巨磁阻效应实验报告数据

数据处理实验一线圈电流由零开始变化测得输出电压V和磁场B的关系如下图示由上图可以看出2mT以下部分传感器的输出电压和磁场变化情况接近线性变化，其灵敏度K=0.1325相关系数为0.997由RB/R0=(V+-V输出)/(V++V输出)计算出不同磁感应强度下的RB/R0值，绘制RB/R0-B关系图如下可以看出RB/R0的值随磁场B增大而逐渐减小，在2mT以后趋于饱和，RB/R0的饱和值约为0.9。则该传感器的电阻相对变化率(RB-R0)/R0的最大值约为0.9-1=-0.1=-10%实验二测量时，巨磁阻传感器工作电压V+为5.00v,线圈电流为0.06A。利用实验所得数据作V输出—COSθ关系图如下示：从图中可以看出在COSθ=0.6附近有一个瑕点外，具有较良好的线性关系V=0.1441COSθ，相关系数为0.9986，即传感器的输出电压与传感器敏感轴—磁场间夹角θ成余弦关系。问题思考1.如何避免地磁场影响，并解释原因。本次实验中亥姆霍兹线圈产生磁场来验证材料在有无磁场的情况下电阻的变化，必然会受到地磁场的影响，故我们在实验过程中每次旋转角度后，应重新调零，减小每次旋转角度地磁场对实验误差的积累。