电子产品装配与调试理论试题一

2014年赤峰市中等职业学校技能大赛电子产品装配与调试理论试题（一）座位号：姓名：得分：一、选择题（每题1分，共20分）1、将复印好印制电路的敷铜板加工成符合要求的电路板有蚀刻法、___和贴图法三种。（）A、水刻法B、刃刻法C、火刻法D、其他2、变压器的变压比n____1时是升压变压器,n____1时是降压变压器。（）A、小于,等于B、小于,大于C、大于,小于D、大于,等于3、集成电路T065的引脚排列如图所示，第一引脚是在______处。（）A、①B、②C、③D、④①②③④4、PN结加正向电压时，空间电荷区将。A、变窄B、基本不变C、变宽D、无法确定5、二极管正向电阻比反向电阻。A、大B、小C、一样大D、无法确定6、二极管的导通条件。A、VD0B、VD死区电压C、VD击穿电压D、以上都不对7、晶体二极管内阻是。A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻8、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。A、变好B、变差C、不变D、无法确定9、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该二极管。A、击穿B、电流为零C、电流正常D、电流过大使管子烧坏10、下面列出的几条曲线中，哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线。11、二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为。A、5μAB、10μAC、20μAD、30μA12、将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是。A、Uo=UiB、Uo=0.45UiC、Uo=0.5UiD、Uo=2Ui13、三极管三个极的对地电位分别是-6V、-3V、-3.2V，则该管是。A、PNP硅管B、NPN锗管C、NPN硅管D、PNP锗管14、NPN型三极管各电极的电位分别为VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在。A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到。A、R×100Ω或R×1KΩB、R×1ΩC、R×10ΩD、R×100Ω16、当环境温度升高时，二极管的反向电流将。A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少17、P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素18、N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素19、电容器在电子线路中的作用有耦合、旁路、振荡和。A、放大B、开关C、滤波D、饱和20、标注为棕、蓝、绿、黑、棕的电阻，其阻值为欧姆。A、1600KB、165C、1650D、1600二、判断题（每题1分，共30分）1、变压器在电路中的作用主要是改变交流电压、电流和阻抗交换。（）2、话筒主要有动圈式话筒、近讲话筒和驻极体话筒。（）3、万用表不用时，最好将转换开关旋到直流电压最高挡。（）4、无线话筒制作的调试过程中，如果增大线圈的间距，频率f减小。（）5、光敏电阻是一种对光线极为敏感的电阻。（）6、普通二极管正向使用也有稳压作用。（）7、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）8、二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。（）9、二极管仅能通过直流，不能通过交流。（）10、对于晶体二极管，当加上正向电压时它立即导通，当加上反向电压时，它立即截止。（）11、用数字万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体管的正向电阻，那么与标有“+”号的表笔相连接的是二极管正极，另一端是负极。（）12、任何电子电路都需要直流电源供电，因此需要直流稳压电源（）13、电容滤波效果是由电容器容抗大小决定的（）14、电容滤波器广泛运用于负载电流小且变化量不大的场合（）15、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）16、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）17、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）18、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）19、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）20、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）21、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（）22、放大电路的电压放大倍数和电流放大倍数一定都大于1（）23、由于放大的是变化值，所以输入直流信号时，任何放大电路的输出都没有变化（）24、放大倍数也可以定义为输出量瞬时值和输入量的瞬时值之比（）25、放大电路输出电阻的大小影响着负载或后级放大电路各种状态，因此它与外接负载电阻有关。（）26、多级放大器通频带比组成它的每个单级放大器的通频带要宽。（）27、阻容耦合放大电路，其耦合电容的选择应使信号频率在高频段时容抗为零。（）28、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。（）29、只有直接耦合放大电路中晶休管的参数才随温度而变化。（）30、互补输出级应采用共集或共漏接法。