外层工序工艺培训教材ID-TT-B2-7

TTMConfidential1外层工序工艺培训教材TTMConfidential2内容•1.工艺原理•2.主要物料及用途•3.操作及设备要求•4.影响产品品质的因素•5.产品接受标准•6.缺陷案例分析TTMConfidential31.工艺原理投板酸洗水洗磨板1）工艺流程圖：高压水洗微蚀水洗酸冼纯水洗烘干（1）外层工序前处理工艺流程圖：TTMConfidential4前处理来板清洁预热压膜（2）压膜工艺流程圖：后压冷却收板1.工艺原理TTMConfidential5投板清洁曝光收板（3）曝光工艺流程圖：1.工艺原理TTMConfidential6（4）显影工艺流程圖：投板显影新液洗冲污水溢流水洗DI水洗烘干收板1.工艺原理TTMConfidential72）目的1.工艺原理基材銅面增加表面粗造度、清洁铜面.（1）前处理：利用机械和化学的方式除去板面油脂,氧化等物質,並微蝕出一定的粗糙度,保證壓膜中有足夠的貼附力.TTMConfidential8（2）压膜目的：利用壓膜機提供的溫度和壓力,將干膜緊緊貼附在板面上..幹膜1.工艺原理TTMConfidential9（3）曝光目的：利用底片,將覆蓋需要被蝕刻部份銅面的干膜發生聚合反應,從而不溶于顯影液.底片曝光-------上底片1.工艺原理TTMConfidential10曝光------曝光過程11.工艺原理TTMConfidential11曝光------曝光過程21.工艺原理TTMConfidential12曝光------出曝光機1.工艺原理TTMConfidential13（4）显影目的：將沒有曝光的部份沖洗掉,以露出銅面.顯影1.工艺原理TTMConfidential14（1）微蝕槽反應原理：CuO+H2SO4==CuSO4+H2OCu+Na2S2O8==CuSO4+Na2SO41.工艺原理3）反應原理TTMConfidential15•藥水Na2CO3,中央供藥濃度為10%,現場使用的濃度為0.8%-1.0%.•反應A.Na2CO3+H2O==NaOH+NaHCO3B.—(CH2CH)—(CH2CH)—O=C-O-H+NaOH==O=C-O-Na+H2O（2）显影槽反應原理：1.工艺原理TTMConfidential162.主要物料及用途500#布织布磨辘：用于磨板机，生产中磨辘与板面磨擦，以便于磨去一层铜，达到清洁铜面上的污物，同时粗化铜面.SPS：利用其强氧化特性，在酸性环境下去除铜面的氧化，同时粗化铜面.硫酸：主要用于酸洗槽和微蚀槽内，用于去除铜面的氧化.1）前处理TTMConfidential172）压膜2.主要物料及用途干膜：用于贴在板面上，以便后流程的加工.清洁胶纸：用于清洁板面上的垃圾.3）曝光清洁胶纸：用于清洁板面上的垃圾.4）显影Na2CO3：参与化学反应，冲洗没有曝光的干膜.TTMConfidential183.操作及设备要求1）设备制程能力：.A.最薄板：16mil(不含铜)；B.最厚板：160mil(含铜)；C.最小板：8″×12″；D.最大板：24″×25.5″；E.输送速度：0.2-5米／分钟（可调）（1）前处理TTMConfidential19（2）压膜A.最薄板：0.1mm(不含铜)；B.最厚板：6.0mm(含铜)；C.最小板：Min.250mm250Lmm；D.最大板：640mm(W)610mm(L)。E.露铜范围:前露铜0~48mm后露铜0~48mmF封孔能力：NPTH封孔孔径（最大）6mmNPTH孔干膜封孔ring（单边最小）:5milNPTH封槽孔尺寸（最大）：8mm×6mm3.操作及设备要求TTMConfidential20A.最大生产板尺寸（Ymax×Xmax）：630mm×560mmB.最小生产板尺寸（Ymax×Xmax）：450mm×380mmC.生产板厚：0.4-2.5mmD.精度：±18um（3）曝光3.