IGBT参数

SILVERMICRO功率模块特长：z10μs以上短路承受时间z低饱和压降：VCE(sat)=1.95V@IC=150A,TC=25℃z100%RBSOA测试（2倍额定电流）z低杂散电感z高可靠性功率端子z无铅模块，符合RoHS要求应用：z工业变频器zAC及DC伺服驱动zUPS最大额定值（TC=25℃，除非另作说明）符号说明GK150HF60T1VH单位VCES集电极－发射极电压600VVGES门极－发射极电压±20VTC=80℃150AIC集电极直流电流TC=25℃250AICM(1)集电极脉冲电流TJ=125℃300AIF二极管正向直流电流TJ=125℃150AIFM二极管正向脉冲电流300AtSC短路承受时间TJ=150℃10μsPD单桥臂IGBT最大耗散功率TC=25℃,TJmax=150℃960WTJ工作结温范围-40＋150℃Tstg存储温度范围-40＋125℃Viso绝缘耐压（所有端子短接）f=50Hz,1分钟2500V功率端子螺钉：M55.0N·mMountingTorque散热器安装螺钉：M66.0N·m(1)重复脉冲下最大额定值：脉冲宽度受最大结温限制内部电路图1234567SILVERMICRO的电气特性（TJ=25℃，除非另作说明）符号参数测试条件最小值典型值最大值单位关断特性V(BR)CES集电极－发射极击穿电压VGE=0V,IC=1mA600V△V(BR)CES/△TJ击穿电压温度系数VGE=0V,IC=1mA0.4V/℃TJ=25℃1mAICES集电极－发射极漏电流VGE=0V,VCE=VCESTJ=125℃2mATJ=25℃200nAIGES门极－发射极漏电流VGE=VGES,VCE=0VTJ=125℃800nA导通特性VGE(th)门极－发射极阈值电压IC=2mA,VCE=VGE4.04.56.5VTJ=25℃1.952.15VVCE(sat)集电极－发射极饱和电压IC=150A,VGE=15VTJ=125℃2.232.43V动态特性Cies输入电容7.3nFCoes输出电容VCE=25V,VGE=0V,f＝1MHz0.90nF开关特性td(on)开通延迟时间220nstr上升时间185nstd(off)关断延迟时间665nstf下降时间140nsEon开通损耗2.1mJEoff关断损耗6.1mJEts总开关损耗VCC=300V,IC=150A,RG=30Ω,VGE=±15V,感性负载,TJ=25℃8.2mJtd(on)开通延迟时间205nstr上升时间190nstd(off)关断延迟时间700nstf下降时间135nsEon开通损耗2.7mJEoff关断损耗6.1mJEts总开关损耗VCC=300V,IC=150A,RG=30Ω,VGE=±15V,感性负载,TJ=125℃8.8mJQg门极充电电量VCE=300V,IC=150A,VGE=-15V~+15V785nCRBSOA反向安全工作区IC=300A,VCC=400V,Vp=600V,Rg=30Ω,VGE=+15Vto0V,TJ=150°C梯形SCSOA短路安全工作区VCC=300V,VGE=15Vto0V,TJ=150℃10μsSILVERMICRO二极管的电气特性（TJ＝25℃，除非另作说明）符号参数测试条件最小值典型值最大值单位TJ=25℃1.441.64VFM二极管正向压降IF＝150A,VGE=0VTJ=125℃1.441.64VTJ=25℃130trr二极管反向恢复时间TJ=125℃175nsTJ=25℃50Irr二极管反向恢复峰值电流TJ=125℃65ATJ=25℃4.2Qrr二极管反向恢复充电电量IF＝150A,di/dt=830A/μs,Vrr=300V,VGE=-15VTJ=125℃7.1µC热特性符号参数典型值最大值单位RθJC单桥臂IGBT芯片与外壳间热阻0.13/W℃RθJC单桥臂二极管芯片与外壳间热阻0.46/W℃RθCS使用导热脂时外壳与散热器间热阻0.10/W℃功率端子螺钉：M53.05.0N·mMountingTorque散热器安装螺钉：M64.06.0N·mWeight模块重量180gSILVERMICRO:50%TJ=125℃TC=80℃Rg=30ohm,VGE=15VFrequency(KHz)LoadCurrent(A)Fig.1不同开关频率下，模块输出电流的典型值3060901201501802102402703001.21.51.82.12.42.73.0VCE(V)IC(A)VGE=15VTJ=125℃TJ=25℃3060901201501802102402703001.21.62.02.42.83.23.64.0VCE(V)IC(A)TJ=125℃VGE=17VVGE=15VVGE=13VVGE=11VVGE=9VFig.2IGBT电流Ic与VCE的典型值Fig.3典型的IGBT输出特性SILVERMICRO(V)IF(A)VGE=0VTJ=125℃TJ=25℃3060901201501802102402703000369121518E(mJ)IC(A)VCC=300V,VGE=+/-15V,Rg=30ohm,TJ=125℃EoffEonErecFig.4快恢复二极管电流IF与VF的典型值Fig.5不同电流下IGBT和快恢复二极管的开关损耗(TJ=125℃)510152025303540455012345678E(mJ)Rg(Ω)VCC=300V,VGE=+/-15V,IC=150A,TJ=125℃EoffEonErec05101520251234567891011C(nF)VCE(V)VGE=0V,f=1MHzCiesCoesFig.6不同电阻时IGBT和快恢复二极管的开关损耗Fig.7电容特性曲线(TJ=125℃)0100200300400500600050100150200250300IC(A)VCES(V)芯片模块Fig.8RBSOASILVERMICRO封装尺寸：模块型号品牌标识内部电路结构生产日期代码二维条形码产品信息SILVERMICRO声明--本文件中的所有信息是精确、可靠的。但是，不论明示或默示，NJSME不对该等信息的精确性和完整性给予任何陈述和保证，且NJSME不对使用该等信息造成的后果承担责任。信息更改--NJSME有权在未通知情况下随时更改文件中公布的信息，包括但不限于技术参数与产品说明。本文件取代先于此次公布的所有信息。南京银茂微电子制造有限公司南京溧水经济技术开发区溧水城北五号路银茂工业园电话：[phone]传真：[phone]