块256KDRAM（比韩国晚七年）。从上述历史，我们可以明显看出，在欧美技术封锁，以及1980年后，中国大陆减少电子产业投资的情况下，中国DRAM产业从领先韩国、台湾，然后迅速被韩国、台湾反超。尤其是韩国在美国刻意扶植下，依靠20亿美元左右的巨额疯狂投资，在DRAM产业取得