模拟电子技术第一章

1.1半导体基础知识1.2半导体二极管1.3半导体三极管1.4场效应管本章目录点击即可进入学习习题解答总目录模拟电子技术第一章上页首页下页一、半导体及其导电特性在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体。典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。sisi硅原子Ge锗原子Ge+4+4硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。1.1半导体基础知识模拟电子技术第一章上页首页下页本征半导体的共价键结构束缚电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。（一）本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。模拟电子技术第一章上页首页下页这一现象称为本征激发，也称热激发。当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。模拟电子技术第一章上页首页下页在热力学温度零度和没有外界激发时,本征半导体不导电。把纯净的没有结构缺陷的半导体单晶称为本征半导体。它是共价键结构。本征半导体的共价键结构硅原子价电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4模拟电子技术第一章上页首页下页可见本征激发同时产生电子空穴对。与本征激发相反的现象——复合在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。常温300K时：电子空穴对的浓度硅：310cm104.1锗：313cm105.2自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4空穴电子空穴对模拟电子技术第一章上页首页下页导电机制：在外电场作用下，电子和空穴均能参与导电。模拟电子技术第一章上页首页下页（二）杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。1.N型半导体在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等，称为N型半导体。模拟电子技术第一章上页首页下页N型半导体多余电子磷原子硅原子+4+4+4+4+4+4+4+4+5多数载流子——自由电子少数载流子——空穴++++++++++++N型半导体施主离子自由电子电子空穴对在硅或锗的晶体中掺入少量的五价元素,如磷,则形成N型半导体。模拟电子技术第一章上页首页下页在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。空穴硼原子硅原子+4+4+4+4+4+4+3+4+4多数载流子——空穴少数载流子——自由电子－－－－－－－－－－－－P型半导体受主离子空穴电子空穴对2.P型半导体模拟电子技术第一章上页首页下页杂质半导体的示意图++++++++++++N型半导体多子—电子少子—空穴－－－－－－－－－－－－P型半导体多子—空穴少子—电子少子浓度——与温度有关多子浓度——与温度无关模拟电子技术第一章上页首页下页二、PN结（一）PN结的形成P型半导体+－+－N型半导体+++++－++－－++－+－－－－－－内电场E多子扩散电流少子漂移电流耗尽层用专门的制造工艺在同一块半导体单晶上,形成P型半导体区域和N型半导体区域,在这两个区域的交界处就形成了一个PN结。模拟电子技术第一章上页首页下页PN结的形成动画演示模拟电子技术第一章上页首页下页（二）PN结的单向导电性模拟电子技术第一章上页首页下页1.加正向电压（正偏）—电源正极接P区，负极接N区外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场→耗尽层变窄→扩散运动＞漂移运动→多子扩散形成正向电流IF－－－－－－－++++－+++－+P型半导体－－++N型半导体+－+WER空间电荷区内电场E正向电流模拟电子技术第一章上页首页下页2.加反向电压——电源正极接N区，负极接P区外电场的方向与内电场方向相同。外电场加强内电场→耗尽层变宽→漂移运动＞扩散运动→少子漂移形成反向电流IR+－－－+－－内电场++－++－E+－EW－－+－空间电荷区+－R+++IRPN在一定的温度下，由本征激发产生的少子浓度是一定的，故IR基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。但IR与温度有关。模拟电子技术第一章上页首页下页PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。PN结的单向导电性小结模拟电子技术第一章上页首页下页（三）PN结的伏安特性曲线及表达式根据理论推导，PN结的伏安特性曲线如图正偏IF（多子扩散）IR（少子漂移）反偏反向饱和电流反向击穿电压反向击穿热击穿——烧坏PN结电击穿——可逆模拟电子技术第一章上页首页下页)1(eTSUuIi根据理论分析：u为PN结两端的电压降i为流过PN结的电流IS为反向饱和电流UT=kT/q称为温度的电压当量其中k为玻耳兹曼常数1.38×10－23q为电子电荷量1.6×10－9T为热力学温度对于室温（相当T=300K）则有UT=26mV。当u0uUT时1eTUuTeSUuIi当u0|u||UT|时1eTUuSIi模拟电子技术第一章上页首页下页（四）PN结的电容效应当外加电压发生变化时，耗尽层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。(1)势垒电容CB空间电荷区－－W－++－－－+R+E++PN模拟电子技术第一章上页首页下页(2)扩散电容CD当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。+－NPpLx浓度分布耗尽层NP区区中空穴区中电子区浓度分布nL电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来极间电容（结电容）模拟电子技术第一章上页首页下页1.2半导体二极管二极管=PN结+管壳+引线NP结构符号阳极+阴极-一、二极管的基本结构和符号正极引线触丝N型锗支架外壳负极引线PN结模拟电子技术第一章上页首页下页二极管按结构分三大类：(1)点接触型二极管PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。