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共13页第1页一、限做题(每题10分计70分)1、计算FCT(晶格常数为a,a,c)与BCT(晶格常数为a,a,c)晶格中(hkl)晶面的晶面间距d(hkl)与d(hkl),并图示说明FCT晶格与BCT晶格是等价的。答:考虑一个正交Bravais晶格,图中所示的是与通过坐标原点的(hkl)晶面最近邻的(hkl)晶面,该晶面在x,y,z三个坐标轴上的截距分别为a/h,b/k和c/l。晶面间距d(hkl)是上述两晶面间的垂直距离。假定(hkl)晶面的法向矢量d(hkl)与x,y,z三个坐标轴的夹角为1,2和3,had/cos1,kbd/cos2,lcd/cos3为d(hkl)的方向余弦。由于1coscoscos322212,故22222221clbkahdcdlbdkadh因而2222221)(clbkahhkld(3分)对FCT:222221)(clakhhkld(1分)对BCT:222221)(clakhhkld(1分)xyz123da/hb/kc/l共13页第2页(3分)两个FCT单胞ABCD-A’B’C’D’和BEFC-B’E’F’C’,G与H和G’与H’为上下表面中心原子,O为BB’C’C面中心原子。可见,GBHC-G’B’H’C’为一个BCT单胞,其中O为体心位置。AB=BC=a,AA’=c,GB=BH=a22=a’,BB’=c=c’,GBH=BHC=GG’B=90。因此,FCT与BCT是等价的。(2分)2、考虑一个在T0K具有N个原子与NL(V)个空位的一维单原子固体,说明空位浓度分数nv(T)=NL(V)/N可以近似地表示为nvΔl/l0-Δa/a0,其中l0=Na0,为固体在T=0K时的长度,Δl为长度的变化,a0固体在T=0K时的晶格常数,Δa为晶格常数的变化。答:O=原子,V=空位T=0K时:N个原子,无空位。OOOOOOOO原子间距为a0,总长度为l0=Na0(2分)T0K时:N个原子,NL(V)个空位。OVOOOOVOO原子间距为a,总长度为l=l0+Δl(2分)Δl=l–l0=Δl热膨胀+Δl空位(1分)Δl热膨胀NΔa(1分)Δl空位NL(V)a(1分)因此,ΔlNΔa+NL(V)a(1分)由于aa0故nv(T)=NL(V)/N00aallaaNal(2分)3、分别在FCC与BCC金属中图示出称为“哑铃”的双原子Frenkel对间隙的位置。答:图中给出了FCC与BCC晶体结构中稳定的“哑铃”状的双原子Frenkel对间隙的位置,两个黑色的原子分享一个晶格位置。FCC中“哑铃”的轴沿100方向,BCC中“哑铃”的轴沿110方向。共13页第3页FCCBCC(5分)(5分)4、用Debye模型计算二维晶体的潜热。答:总模数为2N,其中N为原子数,2为可能的激化数。因此,2/2/22222DDAkkkkAdN,其中A为二维晶体的面积。故有:ANkD/2内能可表示为:1exp/2/222kkkAdUD应用skc并引进变量kcxs,有:DxxsdxexcAU023221单位面积的热焓为dTdUACA//1,因此1133022223DDxDsxxSBAeTkcdxexCTkC(8分)因此,对二维晶体在低温极限:22236SBACTkC(1分)在高温极限:ANkCBA/2(1分)共13页第4页5、考虑一个厚度为Δx的无限大平板状固体,其中某一元素的浓度梯度dC/dx在空间的分布不为常数。由于扩散作用,该元素原子以净流量J1由平板的一侧流入,以净流量J2由平板的另一侧流出。试由Fick第一定律推导出Fick第二定律。答:考虑如下图所示的浓度分布C(x,t),其中浓度梯度dC/dx在空间的分布不为常数,因此净流量J(x,t)将随空间位置变化。由Δx=x2-x1薄层的一侧流进其中的净流量为J1,由另一侧流出其中的净流量为J2。(3分)由扩散产生的浓度分布随时间的变化率可由一维连续性方程给出:xJJxJJttxC21,(2分)由Fick第一定律有:dxdCDtxJ,(2分)因此,xCDxxdxdCxDdxdCxDttxC2211,(2分)此即dC/dx在空间的分布不为常数的情况下扩散的Fick第二定律。(1分)6、对一个具有四方对称性的晶体,如果让边长为a的立方样品达到热平衡,人们发现晶体外形会变为边长为a,b和b的四方形,求a与b。已知晶体(100)与(100)面的表面能为1,(010)、(001)、(010)和(001)面的表面能为γ2。答:ΔxJ1J2C(x)Cxaaa122a’b’b’122共13页第5页如图,假定初始态立方体的边长为a,故体积为Vi=a3。此时表面能为:222142aaUi(2分)发生四方变形后,对上下表面'ba,对高度'aa,故体积为2''baVf,此时表面能为:''4'2221babUf(2分)假定变形时体积不发生变化,32''abaVVVfi'/4'2221bVbUf(2分)将此式对b’求极小值,有:221'4'40'bVbbUf(2分)因此,3/112/'ab,3/221/'aa(2分)7、计算Si在1300K升华反应Si(s)Si(g)的平衡常数与Si(g)的平衡蒸气压Peq[Si(g),1300K]。