操作及设备要求TTMConfidential21（4）显影1)最薄板：0.3MM2）最厚板：3.2MM3）最小板：200MM×200MM4)最大板：620MM×620MM5）线宽线距能力（仅适用于正片）：最小线路设计(A/W)：3.0mil最小线与线间距(A/W)：2.4mil最小线与PAD间距(A/W)：2.4mil最小PAD与PAD间距(A/W)：2.4mil3.操作及设备要求TTMConfidential222）设备配置要求：.3.操作及设备要求A.电源要求：3相380VAC50Hz；B.使用温度：UPVC段低于55℃,PP段低于65℃.C.耗电量：19KWH；D.气压：2.5KG/CM2；E.用水种类：一级纯水、软水.（1）前处理—雅智和ATOTTMConfidential23（2）贴膜----KAHUTOOA.总电力要求:220/220V,50/60Hz,10kwB.总气压要求:5Kg/cm2,15L/min（3）曝光----KAHUTOOA.电压：380VB.曝光机功率：10KW/hC.收投板机3KW/h3.操作及设备要求TTMConfidential24（4）显影----宇宙和HOLLMULLER机A.配电要求：3相380VAC50HZ耗电量：99KWH（额定）.B.耗水量：软水24-36L/MIN纯水8-12L/MIN冷却水87L/MINC.排气量：非干板段4.2立方/分钟干板段16.8立方/分钟3.操作及设备要求TTMConfidential253）主要操作注意事项：.3.操作及设备要求A.磨板机的操作模式分自动模式和手动模式，自动模式下只能够进行磨板功能，手动模式下可进行磨辘自整定（磨辘空载DIV值整定）、换磨辘、修整磨辘、磨辘位置校正等功能；B.磨板喷淋：无喷淋不允许起动或使用磨辘，每班次清洗喷咀、喷管、过滤器，防止堵塞（铜粉回收机每4小时清洗一次过滤器和过滤袋（1）前处理TTMConfidential26C.设备维护：当磨板机在磨板过程中有异样响声时，需停机检查机器有无异常现象，保证机器处于正常运行状态；D.当机组出现报警声时﹐在将蜂呜有效切换成蜂呜无效后﹐须根据触摸屏报警信息提示及时处理﹐排除故障！为保障设备正确安全的运行﹐务必使机组时刻处在保护有效狀态；3.操作及设备要求TTMConfidential27（2）压膜机A.由于感光膜的露铜精度为+/-1.0毫米，所以设置露铜值为1.0毫米或更少时，要谨慎；B.由于较短的压着时间会导致压着失败，建议理想的值为2.0秒。不同类型的PCB和干膜要求的压着时间不一样，但大多数值介于1.0秒至6.5秒之间。C.一旦设置好干膜宽度，压着板的有效真空宽度将自动调整。如果设置错误的干膜宽度，将无法获得正确的真空压力。因此，要确保设置正确；D.如果“真空张力”状态设置为“开”，那么将增大压着板、割刀槽和引导块的真空压力，因而在压膜期间可增大膜张力。应根据产品和干膜规格选择相应的干膜张力；3.操作及设备要求TTMConfidential28E.如果上、下割刀组件没有检测到原点传感器电源开关为ON（或没有处于原点），那么主操作屏幕上的“原点”灯不会变亮。若如此，首先应关闭电源，然后将它们手动恢复到原点传感器的检测位置。F.当前输送在运转时，一定要盖上防尘盖。如果前输送运行时没有盖好防尘盖，操作工的手可能卷入机器而受伤。G.每次用完一卷干膜后，必须卸下盖膜。否则，新盖膜将增大麦拉辊上盖膜的直径，这将直接影响其它组件的正常工作。H.在运行割刀切割膜时，要防止甩出压膜主单元。3.操作及设备要求TTMConfidential29（3）曝光机A.取底片时检查有无刮伤、折痕、异物,填写《底片检查记录表》，确认OK后用清洁剂浸湿无尘布从左至右或从右至左朝一个方向清洁底片，再用粘尘轮粘尘,从上至下至少三遍，每10片底片更换粘性纸；B.曝光后干膜的光聚合反应仍需一段时间才完全反应，为保证生产品质，贴膜后至曝光前、曝光至显影间的停滞时间应保持在15分钟至24小时内；所有制板，只有在曝光后停放达到可显影的时间方可显影冲出相应料号的板C.