BP2866B-CN-DS-Rev.1.0

BP2866B非隔离降压型LED恒流驱动芯片BP2866B_CN_DS_Rev.1.0–CustomerUseOnly晶丰明源半导体概述BP2866B是一款高精度降压型LED恒流驱动芯片。芯片工作在电感电流临界连续模式，适用于85Vac~265Vac全范围输入电压的非隔离降压型LED恒流电源。BP2866B芯片内部集成500V功率开关，采用专利的退磁检测技术和高压JFET供电技术，无需VCC电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了外围的成本和体积。BP2866B芯片内置高精度的电流采样电路，同时采用了专利的恒流控制技术，实现高精度的LED恒流输出和优异的线电压调整率。芯片工作在电感电流临界模式，输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。BP2866B具有多重保护功能，包括LED短路保护，芯片供电欠压保护，芯片温度过热调节等。BP2866B采用SOP7封装。典型应用特点无VCC电容、无启动电阻集成高压供电功能无需辅助绕组检测和供电宽输入电压±5%LED输出电流精度LED短路保护芯片供电欠压保护过热调节功能采用SOP7封装应用LED蜡烛灯LED球泡灯其它LED照明ACDRAINCSNC5631724HVGNDDRAINNC图1BP2866B典型应用图BP2866B非隔离降压型LED恒流驱动芯片BP2866B_CN_DS_Rev.1.0–CustomerUseOnly晶丰明源半导体定购信息定购型号封装温度范围包装形式打印BP2866BSOP7-40℃到105℃编带4,000颗/盘BP2866BXXXXXYYWXXXYYZ管脚封装图2管脚封装图管脚描述管脚号管脚名称描述1GND芯片地2,3NC无连接4HV芯片高压供电端5,6DRAIN内部高压功率管漏极7CS电流采样端，采样电阻接在CS和GND端之间XXXXXYY:lotcodeWXXX:标示YY：周号Z:芯片标识BP2866B非隔离降压型LED恒流驱动芯片BP2866B_CN_DS_Rev.1.0–CustomerUseOnly晶丰明源半导体极限参数(注1)符号参数参数范围单位HV500V芯片高压供电接口-0.3~500VDRAIN内部高压功率管漏极到源极峰值电压-0.3~500VCS电流采样端-0.3~6VIDMAX漏极最大电流@TJ=100℃750mAPDMAX功耗(注2)0.45WθJAPN结到环境的热阻145℃/WTJ工作结温范围-40to150℃TSTG储存温度范围-55to150℃ESD(注3)2KV注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX,θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。注3：人体模型，100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。推荐工作范围符号参数参数范围单位ILED1输出LED电流@Vout=72V(输入电压176V～265V)＜220mAILEDmax最大输出电流260mAVLEDmin最小负载LED电压28VBP2866B非隔离降压型LED恒流驱动芯片BP2866B_CN_DS_Rev.1.0–CustomerUseOnly晶丰明源半导体电气参数(注4,5)（无特别说明情况下，TA=25℃）符号描述条件最小值典型值最大值单位电源电压ICC芯片工作电流FOP=3.3kHz200300uA电流采样VCS_TH电流检测阈值368380392mVTLEB前沿消隐时间500nsTDELAY芯片关断延迟200ns内部时间控制TOFF_MIN最小退磁时间2.5usTOFF_MAX最大退磁时间220usTON_MAX最大开通时间40us功率管RDS_ON功率管导通阻抗VGS=10V/IDS=0.1A9ΩBVDSS功率管的击穿电压VGS=0V/IDS=250uA500VIDSS功率管漏电流VGS=0V/VDS=500V1uA过热调节TREG过热调节温度140℃注4：典型参数值为25˚C下测得的参数标准。注5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。BP2866B非隔离降压型LED恒流驱动芯片BP2866B_CN_DS_Rev.1.0–CustomerUseOnly晶丰明源半导体内部结构框图图3BP2866B内部框图应用信息BP2866B是一款专用于LED照明的恒流驱动芯片，应用于非隔离降压型LED驱动电源。采用专利的退磁检测技术和高压JFET供电技术，无需VCC电容和启动电阻，使其外围器件更简单，节约了外围的成本和体积。启动系统上电后，母线电压通过HV脚对芯片内部供电，当内部供电电压达到芯片开启阈值时，芯片内部控制电路开始工作。芯片正常工作时，所需的工作电流仍然通过内部的JFET对其提供。恒流控制，输出电流设置芯片逐周期检测电感的峰值电流，CS端连接到内部的峰值电流比较器的输入端，与内部400mV阈值电压进行比较，当CS电压达到内部检测阈值时，功率管关断。电感峰值电流的计算公式为：)(380PKmARICS其中，RCS为电流采样电阻阻值。CS比较器的输出还包括一个500ns前沿消隐时间。LED输出电流计算公式为：BP2866B非隔离降压型LED恒流驱动芯片BP2866B_CN_DS_Rev.1.0–CustomerUseOnly晶丰明源半导体2IIPKLED其中，IPK是电感的峰值电流。储能电感BP2866B工作在电感电流临界模式，当功率管导通时，流过储能电感的电流从零开始上升，导通时间为：LEDINPKonVVILt其中，L是电感量；IPK是电感电流的峰值；VIN是经整流后的母线电压；VLED是输出LED上的电压。当功率管关断时，流过储能电感的电流从峰值开始往下降，当电感电流下降到零时，芯片内部逻辑再次将功率管开通。功率管的关断时间为：LEDPKoffVILt储能电感的计算公式为：INPKLEDINLEDVIf)VV(VL其中，f为系统工作频率。BP2866B的系统工作频率和输入电压成正比关系，设置BP2866B系统工作频率时，选择在输入电压最低时设置系统的最低工作频率，而当输入电压最高时，系统的工作频率也最高。BP2866B设置了系统的最小退磁时间和最大退磁时间，分别为2.5us和300us。由tOFF的计算公式可知，如果电感量很小时，tOFF很可能会小于芯片的最小退磁时间，系统就会进入电感电流断续模式，LED输出电流会背离设计值；而当电感量很大时，tOFF又可能会超出芯片的最大退磁时间，这时系统就会进入电感电流连续模式，输出LED电流同样也会背离设计值。所以选择合适的电感值很重要。保护功能BP2866B内置多种保护功能，包括LED短路保护，芯片供电电压欠压保护，芯片温度过热调节等。当LED短路时，系统工作在3.3kHz低频，所以功耗很低。BP2866B通过过温调节电路检测芯片结温度，当结温度超过140℃时，芯片进入过温调节状态，逐渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使芯片温度控制在一定值，以提高系统的可靠性。当芯片结温达到160℃时，功率MOS管立刻被关断,直到结温度下降25℃后，系统才会退出过热保护状态，恢复到正常工作。PCB设计在设计PCB时，需要遵循以下指南：CS采样电阻电流采样电阻的功率地线尽可能短，且要和芯片的地线及其它小信号的地线分头接到母线电容的地HV引脚在焊接允许的情况下，HV引脚尽量远离CS引脚和其他低压引脚功率环路的面积减小功率环路的面积，如功率电感、功率管、母线电容的环路面积，以及功率电感、续流二极管、输出电容的环路面积，以减小EMI辐射。GND引脚增加GND引脚的铺铜面积以提高芯片散热。DRAIN引脚增加DRAIN引脚的铺铜面积以提高芯片散热。BP2866B非隔离降压型LED恒流驱动芯片BP2866B_CN_DS_Rev.1.0–CustomerUseOnly晶丰明源半导体封装信息