答:molkJKgSiGf/766.2571300;0(1分)01300;0KsSiGf(1分)molkJTsSiGTgSiGTGffr/766.257,;000(T=1300K)(2分)而TsSiaTgSiPRTTGTKeqr,,exp0(2分)因此,K(1300K)=4.4Χ10-11(2分)假定固体Si的活度为1,即a[Si(s)]=1,那么Peq[Si(g),1300K]=K=4.40Χ10-11atm=4.85Χ10-6Pa(2分)共13页第6页二、选做题(选做2题,每题15分;共30分)1、考虑一个沿易轴方向磁化在零外加场下M=Ms的单畴单轴铁磁颗粒,其磁各向异性能密度为Ea=Ksin2,其中K0,为磁化强度M与易轴Ha之间的夹角。现在与易轴呈90的方向加一外加磁场H:(1)试说明颗粒各向异性能与静磁能密度的和为u()=Ksin2-μ0MHsin;(2)求与外加磁场大小H之间的关系;(3)画出磁化曲线。答:(1)在外加磁场H下,M=Ms的铁磁颗粒的静磁能密度为:sin)2cos(000HMHMHMussmag因此,各向异性能与静磁能密度的和为u()=Ksin2-μ0MHsin,(2)令0cossincos20HMKus,有两种可能的情况:情况1:cos=0(=90º),情况2:KHMs2sin0。为验证结果的稳定性,令0sincos2sin202222HMKKus,情况1.(=90º):时成立,仅当KssHMKHHMKu00222.002情况2:将KHMs2sin0代入022u,得到0222Ku,也就是K0。所以由KHMs2sin0确定,直到sKMKHH02,当HHK时,=90º。(4)沿外加磁场H方向的磁化强度,即MSsin的磁化曲线见下图:HaHMs由第(2)问知,KHMs2sin0,即KHMMss2sin20,直到H=HK,这是一条斜率为KHMs220的直线。当HHK时,=90º,M平行于H。注意此处没有损失。按粗糙界面的连续方式进行;而以形成二维晶核方式进行的长大,在任何情况下其可能性都是很小的。这是因为在过冷度很小的时候,二维晶核不可能形成;当过冷度增大时,又易于按连续长大方式进行。(2分)8、推导成分过冷的判别式并求出成分过冷的过冷度。答:设液相线的斜率为Lm,则液相熔点温度分布梯度可表示为:''dxdCmdxdTLLL要保持平界面凝固,界面处液相中的实际温度梯度LG应大于等于液相熔点分布的梯度:0''xLLLdxdCmG(2分)共13页第7页由式)exp(1)'exp(1100NLLLLDvxDvCCCC求出'/dxdCL,)exp(1'00'NLLLxLDvCCDvdxdC(2分)将式)exp()1(000NLEDvkkkk整理后得稳定态凝固LC:)exp()1(000NLLDvkkCC(2分)最后得:)exp(1000NLLLLDvkkCDmvG(2分)此乃“成分过冷”判别式的通用式。对于液相中没有对流的情况,N→∞,LLLLDTkDkCmvG0000)1(式中0000/)1(kkCmTL为结晶温度间隔,即)()(000CTCTTSL,说明结晶温度间隔愈大,“成分过冷”的倾向愈大,平界面愈容易破坏。(2分)固液界面前沿不同位置处,其“成分过冷”的程度可表示为:qLTTxT)('式中qT为液相中的实际温度,'xGTTLiq,其中iT为界面处的实际温度,LG为液相中的实际温度梯度;液相线温度LT可表示为:LLmLCmTT。(2分)共13页第8页另外,当平界面、液相只有扩散情况下达到稳定态生长时,固-液界面的iT可表示为:00/kCmTCmTTLmLLmi。所以)]'exp(1[)1(000xDvkkCmTTLLiL将LT及qT的表达式代入式qLTTxT)('得')'exp(1)1(000xGxDvkkCmTLLL为求该C区间内的最大过冷度,令0'/dxTd,得000)1(ln'kDGkCvmvDxLLLL此处的最大“成分过冷”度为:])1(ln1[)1(000000maxkDGkCvmvDGkkCmTLLLLLL(4分)9、三个成分相同,但铸造温度和铸模材料不同的铸件得到三种横截面:A.粗等轴晶B.细等轴晶C.典型三层晶带组织,试解释为何产生不同的组织。其中A为高的浇注温度,导热性差的砂模;B为低的浇注温度,导热性差的砂模;C为适中的浇注温度,导热性好的砂模。答:在合金成分一定的情况下,通过控制温度梯度与凝固速度,可使结晶以平界面方式转变为宏观的胞状晶形式。随生长速度的增加,胞状晶转变为胞状树枝晶。从胞晶组织的发展过程看,随着vG/的减小,胞晶的生长方向开始转向优势的结晶方向,胞晶的横断面受晶体学因素的影响而出现凸缘结构;当vG/进一步减小,凸缘上又会出现锯齿结构,即通常所说的二次晶臂,出现二次枝晶臂的胞晶称为胞状树枝晶;当凝固速度足够大时,二次臂还会长出三次臂,通常将这种一次臂与热流方向平行高度分枝(三次及三次以上)的晶体称为柱状树枝晶。(10分)浇注温度高则温度梯度大,砂模导热性差则凝固速度慢,因此三个成分相同、但铸造温度和铸模材料在凝固过程中满足条件:(vG/)A(vG/)B(vG/)C,所以出现三种横截面:A.粗等轴晶B.细等轴晶C.典型三层晶带组织。(6分)共13页第9页10、根据凝固理论说明材料铸态晶粒度的控制方法。答:细化晶粒不仅能提高材料的强度和硬度,还能提高材料的塑性和韧性。工业上将通过细化品粒来提高材料强度的方法称为细晶强化。(3分)控制铸件的晶粒大小,是提高铸件质量的一项重要措施。细化铸件晶粒的基本途径
本文标题:材料物理化学习题
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