DB61∕T 511-2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则

ICS27.160F12DB61陕西省地方标准DB61/T511—2011太阳电池用单晶硅棒检验规则2011-04-20发布2011-05-01实施陕西省质量技术监督局发布DB61/T511—2011I前言本标准参考GB/T12962－2005《硅单晶》，结合国内外光伏产业现状及发展趋势制定。本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。本标准由陕西省工业和信息化厅归口。本标准由陕西电子信息集团有限公司、陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、中电投西安太阳能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任公司共同负责起草。本标准主要起草人：牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武、张超。本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。本标准为首次发布。DB61/T511—20111太阳电池用单晶硅棒检验规则1范围本标准规定了太阳电池用单晶硅棒的技术要求、试验方法和检验规则等。本标准适用于太阳电池用单晶硅棒的检验。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T1551硅单晶电阻率测定方法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法GB/T1555半导体单晶晶向测定方法GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法GB/T12963硅多晶SEMIMF1535－2007微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1单晶硅圆棒mono-crystallinesiliconround-stick未经任何机械加工的原始单晶硅棒。3.2单晶硅方棒mono-crystallinesiliconsquare-stick单晶硅圆棒按照一定规格尺寸经过切断、切方、滚圆加工后的方锭。4技术要求4.1原材料产品用原材料应符合GB/T12963的规定。DB61/T511—201124.2外观要求4.2.1单晶硅圆棒单晶硅圆棒表面应光滑，无缺口、裂纹、划痕。4.2.2单晶硅方棒单晶硅方棒断面应无刀痕、无长度和宽度超过5mm、深度超过1.5mm的缺口。4.3外形尺寸4.3.1单晶硅圆棒单晶硅圆棒的长度由供需双方协商，直径及偏差见表1。表1单晶硅圆棒直径及偏差规格6″6.5″8″直径及偏差/mm153﹢5168﹢5203﹢5000注：直径及其偏差如有特殊要求，由供需双方协商确定。4.3.2单晶硅方棒单晶硅方棒的断面物理尺寸应符合图1、表2的规定。图1单晶硅方棒的断面物理尺寸表2单晶硅方棒的断面物理尺寸（字母对应图1所示）单位为毫米规格A（边长）B（标称直径）C（弦长）aD（倒角投影）aE（相邻面垂直度）断面几何垂直度6″125±0.3150±0.382.9±121.05±190°±0.3°90°±0.5°6.5″125±0.3165±0.3107.7±18.66±18″156±0.3200±0.3125.1±115.43±1注1：标称直经是指单晶硅方棒的直径。注2：直径及其偏差如有特殊要求，由供需双方协商确定。a为参考尺寸DB61/T511—201134.4电性能单晶硅棒导电类型、晶向及偏离度、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命的要求应符合表3。表3单晶硅棒电性能参数导电类型晶向及偏离度电阻率/（Ω·cm）径向电阻率变化/%少数载流子寿命/μsP100±1°一档二档≤15≥50.5～11～3N100±1°1.5～20≤2050～100注：本表中少数载流子寿命值是未经过钝化的测试值。4.5晶体完整性单晶硅棒晶体完整性是由晶体位错密度指标所反应，其位错密度应不大于3000个/平方厘米。4.6氧含量单晶硅棒的氧含量应不大于1.2×1018atom/cm3。4.7碳含量单晶硅棒的碳含量应不大于5×1016atom/cm3。5试验方法5.1原材料单晶硅棒原材料测试按GB/T12963规定的方法进行。5.2外观要求单晶硅棒的外观目测，断面的缺口用游标卡尺（精度0.1mm）测量。5.3外形尺寸长度、直径、边长及弦长用游标卡尺（精度0.1mm）测量，相邻面垂直度用直角尺或标准角度模板测量。5.4导电类型单晶硅棒的导电类型测试按GB/T1550中热探针法——热电势导电类型测试方法进行。5.5晶向及偏离度单晶硅棒的晶向及偏离度测试按GB/T1555中X射线衍射法定向法进行。5.6电阻率单晶硅棒的电阻率测试按GB/T1551中直排四探针法进行。5.7径向电阻率变化DB61/T511—20114单晶硅棒的径向电阻率变化测试按GB/T11073规定的方法进行。5.8少数载流子寿命单晶硅棒的少数载流子寿命测试按GB/T1553中高频光电导衰减法或按照SEMIMF1535－2007规定的方法进行。5.9晶体完整性单晶硅棒的晶体完整性测试按GB/T1554规定的方法进行。5.10氧含量单晶硅棒的氧含量测试按GB/T1557规定的方法进行。5.11碳含量单晶硅棒的碳含量测试按GB/T1558规定的方法进行。6检验规则6.1组批单晶硅棒以批的形式提交验收，每批应由同一牌号，相同规格的单晶硅圆棒或方棒组成。6.2抽样检验批数量大于10，样本应抽取检验批的20%，5根～9根抽取2个样本，5根以下抽取1个样本。取样位置按照以下规定：a)检验单晶的少数载流子寿命，应在单晶硅圆棒的尾部切取试样；b)检验单晶的氧含量，应在单晶硅圆棒的头部切取试样；c)检验单晶的碳含量，应在单晶硅圆棒的尾部切取试样；d)检验单晶的其它参数，可在单晶硅圆棒的任意一端切取试样。6.3出厂检验出厂检验项目包括外观要求、外形尺寸、导电类型、电阻率、径向电阻率变化、少数载流子寿命（见表4）。产品经生产企业质检部门检验合格，并签发合格证后方可出厂。6.4型式检验型式检验包括本标准规定的全部检验项目（见表4），型式检验每年应进行1次。有下列情况之一时，亦应进行型式检验：a)新产品投产鉴定或鉴定新产品转厂生产时；b)正式生产后，如结构、材料、工艺及关键设备有较大改变，可能影响产品性能时；c)停产半年以上恢复生产时；d)供需双方发生产品质量争议需要仲裁时；e)国家质量监督部门或主管部门提出型式检验要求时。DB61/T511—20115表4检验项目序号试验项目型式检验出厂检验技术要求试验方法1外观要求●●4.25.22外形尺寸●●4.35.33导电类型●●4.45.44晶向及偏离度●○5.55电阻率●●5.66径向电阻率变化●●5.77少数载流子寿命●●5.88晶体完整性●○4.55.99氧含量●○4.65.1010碳含量●○4.75.11注：●为必检项目；○为选检项目。6.5判定规则6.5.1出厂检验的必检项目必须全部合格，则该批产品合格，判出厂检验合格；否则出厂检验不合格，产品不能交付。6.5.2型式检验外观要求、外形尺寸、电阻率3项实行全检，若有1项不合格，则该单晶硅棒不合格。抽去不合格的单晶硅棒后，余下的单晶硅棒参加抽样检验的其他项目。6.5.3除去外观要求、外形尺寸、电阻率3项全检项目外，对抽取4个试样的，有3个试样不合格，则该批产品不合格；抽取3个试样的，有1个试样不合格，则该批产品不合格，针对不合格产品，查明原因，采取纠正措施后重新进行型式检验。_________________________________