课后习题三(第四章)

课后习题二（第四章）1、存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来（D）A.存放程序B.存放微程序C.存放特殊的数据D.存放数据和指令2、存储字是（A）A.存放在一个存储单元的二进制代码组合B.存放在一个存储单元的二进制代码个数C.存储单元的集合D.与存储器无关3、存储字长是指（B）A.存放在一个存储单元的二进制代码组合B.存放在一个存储单元的二进制代码个数C.存储单元的集合D.以上均不对4、存储周期是指（C）A.存储器的写入时间B.存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔C.存储器进行连续读或写操作所允许的最短时间间隔D.与存储器的具体实现技术无关5、和外存储器相比，内存的特点是（A）A.容量小、速度快、成本高B.容量小、速度快、成本低C.容量大、速度快、成本高D.容量大、速度慢、成本低6、一个16K×32位的存储器，其地址线和数据线的总和是（B）A.48B.46C.36D.327、一个512KB的存储器（按字节编址），其地址线根数是（D）A.64B.32C.20D.198、某计算机字长为16位，它的存储容量是64KB，按字编址，则它的寻址范围是（C）A.64KB.32KBC.32KD.无法确定9、某一RAM芯片，其容量为512×8位，如果考虑电源和接地引脚，则该芯片引出的引脚数最少是（A）A.21B.19C.17D.1510、若主存每个存储单元为16位，则（B）A.其地址线也为16位B.其地址线与16无关C.其地址线最少为16位D.其地址线与16有关11、通常计算机的内存可采用（A）A.RAM和ROMB.RAMC.ROMD.磁盘12、EPROM是指（C）A.只读存储器B.可编程的只读存储器C.可擦除的可编程的只读存储器D.电可擦除的可编程的只读存储器13、可编程的只读存储器（A）A.不一定是可改写的B.一定是可改写的C.一定是不可改写的D.以上均不对14、下列说法中（D）是正确的A.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆B.半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的C.半导体RAM是易失性RAM，而动态RAM中的存储信息是不易失的D.半导体RAM是易失性RAM，而静态RAM只有在电源不掉时，所存信息是不易失的15、下列说法中（B）是正确的A.EPROM是可改写的，但改写一次后不能再次改写B.EPROM是可改写的，且可多次改写C.EPROM是可改写的，是用电信号直接改写D.EPROM是可改写的，是用磁信号直接改写16、和动态MOS存储器相比，双极性半导体存储器的性能是（C）A.集成度高、存取周期快、位平均功耗少B.集成度高、存取周期快、位平均功耗大C.集成度低、存取周期快、位平均功耗大D.集成度低、存取周期快、位平均功耗少17、在磁盘和磁带两种磁表面存储器中，存取时间与存储单元的物理位置有关，按存储方式分（B）A.二者都是顺序存取B.磁盘是随机半顺序存取，磁带是顺序存取C.磁带是随机半顺序存取，磁盘是顺序存取D.二者都是随机半顺序存取18、磁盘的记录方式一般采用（A）A.调频制B.调相制C.NRZD.NRZ-119、在磁表面存储器的记录方式中（D）A.不归零制和归零制的记录密度是一样的B.不归零制的记录方式中不需要同步信号，故记录密度比归零制高C.归零制的记录方式中需要同步信号，故记录密度高D.不归零制记录方式由于磁头线圈中始终有电流，因此抗干扰性能好20、磁盘存储器的平均等待时间通常是指（B）A.磁盘旋转一周所需的时间B.磁盘旋转半周所需的时间C.磁盘旋转2/3周所需的时间D.磁盘旋转1/3周所需的时间21、一个四体并行交叉存储器，每个模块的容量是64K×32位，单体的存储周期为200ns，在下述说法中（B）是正确的A.在200ns内，存储器能向CPU提供256位二进制信息B.在200ns内，存储器能向CPU提供128位二进制信息C.