高频放大环境额定双极型晶体管

江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片江阴新顺微电子有限公司分立器件芯片2XP025高频放大环境额定双极型晶体管高频放大环境额定双极型晶体管高频放大环境额定双极型晶体管高频放大环境额定双极型晶体管江阴新顺微电子有限公司江阴新顺微电子有限公司江阴新顺微电子有限公司江阴新顺微电子有限公司地址：江苏省江阴市滨江中路275号电话：（0510）8685118286852109传真：[phone]版本号：07-A1-08第1页共2页1芯片数据芯片数据芯片数据芯片数据芯片示意图芯片尺寸（㎜×㎜）0.52×0.52芯片厚度（µm）220±15基区78×78键合区面积(µm2)发射区86×86正面电极金属铝背面电极金属金硅片直径（㎜）φ100装片要求共晶2电特性电特性电特性电特性2.1极限极限极限极限值值值值除非另有规定，Tamb=25℃参数名称符号额定值单位备注集电极-基极电压VCB0-40V集电极-发射极电压VCE0-25V发射极-基极电压VEB0-6V集电极电流IC-1A耗散功率(Ta=25℃)Ptot0.625W结温Tj150℃贮存温度Tstg-55～150℃封装形式：TO-92推荐成品型号：M85502.2电参数电参数电参数电参数除非另有规定，Tamb=25℃规范值参数名称符号测试条件最小典型最大单位集电极-基极截止电流ICB0VCB=-40V,IE=-0-0.1μA发射极-基极截止电流IEB0VEB=-6V,IC=-0-0.1μA共发射极正向电流传输比的静态值hFEVCE=-1V,IC=-100mA85300集电极-发射极饱和电压VCEsatIC=-800mA,IB=-80mA-0.5V特征频率fTVCE=-10V,IC=-50mAf=30MHZ100MHz第2页共2页3特性曲线特性曲线特性曲线特性曲线10010000.10.20.30.40.5VCEsat-ICIC/IB=1025oC75oC125oCCOLLECTORCURRENTIC(mA)COLLECTOR-EMITTERSATURATIONVOLTAGEVCEsat(V)10010000.60.81.01.2VBEsat-ICIC/IB=1025oC75oC125oCCOLLECTORCURRENTIC(mA)BASE-EMITTERSATURATIONVOLTAGEVBEsat(V)110100100050100150200250300350400450500VCE=1VhFE-IC25oC75oC125oCCOLLECTORCURRENTIC(mA)DCCURRENTGAINhFE