（）2014年赤峰市中等职业学校技能大赛电子产品装配与调试理论试题（二）座位号：姓名：得分：一、选择题（每题1分，共20分）1、在焊接元器件过程中，应该以______角方向迅速移开电烙铁。（）A、450B、600C、900D、18002、在一般印制电路板焊接中最常见的一种握法是______，此法适用于35W以下的小功率电烙铁。（）A、正握法B、反握法C、笔式握法D、正反握法3、一般要求三极管的正向电阻______越好，反向电______越好。（）A、越小，越大B、越大，越小C、越小，中等D、中等，越大4、光敏电阻是一种对__________极为敏感的电阻（）A、电压变化B、光线C、温度D、湿度5、晶体二极管的文字符号是______，晶体三极管的文字符号是______（）A、R，TB、C，LC、W，VTD、VD，VT6、二极管在反向截止区的反向电流。A、随反向电压升高而升高B、随反向电压升高而急剧升高C、基本保持不变D、随反向电压升高而减少7、某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管。A、正常B、已被击穿C、内部短路D、内部开路8、二极管从反向到正向导通所需时间t1，从正向导通到反向截止所需要的时间t2,则t1和t2的关系是。A、相等B、t1远大于t2C、t1远小于t2D、t1略小于t29、将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为。A、110VB、0.45×220VC、2×220VD、220V10、若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结。A、反向漏电流小，反向击穿电压低B、反向漏电流小，反向击穿电压高C、反向漏电流大，反向击穿电压高D、反向漏电流大，反向击穿电压低11、在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是。A、四只B、三只C、二只D、一只12、在整流电路中，设整流电流平均值为I0，则流过每只二极管的电流平均值IID0的电路是。A、单相桥式整流电路B、单相半波整流电C、单相全波整流电路D、以上都不行13、问以下哪种情况中，二极管会导通。A、B、C、D、14、用万用表测量小功率二极管极性时，应选用。A、直流电压挡量程5VB、直流电流挡量程100mAC、交流电压挡量程10VD、电阻挡量程R×10015、当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为。A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、二极管的伏安特性是非线性16、集成稳压电源CW7812的输出稳定电压为。A、12VB、-12VC、2VD、-2V17、单向晶闸管是一种可控制的单向导电开关，常用于的各类电路中。A、强电控制弱电B、弱电控制强电C、对弱信号进行放大D、对强信号进行放大fs18、串联型稳压电路中输出电压调整器件是。A、稳压二极管B、三极管C、场效应管D、集成运放19、晶体三极管处于放大区必须具备的条件是：（1）________；（2）________（）A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结反偏，集电结正偏C、发射极正偏，集电极反偏D、发射极反偏，集电极正偏20、硅材料二极管导通电压约为_______，锗材料的约为_______（）A、06～0.8V，0.1～0.2VB、0.6～0.8V，0.2～0.3VC、0.6～0.7V，0.1～0.2VD、0.6～0.7V，0.2～0.3V二、判断题（每题1分，共30分）1、集成电路的特点是可靠性高、寿命长；专用性强、使用方便；体积小、功能多。（）2、晶体三极管处于放大区必须具备的条件是发射结正偏和集电结反偏。（）3、装有磁芯或铁芯的线圈比空心线圈的电感量小。（）4、晶体三极管是电流控制型器件。（）5、话筒是将电信号转换为声音信号的电声元件。（）6、为了减轻信号源的负担并保证输出电压稳定，放大器应采用的反馈类型是电压并联负反馈。（）7、共集电路由于AVf≤1,故没有反馈。（）8、一个正反馈放大器就能产生正弦波振荡（）9、使用万用表也可直接测出振荡器的频率（）10、振荡电路与放大电路的主要区别之一是：放大电路的输出信号与输入信号频率相同，而振荡电路一般不需要输入信号。（）11、电路满足相位平衡条件，且AF=1，则可产生自激振荡。（）12、只要具有正反馈，就能产生自激振荡。（）13、对于正弦波电路而言，只要不满足相位平衡条件，即使放大电路的放大倍数很大，它也不可能产生正弦波振荡。（）14、功率放大倍数AP＞1，即Au和Ai都大于1。()15、功放电路与电压、电流放大电路都有功率放大作用。()16、输出功率越大,功放电路的效率就越高。()17、功放电路负截上获得的输出功率包括直流功率和交流功率两部分。()18、在三极管的输出特性曲线中，IB=0时的IC即为ICEO。（）19、若UeUbUc,则电路处于放大状态，该三极管必为NPN管。（）20、可利用三极管的一个PN结代替同材料的二极管。（）21、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而下降。（）22、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。（）23、晶体三极管为电压控制型器件。（）24、用万用表测得三极管的任意二极间的电阻均很小，说明该管的二个PN结均开路。（）25、在基本放大电路中，如果静态工作点过低，一出现饱和失真。（）26、正弦信号经共射放大器放大后出现上半周失真，表明偏置电阻RB的阻值太大。（）27、当集电极电流IC值大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管一定损坏。（）28、在基本共发射极放大电路中，当UCC增大时，若电路其他参数不变，则电压放大倍数应增大。（）29、NPN型和PNP型晶体管的区别是不但其结构不同，而且它们的工作原理也不同。（）30、晶体管具有放大作用。（）