模拟电子技术基础,课后习题答案

精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜模拟电子技术基础,课后习题答案篇一：模拟电子技术基础,课后习题答案模拟电子技术基础第一章1.1电路如题图1.1所示，已知ui?5sin?t?V?，二极管导通电压降UD?0.7V。试画出ui和uo的波形，并标出幅值。解：通过分析可知：(1)当ui?3.7V时，uo?3.7V(2)当?3.7V?ui?3.7V时，uo?ui(3)当ui??3.7V时，uo??3.7V总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2二极管电路如题图1.2所示。（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压UAO。解：对于（a）来说，二极管是导通的。采用理想模型来说，UAO??6V采用恒压降模型来说，UAO??6.7V对于（c）来说，二极管D1是导通的，二极管D2是截止的。采用理想模型来说，UAO?0采用恒压降模型来说，UAO??0.7V1.3判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流ID??精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜解：（b）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出：25?15?＝1.5V18?225?510U右＝15?＝1V140?10U左＝?10?故此二极管截止，流过的电流值为ID＝0（c）先将二极管断开，由KVL定律，二极管左右两端电压可求出：52＝2.5V，U左＝2.5?20?＝0.5V25?518?210U右＝15?＝1V140?10U左1＝15?由于U右?U左?0.5V，故二极管导通。运用戴维宁定理，电路可简化为ID?0.5?32.7μA15.31.6测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。解：T1:硅管，PNP，11.3V对应b,12V对应e,0V对应cT2:硅管，NPN，3.7V对应b,3V对应e,12V对应cT3:硅精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜管，NPN，12.7V对应b,12V对应e,15V对应cT4:锗管，PNP，12V对应b,12.2V对应e,0V对应cT5:锗管，PNP，14.8V对应b,15V对应e,12V对应cT6:锗管，NPN，12V对应b,11.8V对应e,15V对应c模拟电子技术基础第二章2.2当负载电阻RL?1k?时，电压放大电路输出电压比负载开路（RL??）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻ro。解：由题意知：UOC?RL?0.8UOCro?RL解得ro?0.25kΩ2.5电路如题图2.2所示，设BJT的UBE?0.6V，ICEO、ICES可忽略不计，试分析当开关S分别接通A、B、C三位置时，BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流IC。解：ICS?12/4?3mA，IBS?3/80?0.0375mA(1)开关打在A上：IB?12?0.6?0.285mA?IBS，故三极管工作在饱和区。40IC?ICS?3mA(2)开关打在B上：IB?精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜12?0.6?0.0228mA?IBS，故三极管工作在放大区。500IC??IB?1.8mA(3)开关打在C上：发射结和集电结均反偏，故三极管工作在截止区。IC=02.9题图2.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：(1)电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；(2)电阻Rb、Rc的值;(3)输出电压的最大不失真幅值；(4)要使该电路不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解：(1)由输出特性图中可以读到：IB?20uA，IC?1mA，UCE?3V,VCC?6V。(2)Rb?VCCV?UCE?300kΩ，RC?CC?3kΩIBIC'(3)UOM?min(UCE?UCEQ,UCEQ?UCES)?min(4.5?3,3?0.8)?1.5V(4)要使电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值取20uA2_11、单管放大电路如图题3.4.2所示已知BJT的电流放大系数β＝50。（1）估算Q点；（2）画出简化H参数小信号等效电路；（3）估算BJT的朝精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜人电阻rbe；（4）如??VV??O输出端接入4kΩ的电阻负载，计算AV?及AVS?O?。?iS解（1）估算Q点IB?VCC?40?AIC??IB?2mARbVCE?VCC?ICRC?4V（2）简化的H参数小信号等效电路如图解3.4.2所示。（3）求rberbc?200??(1??)26mV26mV?200??(1?50)?863?IE2mA'?V?(RC||RL)?R0L??（4）A??????116VrberbeVi?V?V?VRiRb||rbe00???AVS???i?A?A??73VVRi?RsRs?Rb||rbeVsViVs2-14.电路如图所示,设耦合电容和旁路电容的容量均足够大,对交流信号可视为短路.(1)求Au=Uo/Ui，ri，ro(2)求Au=Uo/Us(3)如将电阻Rb2逐渐减小,将会出现什么性质的非线形失真?画出波形图.(2)精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜us(3)Rb2减小将会产生饱和失真2.15电路如题图2.11所示。(1)画出放大电路的微变等效电路；UCCUB?Rb1Rb1?Rb2UB?UBEIE??1.2mARe1?Re2(2)写出电压放大倍数Au1?(3)求输入电阻ri；(4)画出当Rc?Re时的输出电压uo1、uo2的波形（输入ui为正弦波，时间关系对齐）解：（1）26rbe?rbb???1????2.5k?IERcAu?????38rbe?1??Re1ri?Rb1//Rb2//?rbe??1???Re1?ro?Rc?6.8k?ri精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜A?Au??34.5ri?RsUo1Ui..Au2?Uo2Ui..