PN结的单向导电性

上页下页后退模拟电子技术基础《模拟电子技术》微课课件上页下页后退模拟电子技术基础在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------复习：PN结的形成上页下页后退模拟电子技术基础PN结空间电荷层N++++++++++++++++++++++++++++++++++++--P----------------------------------形成内电场内电场方向复习：PN结的形成上页下页后退模拟电子技术基础PN结形成过程动画演示上页下页后退模拟电子技术基础1.1.2PN结的单向导电性1．PN结正向偏置2．PN结反向偏置上页下页后退模拟电子技术基础------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE内++++++1．PN结正向偏置上页下页后退模拟电子技术基础------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE内++++++内电场被削弱PN结变窄PN结呈现低阻、导通状态多子进行扩散上页下页后退模拟电子技术基础PN结正偏动画演示上页下页后退模拟电子技术基础内电场增强PN结变宽PN结呈现高阻、截止状态不利多子扩散有利少子漂移------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE内++++++2．PN结反向偏置上页下页后退模拟电子技术基础因少子浓度主要与温度有关，反向电流与反向电压几乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。------PN++++++------------------------------++++++++++++++++++++++++RSE内++++++2．PN结反向偏置上页下页后退模拟电子技术基础PN结反偏动画演示上页下页后退模拟电子技术基础总结：1.PN结正向偏置时，PN结变窄；多子的扩散运动加强，少子漂移运动减弱；PN结呈导通状态。2.PN结反向偏置时，PN结变宽；多子的扩散运动减弱，少子漂移运动加强；PN呈截止状态。3.PN结反偏时，反向饱和电流为IS课后作业：教材P23/1-1(4)~(7)