硅、锗、砷化镓的能带结构

硅、锗、砷化镓的能带结构半导体物理学fccbcc倒格子aa4组建布里渊区金刚石结构bcc倒格子aa4闪锌矿结构bcc倒格子aa4硅、锗、砷化镓的第一布里渊区硅的能带结构图导带底价带顶22211iCikEmeVEEEVCg12.10098.019.0mmmmlt22V211kEmP轻空穴重空穴0016.053.0mmmmlphpEcEv硅导带底的等能面图锗的能带结构图导带底价带顶eVEEEVCg0.67001.6408.0mmmmlt22V211kEmP轻空穴重空穴0004.036.0mmmmlphpEcEv22211iCikEm锗导带底的等能面图砷化镓的能带结构图导带底价带顶222n11kEmCeVEEEVCg42.10n067.0mm22V211kEmP轻空穴重空穴0008.045.0mmmmlphpEcEv直接带隙砷化镓导带底的等能面图作业的最大值锗、砷化镓时，试求出晶体分别为硅、能带结构求出。的最大值可根据导带底个量子态条件的任意为满足和令量子态的能量，为布里渊区中令2121CC21k-kk-k,20.1EE(k)EkkkE(k)eV1.2.在回旋共振实验中，如果磁场B沿着硅单晶的[110]方向，会有几个回旋共振频率，它们对应的回旋共振有效质量是多少？