硅片缺陷判定标准(合格标准)

硅片检验判定标准2009年2月9日洛阳尚德太阳能电力有限公司•部分内容为收集相关信息后所形成，由于对上游行业的认识不足，不全面或错误之处，敬请指正•本材料仅作为洛阳尚德和硅片供应商互相交流之用途，缺陷表现形式较多，图片中仅为典型缺陷，并不能代表全部之缺陷•由于检验标准在不同的时间段会根据市场、客户、生产等方面进行变更，该版本中内容会有所变化，具体标准根据每批硅片合同之条款执行•内部资料，仅做交流，请勿转载1-1.缺角（外观）描述：表现为硅片边角处的缺口，一般表现为缺了一个角或其他角也有缺失接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-2.碎片（外观）描述：表现为硅片整体破碎，破碎面积接近整体的1/2接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-3.裂纹（外观）描述：表现为硅片边缘、中间或者对角上有线形延伸裂开接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-4.孔洞／针孔（外观）描述：表现为硅片表面大小不等的小孔,有未贯穿两面的和有贯穿两面的孔接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-5.孪晶（外观）描述：表现为单晶硅片两面同一位置有两种晶体接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-6.亮线（外观）描述：单晶硅片上面有一条贯穿两面的明显亮线描述接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-7.油污片（外观）描述：表现为硅片表面附着的异物接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-8.硅晶脱落（外观）描述：表现为硅片表面出现不同形状晶粒脱落呈现浅坑未贯穿两面的现象接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-9.崩边（外观）描述：表现为硅片边缘呈现锯齿状或硅片边缘破损未贯穿两面接收基准：无此现象存在不良图片检验动作1-10.边缘翘曲（外观）描述：表现为晶片边缘微微上翘卷曲接收基准：延伸的长度≤1mm处，翘曲度≤0.075mm不良图片检验动作1-11.弯曲片（外观）描述：硅片呈现出弯曲状接收基准：弯曲度≤0.075mm不良图片检验动作1-12.锯痕（外观）描述：表现为硅片单面或两面垂直边缘的凹线或凸线接收基准：硅片表面凹进或凸出≤20um不良图片检验动作1-13.台阶（外观）描述：表现为硅片表面或局部呈台阶状凹凸不平接收基准：凹凸度≤20um不良图片检验动作2-1.外形片（外形尺寸）描述：表现为晶体倒角为不规则的弧度，在倒角边缘可以看到金属光泽的边接收基准：不规则弧度≤0.5mm不良图片检验动作2-2.倒角偏差（外形尺寸）描述：硅片四条倒角不呈现中心对称的现象；表现为硅片在翻转过程中各倒角不能对齐接收基准：任意一角缩进的最大值≤0.5mm不良图片检验动作2-3.梯形片（外形尺寸）描述：硅片四条边呈现出梯形；表现为硅片翻转过程中各边不能对齐，一面尺寸合格,另一面尺寸偏大或偏小接收基准：≤0.5mm不良图片检验动作2-4.菱形片（外形尺寸）描述：硅片四条边呈现出菱形；表现为硅片翻转过程中各边不能对齐接收基准：任意一条边以测量最大值≤0.5mm不良图片检验动作2-5.尺寸不良（外形尺寸）描述：对硅片测量出的长度超出要求的尺寸范围；表现为尺寸偏大或偏小接收基准：尺寸偏差范围±0.5mm不良图片检验动作2-6.TTV（外形尺寸）描述：TV：硅片中心点厚度，表现为一批硅片的厚度分布情况必须符合±3σ正态分布TTV：总厚度误差，是取硅片边缘上下左右4点和中心点5个点，最厚和最薄的误差，表现为一片硅片有地方厚有地方薄接收基准：≤20um≤10umTTVTV仅适用于标称厚度180um的硅片≤15%*硅片标称厚度≤20umTTVTV仅适用于标称厚度在200um以上的硅片3-1.P/N型（材料性质）描述：表现为硅片的导电类型为N型接收基准：P型3-2.电阻率（材料性质）描述：表现硅片电阻率特性及批次硅片电阻率的分布及单片不均刀度（测试位置为硅片中心点与四个角上距离两边1cm的四个点）接收基准：掺硼：目标电阻率为2Ω·cm，可接收电阻率为1-3Ω.cm，单片电阻率不均刀性15%掺镓：目标电阻率为3Ω·cm，可接收电阻率为0.3Ω·cm～0.5Ω·cm，0.5Ω·cm～3Ω·cm3Ω·cm～6Ω·cm，电阻率不均刀性参考掺硼单晶片。3-3.少子寿命（材料性质）描述：表现为原始硅片体少数载流子从产生到复合的平均时间接收基准：硅棒少子寿命≥10us（此寿命为硅棒切片前的少子寿命）；钝化后少子寿命最低值≥10us，整批30us占70%3-4.光致衰减（材料性质）描述：硅材料中过量的氧和硼元素形成的复合体会导致太阳能电池的效率衰减接收基准：电池片在25℃的室温中，光强不低于800W/m^2，光照5小时（光照过程中电池温度不超过80℃），大于1%的相对效率衰减将被认为硅材料性能不合格所致。THANKYOU谢谢