微电子工艺面试问答

EPI外延PR光刻CMP化学机械抛光DIF扩散ETCH刻蚀CVD化学气象沉积litho就是光刻D——drain漏极S——source源极G——gate栅极YE——良率（提升）工程师PIE——工艺整合工程师CMP——chemicalmechanicalpolish化学机械抛光PCM——processcontrolmonitor工程控制监测WAT——waferacceptancetesting芯片电性（验收）测试IC——integratedcircuit集成电路CMOS——complementarymetaloxidesemiconductor互补金属氧化物半导体MOSFET——Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor金氧半场效晶体管N型——negativetypeP型——positivetypeVT——阈值电压，通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压.也称为开启电压。当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一VDS——最大漏-源电压VGS——最大栅源电压ID——连续漏电流IDM——脉冲漏极电流PD——容许沟道总功耗VB——反向峰值击穿电压RC——电容电阻1.PN结、MOS管这种简单器件原理特性曲线了解一下？——PN结加正向电压（外电场和内电场相反）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻，PN结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。硅0.7V锗0.3V。——2.wafer？硅片的流程？3.NMOS管加啥电流是read的状态？4.二极管V-A特性曲线？5.怎么测VT？——drain加工作电压source接地，测Ids好像到一个值了就是VT。MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V,200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。当然还要考虑温度的影响，随着温度升高阈值电压会降低。这个还要与具体的工作状态相关。所以你在使用MOS管的时候，一定要看该型号MOS的DATASHEET，才能用好。6.gate下厚度与VT关系？——栅氧厚度的减少，阈值电压减小，漏电流增大7.MOS管啥用？——用于放大电路或开关电路。提供一个稳定的电压。8.NMOS是长在N型区还是P型区？——P衬底上