模拟电路考试试题10套和答案(打印版)

第1页坑爹的模电试卷编号01………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1．整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。2．在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于__________而产生的，漂移运动是__________作用下产生的。3．放大器有两种不同性质的失真，分别是__________失真和__________失真。4．在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是__________的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__________的影响。5．在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是__________；引入交流负反馈的作用是___________。6．正弦波振荡电路一般由__________、__________、__________、__________这四个部分组成。7．某多级放大器中各级电压增益为：第一级25dB、第二级15dB、第三级60dB，放大器的总增益为__________，总的放大倍数为__________。8．在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极公共电阻Re对__________信号的放大无影响，对__________信号的放大具有很强的抑制作用。共模抑制比KCMR为__________之比。9．某放大电路的对数幅频特性如图1所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为__________dB。图1二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×）：1、（）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。2、（）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。3、（）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。4、（）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。5、（）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。6、（）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。7、（）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。8、（）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。9、（）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。10、（）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）：1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（）A.NPN型硅管；B.NPN型锗管；C.PNP型硅管；D.PNP型锗管；2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻Rb的值（）。A.增大B.不变C.减小3．典型的差分放大电路中Re（）。A.对差模信号起抑制作用B.对共模信号起抑制作用C.对差模信号和共模信号均无作用4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（）。A.40VB.20VC.10VD.5V5．电流源的特点是（）。A.交流电阻大，直流电阻小；B.交流电阻小，直流电阻大；C.交流电阻大，直流电阻大；D.交流电阻小，直流电阻小。第2页6．影响放大电路高频特性的主要因素是（）。A.耦合电容和旁路电容的存在；B.放大电路的静态工作点不合适；C.半导体管的非线性特性；D.半导体管极间电容和分布电容的存在；7．关于理想运算放大器的错误叙述是（）。A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B．输入信号为零时，输出处于零电位；C．频带宽度从零到无穷大；D．开环电压放大倍数无穷大8．有T1、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，ICEO＝200μA；T2的β＝100，ICEO＝10μA；T3的β＝10，ICEO＝100μA，其它参9．数基本相同，则实用中应选（）A.T1管；B.T2管；C.T3管9．交流反馈是指（）A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；B．变压器耦合电路中的负反馈；C．交流通路中的负反馈；D．放大正弦信号时才有的负反馈；10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（）A.基本共射放大电路；B.基本共集放大电路；C.反相比例运算电路；D.同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）：1．(本小题10分)电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益Ausf。图22．(本小题10分)电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值Uo的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）RL开路时；（4）一只整流管和电容C同时开路时。图33．(本小题12分)如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，RL＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降UCES＝0V，Uo＝－10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率Pom；（3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率PCM值。第3页图44．(本小题18分)电路图5中，C1、C3和CE的容量足够大，晶体管的β＝50，rbb’＝200Ω，VBEQ＝0.7V，RS＝2kΩ，RB1＝25kΩ，RB2＝5kΩ，RC＝5kΩ，RL＝5kΩ，RE1＝1.7kΩ，RE2＝300Ω，VCC＝12V。