晶体三极管教案

11.6晶体三极管第＿＿＿周课时＿＿＿节执教者：＿＿＿一、教学目标1.知识目标：使学生掌握三极管的结构、符号、类型及其电流的放大作用。2.能力目标：使学生对三极管的内部结构及放大工作原理有更具体的了解及认识。二、教学重点、难点（1）使学生掌握三极管的结构、符号、类型及其电流的放大作用。（2）掌握半导体三极管中的电流分配关系；（3）理解半导体三极管的放大作用，共发射极电路的输入、输出特性曲线，主要参数及温度对参数的影响。三、教学过程：（1）.晶体三极管的基本结构和符号：有3个区――发射区、基区、集电区；2个结――发射结(BE结)、集电结(BC结)；3个电极――发射极e(E)、基极b(B)和集电极c(C)；2种类型――PNP型管和NPN型管。（2）工艺要求：发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。晶体三极管的符号箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。2（3）三极管的放大的条件：发射结正偏、集电结反偏从电位的角度看：NPN管，发射结正偏VBVE；集电结反偏，VCVB。PNP管，发射结正偏VBVE；集电结反偏，VCVB。(4)晶体三极管有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。(5)三极管内电流的分配和放大作用三极管中电流分配关系如下：因很小，则晶体三极管的电流放大作用-------基极电流微小的变化，引起集电极电流IC较大变化。交流电流放大系数b——表示三极管放大交流电流的能力直流电流放大系数——表示三极管放大直流电流的能力通常，，所以可表示为(6)三极管的输入和输出特性:输入特性曲线：集射极之间的电压一定时，发射结电压与基极电流之间的关系曲线。特性曲线有如下特点：31．当≥2V时，特性曲线基本重合。2．当很小时，等于零，三极管处于截止状态。3．当大于门坎电压(硅管约0.5V，锗管约0.2V)时，逐渐增大，三极管开始导通。4．三极管导通后，基本不变。硅管约为0.7V，锗管约为0.3V，称为三极管的导通电压。5．与成非线性关系。输出特性曲线：在基极电流一定时，集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线1．截止区外部条件：发射结反偏或两端电压为零。工作特点：，，管子工作在截止状态。2．饱和区外部条件：发射结和集电结均为正偏。工作特点：，管子工作在饱和状态。称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。3、放大区外部条件：发射结正偏和集电结反偏。工作特点：Ic保持恒定(7)三极管的主要参数1．集电极最大允许电流三极管工作时，当集电极电流超过时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。2．集电极最大允许耗散功率当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。3．集电极――发射极间反向击穿电压管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。四、教学小结：三极管的基本概念、结构、工作特性以及电流放大作用。