的表达式；篇二：吴友宇主编《模拟电子技术基础》课后习题答案第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。3、在N型半导体中，电子为多数载流子，为少数载流子。二．判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（×）5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（√）6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（×）7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（×）三．简答题1、PN结的伏安特性有何特点？V答：根据统计物理理论分析，PN结的伏安特性可用式ID?Is?(eVT?1)表示。式中，ID为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压；VT=kT/q，为温度的电压当量（其单位与V的单位一致），其中玻尔兹曼常数k?1.38?10?23J/K，电子电量q?1.60217731?10?19C(库伦)，则VT?T(V)，在常温（T=300K）下，115.294精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜VVTVT=25.875mV=26mV。当外加正向电压，即V为正值，且V比VT大几倍时，e是I?Is?eVVT??1，于，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN结为正向导通状VVT态.外加反向电压，即V为负值，且|V|比VT大几倍时，e??1，于是I??Is，这时PN结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN结呈反向截止状态。PN结的伏安特性也可用特性曲线表示，如图1.1.1所示.从式(1.1.1)伏安特性方程的分析和图1.1.1特性曲线（实线部分）可见：PN结真有单向导电性和非线性的伏安特性。图1.1.1PN伏安特性2、什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？答：“PN”结的反向击穿特性：当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后，PN结发生击穿。PN结的击穿主要有两类，齐纳击穿和雪崩击穿。齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN结，一般反向击穿电压小于4Eg/q（Eg—PN结量子阱禁带能量，用电子伏特衡量，Eg/q精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜指PN结量子阱外加电压值，单位为伏特）的PN的击穿模式就是齐纳击穿，击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电，使的少子浓度增加，反向电流上升。雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结，一般反向击穿电压高于6Eg/q的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快，动能增大，撞击中型原子时把外层电子撞击出来，继而产生连锁反应，导致少数载流子浓度升高，反向电流剧增。3、PN结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？PN结电容由势垒电容Cb和扩散电容Cd组成。势垒电容Cb是由空间电荷区引起的。空间电荷区内有不能移动的正负离子，各具有一定的电量。当外加反向电压变大时，空间电荷区变宽，存储的电荷量增加；当外加反向电压变小时，空间电荷区变窄，存储的电荷量减小，这样就形成了电容效应。“垫垒电容”大小随外加电压改变而变化，是一种非线性电容，而普通电容为线性电容。在实际应用中，常用微变电容作为参数，变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较显著的二极管。扩散电容Cd是载流子在扩散过程中的积累而引起的。PN结加正向电压时，N区的电子向P区扩散，在P区形成一定的电子浓度(Np)分布，PN结边缘精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜处浓度大，离结远的地方浓度小，电子浓度按指数规律变化。当正向电压增加时，载流子积累增加了△Q；反之，则减图1.3.3P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积累小，如图1.3.3所示。同理，在N区内空穴浓度随外加电压变化而变化的关系与P区电子浓度的变化相同。因此，外加电压增加△V时所出现的正负电荷积累变化△Q，可用扩散电容Cd来模拟。Cd也是一种非线性的分布电容。综上可知，势垒电容和扩散电容是同时存在的。PN结正偏时，扩散电容远大于势垒电容；PN结反偏时，扩散电容远小于势垒电容。势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积成正比。与普通电容相比，PN结电容是非线性的分布电容，而普通电容为线性电容。习题2客观检测题一、填空题1、半导体二极管当正偏时，势垒区漂移电流。2、在常温下，硅二极管的门限电压约，导通后在较大电流下的正向压降约V；锗二极管的门限电压约，导通后在较大电流下的正向压降约V。3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约，精编WORD文档下载可编缉打印下载文档，远离加班熬夜考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在5~10mA。4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为普通（稳压）二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是最大整流电流、反向击穿电压、反向电流和极间电容。二、判断题1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（a）。a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大，但小于击穿电压，（c）。a.其反向电流增大b.其反向电流减小c.其反向电流基本不变d.其正向电流增大3、稳压二极管是利用PN结的（d）。a.单向导电性b.反偏截止特性c.电容特性d.反向击穿特性4、二极管的反向