计算：（1）电路的静态工作点；（2）电压放大倍数AuS、输入电阻Ri和输出电阻RO。图5试卷编号02………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共18分，每空1分）：1．本征半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度________空穴浓度。2．放大电路中，测得三极管三个电极1，2，3的电位为VUVUVU12,8.2,5.3321；则该三极管是________型，电极１为________，２为________，３为________。3．射极输出器的特点是：电压放大倍数________，输入电阻________，输出电阻________。4．半导体三极管属________控制器件，而场效应管属________控制器件。5．正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是FA________，φA+φB=________。6．若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流，应选用________反馈。7．文氏电桥正弦波振荡器用________网络选频，当这种电路产生振荡时，该选频网络的反馈系数F=________，F=________。二、简答（本题共10分,每小题5分）：1．什么是零点漂移，产生的原因是什么，抑制零点漂移最有效的方法是什么？2．什么是交越失真，如何克服交越失真？第4页三、分析与计算（本题共72分）：1．(本小题15分)放大电路如图示１，kRkRbb52,821，RC=8.7kΩ，eR=1.3KΩ，300rbb，+VCC=+15V，β=20，UBE=0.7V，电容容量足够大，求：⑴静态工作点；⑵电压放大倍数uA；⑶输入电阻iR和Ro；⑷若SR=1kΩ，求usA；⑸若eC开路，求uA。2．(本小题12分)电路如图２所示，,k20R,k30RR,k5RRe2C1C2b1b1T和2T的性能一致，V15V,V15VEECC；k4rr2be1be，5021；试求：⑴：求udA，idR；⑵：电路改成从2T的集电极与地之间输出时udA3．(本小题15分)电路如图３所示，已知：V20V,V20VCCCC，8RL，输入电压)V(wtsin210ui，1T和2T的性能一致，死区影响和CESU均可忽略。试求：输出功率oP，电源消耗功率VP及能量转换效率η，每管功耗TP。4．(本小题15分)反馈电路如图４所示，试回答：⑴：该电路引入了何种反馈（极性和组态）；⑵：该反馈对输入和输出电阻有何影响（增大或减小）；⑶：在深度负反馈条件下，求电压增益ufA。第5页图3图45．(本小题15分)电路如图５所示，集成运放均为理想运放，试写出输出电压o2o1oU,U,U的表达式。图5试卷编号03………………………………………………………………………………………………………………一、填空（本题共20分，每空1分）：1、构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有和特性。2、稳压二极管根据击穿机理可以分为击穿和击穿。3、三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个外部条件是和。4、多级放大电路内部各级之间常用的耦合方式有耦合、耦合和耦合。5、在集成电路中，高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的电路来代替。6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现，在整个信号周期内，三极管的导通角θ等于。7、在集成运放中，一般采用差分放大电路来克服现象。8、负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的，要消除它，则必须采用的方法来破坏电路自激振荡的条件。9、在深度负反馈条件下，闭环增益主要取决于，而与开环增益基本无关。10、正弦波振荡电路主要由、、和这四个部分组成。二、单项选择（本题共20分，每小题2分）：1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）。A增大B减小C不变D等于零第6页2．当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（）。A反向偏置但不击穿B正向偏置但不击穿C反向偏置且被击穿D正向偏置且被击穿3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（）。A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响4．差动放大电路的主要特点是（）。A有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D既抑制差模信号，又抑制共模信号。5．互补输出级采用射极输出方式是为了使（）。A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）。A可获得较高增益B可使温漂变小C在集成工艺中难于制造大电容D可以增大输入电阻7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（）。A耦合电容和旁路电容的影响B晶体管极间电容和分布电容的影响C晶体管的非线性特性D放大电路的静态工作点设置不合适8．当信号频率等于放大电路的Lf和Hf时，放大倍数的数值将下降到中频时的（）。A0.5倍B0.7倍C0.9倍D1.2倍9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后（），则说明引入的是负反馈。A输入电阻增大B输出量增大C净输入量增大D净输入量减小10.在RC桥式正弦波振荡电路中，当相位平衡条件满足时，放大电路的电压放大倍数（）时电路可以起振。A等于1/3B等于1C等于3D略大于3三、分析与计算（本题共60分）：1．(本小题20分)如图1所示电路中，设电路中VCC＝12V，各个电容的容量足够大，Rb1＝Rc＝RL＝5kΩ，Rb2＝25kΩ，Re＝1kΩ，Rf＝300Ω，晶体管的β＝100，UBE＝0.7V，rbb’＝100Ω。（1）估算电路静态工作点；（2）画出简化的h参数等效电路；（3）计算电压放大倍数Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。图1第7页2．(本小题10分)电路如图2所示，其中A1、A2、A3、A4均为理想运放，试推导出输出电压uO与输入电压uI1、uI2的关系式。图23．(本小题10分)试判断图3所示的两个电路是否有可能产生正弦波振荡，如可能振荡，指出该电路属于什么类型，并写出其振荡频率的近似表达式，设电容Cb，Ce很大，在交流通路中可视为短路，图(a)中L1、L2之间的互感为M。图3（a）图3（b）4．(本小题20分)电路如图4所示，已知R=2.4KΩ，C=0.1μF，集成运算放大器的性能理想，运放的电源电压为±8V，由A1组成的电路能够产生稳定的正弦波输出，R4=