N型锗正极引线负极引线外壳金属触丝模拟电子技术第一章上页首页下页(3)平面型二极管用于集成电路制造工艺中。PN结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管PN结面积大，用于工频大电流整流电路。SiO2正极引线负极引线N型硅P型硅负极引线正极引线N型硅P型硅铝合金小球底座模拟电子技术第一章上页首页下页半导体二极管图片模拟电子技术第一章上页首页下页半导体二极管的型号国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。模拟电子技术第一章上页首页下页二、半导体二极管的V—A特性曲线硅：0.5V锗：0.1V(1)正向特性导通压降反向饱和电流(2)反向特性死区电压iu0击穿电压UBR实验曲线uEiVmAuEiVuA硅：0.7V锗：0.3VIs模拟电子技术第一章上页首页下页三、二极管的主要参数(1)最大整流电流IOM——二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大整流电流的平均值。(2)反向击穿电压UBR———二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。(3)反向电流IR——在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。模拟电子技术第一章上页首页下页（4）反向工作峰值电压URWM（5）反向峰值电流IRM例1：下图中，已知VA=3V，VB=0V，DA、DB为锗管，求输出端Y的电位并说明二极管的作用。解：DA优先导通，则VY=3–0.3=2.7VDA导通后,DB因反偏而截止,起隔离作用,DA起钳位作用,将Y端的电位钳制在+2.7V。DA–12VYABDBR二极管的应用范围很广,它可用与整流、检波、限幅、元件保护以及在数字电路中作为开关元件。模拟电子技术第一章上页首页下页DE3VRuiuouRuD例2：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管（忽略管压降），ui=6sintV,E=3V,试画出uo波形。ttui/Vuo/V6330022–6模拟电子技术第一章上页首页下页t6302例3：双向限幅电路t03–3DE3VRDE3VuiuouRuDui/Vuo/V模拟电子技术第一章上页首页下页t63.702例3：双向限幅电路t03.7–3.7DE3VRDE3VuiuouRuDui/Vuo/V考虑管压降模拟电子技术第一章上页首页下页四.二极管的模型IR10VE1kΩ)1(eTSUuIiD—非线性器件iu0iuR—线性器件Riu模拟电子技术第一章上页首页下页二极管的模型理想二极管模型ui正偏反偏-+iu导通压降二极管的V—A特性-+iuiu0模拟电子技术第一章上页首页下页二极管的模型iuDU+-uiDUDU串联电压源模型DUuDUuUD二极管的导通压降。硅管0.7V；锗管0.3V。导通压降二极管的V—A特性-+iuiu0模拟电子技术第一章上页首页下页由伏安特性折线化得到的等效电路IUrD/(a)理想二极管(b)正向导通时端电压为常数(c)正向导通时端电压与电流成线性关系二极管的模型模拟电子技术第一章上页首页下页二极管的微变等效电路图DTdddIUiur//动态电阻：小信号线性化静态工作点电流模拟电子技术第一章上页首页下页当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数稳定电压五、稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管+-DZiuUZ△I△UIzminIzmax正向同二极管反偏电压≥UZ反向击穿＋UZ－模拟电子技术第一章上页首页下页稳压二极管的主要参数(1)稳定电压UZ——(2)动态电阻rZ——在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。rZ=U/IrZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。(3)最小稳定工作电流IZmin——保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。(4)最大稳定工作电流IZmax——超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。iuUZ△I△UIzminIzmax模拟电子技术第一章上页首页下页1.3半导体三极管半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（BipolarJunctionTransistor,简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。模拟电子技术第一章上页首页下页一、BJT的结构NPN型PNP型符号:---bce---ebc三极管的结构特点:（1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。（2）基区要制造得很薄且浓度很低。--NNP发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极--PPN发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极模拟电子技术第一章上页首页下页N型硅二氧化硅保护膜BECN+P型硅（a）平面型N型锗ECB铟球铟球PP+（b）合金型模拟电子技术第一章上页首页下页NPN型三极管集电区集电结基区发射结发射区NN集电极C基极B发射极E再强化一下三极管的结构分类和符号PECB符号模拟电子技术第一章上页首页下页集电区集电结基区发射结发射区CBEN集电极C发射极E基极BNPPNPNP型三极管符号模拟电子技术第一章上页首页下页UCEECRCICCEBUBE共发射极接法放大电路二、三极管的电流分配和放大原理三极管具有电流控制作用的外部条件:（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。对于NPN型三极管应满足:UBE0UBC0即VCVBVE对于PNP型三极管应满足:UEB0UCB0即VCVBVE输出回路输入回路公共端EBRBIB模拟电子技术第一章上页首页下页三极管在工作时要加上适当的直流偏置电压。若在放