同轴电缆衰减计算

同轴电缆衰减计算同轴电缆衰减计算同轴电缆衰减计算同轴电缆衰减计算高频下同轴电缆的衰减高频下同轴电缆的衰减高频下同轴电缆的衰减高频下同轴电缆的衰减：：：：α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(α=2.61*(f*ε)^0.5*(K2*Kρ1/d+Kb*Kρ2/D)*10^(----3)/lg((D+1.3)/lg((D+1.3)/lg((D+1.3)/lg((D+1.5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(5*dw)/(K1*d))+9.10*f*ε^0.5*tgδ*10^(----5)(5)(5)(5)(分贝分贝分贝分贝////公里公里公里公里))))f：频率（Hz）ε：绝缘相对介电常数（实心PE-2.3；PVC-5~7；Nylon-3.5；Paper-2.0~2.6；PP-2.6；FEP-2~2.2；空气-1.0）D：绝缘外径（mm）d：内导体直径（mm）tgδ：绝缘介质损耗角正切值（空气-0；PE-0.0005；PVC-0.05；FEP-0.0002；Nylon-0.009；PP-0.0007）K1：内导体直径系数K2：内导体衰减的绞线系数Kb：外导体为编织是引起高频电阻增大的编织效应系数=1.5+0.083*DKρ1：内导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数Kρ2：外导体相对于国际标准软铜的高频电阻增大或减小的系数dw：编织用导线直径（mm）第一项为金属损耗造成的衰减，第二项为介质损耗造成的衰减，频率超过几兆赫时不大于总衰减的1%。当频率超过几十兆赫时，导体表面发生氧化会产生一种新的损耗--视在介质损耗，氧化层很薄（约几微米），频率低时（几兆赫以下），电流透入深度（见相关帖子）有几十微米，电流在氧化层流通的部分较小，氧化产生的影响不大；但频率高于几十兆赫时，投入深度较小，大部分电流在氧化层传输，氧化层的电阻率大于导体，使衰减增大，因此要尽可能的消除金属氧化。