模拟电子电路考试卷

模拟电子电路一、填空题（每题2分，共20分）1.在一个单时间常数低通网络中，已知100Rk，10CpF，则该网络的3dB角频率为。2.对于一个电压放大器，当0.1IVV时，10OVV，则该放大器的VAdB。3.在CMOS集成电路设计中，NMOS的衬底应接在电路的最低电位，PMOS的衬底应接在电路的最高电位。4.当加入2KΩ的负载电阻后，电压放大器的输出电压减少了20%，则放大器的输出电阻为。5.BJT的共发射极特性曲线根据工作条件可以分为、、截止区和击穿区。6.差分放大器的功能是放大，抑制。7.采用电压混合的反馈放大器能够输入阻抗，采用电流采样的反馈放大器能够输出阻抗。（提高？降低？）8.一个负反馈系统的相位裕量为60°，则该系统工作状态，若相位裕量为-60°，则该系统工作状态。（稳定？不稳定？）9.B类功放的导通角为。10.考虑一个硅二极管，n=1，如果电流从0.1mA变到10mA，则电压变化。二、简答题。（每题5分，共20分）1.如图2-1所示，画出该电路高频小信号等效电路，并写出该电路的米勒等效输入电容Cin和上限频率Hf的表达式，假设mg，gsC，dsC已知。vsRSRGRDRL图2-12.如图2-2所示，求所标明的电压和电流值，其中二极管要求用恒压降模型替代，即0.7DVV。+9V-9V6K12KIVD1D2图2-2第1页共4页3.如图2-3所示，假设所有BJT均匹配，且β都很大，求图中标识的四个电流大小。R8.6K+5V-5VQ1Q6Q5Q4Q3Q8Q7Q2I1I3I2IREF图2-34.用一片理想运放设计实现123(25)ovvvv，要求所有电阻不小于10KΩ且不大于100KΩ。三、分析计算。（共60分）1.（15分）如图3-1所示，已知各个晶体管||0.7BEVV，12||||50AAVVV，150，2和3很大，求：1）假设Q2的集电结面积和Q3相等，求I的值；2）求vA，inR和oR的值。IVOvi+3V+3V2.3KQ1Q2Q3图3-1第2页共4页2.（10分）如图3-2所示电路，已知/50WL，2250/noxCAV，10AVV，恒流源I的输出电阻为200KΩ，求：1）差分输出时的差模增益dA；2）单端输出时的共模增益cmA和CMRR。I=0.5mA-1.5V+1.5Vvi1vi2Q1Q2RD4KRD4K-Vo+图3-23.（10分）在图3-3所示电路为B类功率放大电路，已知VCC=12V，RL＝8，忽略BJT的饱和压降，求：1）负载上可能得到的最大输出功率maxLP；2）每个管子允许的最大功耗maxDP为多少？3）输出功率为maxLP时放大电路的效率。+VCC-VCC+-viRL图3-34.（10分）考虑如图3-4所示的双稳态电路。1）推导门限电压THV和TLV的表达式，用运放的饱和电平L和L、电阻1R，2R和RV表示。2）设11LLV，110kR，求2R和RV的值，使得门限电压等于0和2.2V。VIVRVoR1R2图3-4第3页共4页5.（15分）如图3-5所示，运放开环增益为410，差模输入电阻100idRK，输出电阻100or，1）画出考虑负载效应后的基本放大电路图；2）求反馈系数β的值；3）求闭环增益fA，输入电阻inR，输出电阻outR的值。VIVO5K45KR1R2图3-5第4页共4页