所有制板均需干膜板首片检查合格才可显影，干膜板检查频率为：每套底片检查首末片，如多批板共享底片（且连续生产）时，则每批测首片，最后一批测首末片，每次首片和末片各测2片干膜板；当每次生产小于60片时只测首片.3.操作及设备要求TTMConfidential30A.每班开工前、改变工艺参数、换料号或重新开机（停机超过24H、保养或维修后等）正式大量生产前，先试生产两片，外层线路板经AOI检测看有无崩孔、定位、开短路等缺陷，（SIT板经IPQC检查有无上盘、定位等）否则重新调机或清洁，直到产品完全合格；B.批量做板前，必须要核对制板的编号、版本与LOT卡和工具的编号、版本、涨缩是否一致，一致后方可做板。3.操作及设备要求TTMConfidential31（4）显影A.为保障设备正确安全的运行﹐务必使机组时刻处在保护有效状态;B.根据工艺流程的需要，喷淋压力可以通过过滤器出水口处的各喷管调节球阁调节（或单独调节或通过触模屏设定自动调节）到工艺要求的压力值，每班开机生产时，均需要检查显影的上下喷淋压力、喷管有无脱落、喷咀有无堵塞;C.生产时要做干膜首片确认，等AOI检查结果OK后才可以正常生产；D.当我们在生产板子的时候，显影槽前的检视区严禁打开，否则的话会造成板面的干膜被外界的光源曝光，从而造成生产板的不良或报废，显影槽上面灯光为黄光，槽盖用黄色胶纸贴住；3.操作及设备要求TTMConfidential32E.制板的时间管控：显影后制板到垂直电镀生产时间控制在48小时内(注：以每批第一片板开始记时填写时间纸，超过时间则需通知QE&ME跟进处理），且显影后制板需停放于空调室内，最高温度不超过28℃;F.3/3mil线路制板生产时，需先将显影和水洗压力调整到控制要求的中值与下限范围之间（1.1-1.4KG/CM2之间）.3.操作及设备要求TTMConfidential334.影响产品品质的因素关键制程参数对产品品质的影响----前处理1）前处理磨痕：磨痕过大，会使铜面磨损严重，导致铜的浪费；磨痕过小，会导致铜面粗化不良，影响干膜与铜面的结合力，磨板效果同时可用水破实验进行检验，磨痕一般按8-15MM控制.2）前处理微蚀速率：微蚀速率过大，会导致铜面过蚀，影响表面和孔内铜厚；微蚀速率太小时，会影响铜面氧化的去除和铜面的粗化，从而影响干膜与铜面的结合力，微蚀效果同时可用水破实验进行检验，微蚀速率按1.0±0.2um控制.3）前处理烘干温度：温度太低时，板面烘不干，孔内有水汽，同时板面易氧化，从而影响干膜与铜面的结合力，烘干温度按65~80℃控制.TTMConfidential341）進板溫度：温度太高，易产生膜皱，温度太低，会导致压膜结合力差.2）壓膜溫度：温度太高，易产生膜皱和孔破，温度太低，会导致干膜与板的结合力差.3）壓膜速度：速度太慢，易导致膜皱和孔破，速度太快，会导致干膜填胶不良，干膜与板的结合力差.4）壓膜壓力：压力太小，会导致干膜填胶不良，干膜与板的结合力差，压力太大，易产生膜皱和孔破.关键制程参数对产品品质的影响----压膜4.影响产品品质的因素TTMConfidential35关键制程参数对产品品质的影响----曝光1）曝光能量：能量太低，会影响干膜的结合力，能量太高，会导致曝光不良；2）吸真空：吸真空不足，会导致曝光不良；3）曝光精度：曝光精度不足，会导致对偏崩孔报废.4.影响产品品质的因素TTMConfidential36关键制程参数对产品品质的影响----显影1）.顯影點：显影点太高，会导致板面殘膜冲洗不干净，产生开路报废，显影点太低，会导致冲板过度，产生干膜脱落和孔破.2）.显影压力：显影压力太低，会导致板面殘膜冲洗不干净，产生开路报废，显影压力太高，会导致冲板过度，产生干膜脱落和孔破.3）.显影温度：显影温度太低，会导致板面殘膜冲洗不干净，产生开路报废，显影温度太高，会导致冲板过度，产生干膜脱落和孔破.4.影响产品品质的因