在50ns内，存储器能向CPU提供32位二进制信息D.在50ns内，存储器能向CPU提供128位二进制信息22、主存和CPU之间增加高速缓冲存储器的目的是（A）A.解决CPU和主存之间的速度匹配问题B.扩大主存容量C.即扩大主存容量，又提高了存取速度D.降低主存价格23、在程序的执行过程中，Cache与主存的地址映射是由（C）A.操作系统来管理的B.程序员调度的C.由相应硬件自动完成的D.主存自身即可完成24、采用虚拟存储器的目的是（C）A.提高主存的速度B.扩大外存的存取空间C.扩大存储器的寻址空间D.以上都正确25、常用的虚拟存储器寻址系统由（A）两级存储器组成A.主存—外存B.Cache—主存C.Cache—外存D.以上任意组合均可26、在虚拟存储器中，当程序正在执行时，由（C）完成地址映射A.程序员B.编译器C.操作系统D.CPU以下为书上相关例题27、下列关于闪存（FlashMemory）的叙述中，错误的是（A）A.信息可读、可写，并且读、写速度一样快B.存储基元由MOS管组成，是一种半导体存储器C.掉电后信息不丢失，是一种非易失性存储器D.采用随机访问方式，可替代计算机外部存储器28、下列各类存储器中，不采用随机存储方式的是（B）A.EPROMB.CDROMC.DRAMD.SRAM29、下列关于RAM和ROM的叙述中，正确的是（A）I.RAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器II.RAM和ROM都采用随机存取方式进行信息访问III.RAM和ROM都可用作CacheIV.RAM和ROM都需要进行刷新A.仅I和IIB.仅II和IIIC.仅I、II和IVD.仅II、III和IV30、某计算机主存容量为64KB，其中ROM区为4KB，其余为RAM区，按字节编址。现要用2K×8位的ROM芯片和4K×4位的RAM芯片来设计该存储器，则需要上述规格的ROM芯片数和RAM芯片数分别是（D）A.1、15B.2、15C.1、30D.2、3031、用若干2K×4位芯片组成一个8K×8位的存储器，则地址0B1FH所在芯片的最小地址是（D）A.0000HB.0600HC.0700HD.0800H32、某计算机存储器按字节编址，主存地址空间为64MB，现用4M×8位的RAM芯片组成32MB的主存储器，则存储器地址寄存器MAR的位数至少是（D）A.22位B.23位C.25位D.26位33、某计算机的Cache共有16块，采用二路组相联映像方式，每个主存块大小为32字节，按字节寻址，主存单元129所在主存块应装入到的Cache组号是（C）A.0B.1C.4D.634、假设某计算机的存储系统由Cache和主存组成。某程序执行过程中访存1000次，其中访问Cache缺失（未命中）50次，则Cache的命中率是（D）A.5%B.9.5%C.50%D.95%问答题35、存储器的层次结构如何划分，计算机如何管理这些层次？36、什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。37、存储器如何分类，什么是存储器的局部性原理？38、描述Cache的读出和写入过程。39、设某CPU有16根地址线A15-A0，八根数据线D7-D0，并用MREQ（低电平有效）表示允许内存工作，WR（低电平有效）表示启动内存写操作。现有8片8K×8位的RAM芯片，画出使用74LS138译码器的存储器与CPU的连接图。如果运行时发现无论往哪片RAM写入数据后，以C000H为起始地址的存储芯片都有与其相同的数据，分析故障原因。40、设某机主存容量为16MB，Cache的容量为8KB。每字块有8个字，每字32位。设计一个四路组相联映射的Cache组织。要求画出主存地址字段中各段的位数。假设Cache初始为空，CPU依次从主存第0、1、2、…、99号单元读出100个字（主存一次读出一个字），并重复此次序读10次，计算命中率是多少。若Cache的速度是主存速度的5倍，试问有Cache和无Cache相比，速度提高多少倍。*答案略