半导体分立器件.

（三）.半导体分立器件1.常用半导体分立器件及其分类•半导体二极管(DIODE)•双极型晶体管(TRANSISTOR)•晶闸管•场效应晶体管(FET,FieldEffectTransistor)场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。普通二极管稳压二极管(ZENERDIODE)齐纳二极管zenerdiodes整流二极管三极管T0-226T0-3T0-220T0-23场效应管（MOSFET)MOSFET和三极管的主要区别1：MOSFET是电压控制器件，三极管是电流控制器件2．MOSFET输入阻抗很大，三极管输入阻抗比MOSFET小3．MOSFET输出电阻比三极管小，所以驱动能力强4．MOSFET截止频率比三极管截止频率高。如果这个器件的输出参数大小和输入的电流参数大小有关，就叫该器件是电流控制器件，简称流控器件；电流控制器件输入的是电流信号，是低阻抗输入，需要较大的驱动功率。例如：双极型晶体管(BJT)是电流控制器件、TTL电路是电流控制器件如果这个器件的输出参数大小和输入的电压参数大小有关，就叫该器件是电压控制器件，简称压控器件；电压控制器件输入的是电压信号，是高阻抗输入，只需要较小的驱动功率；例如：场效应晶体管(FET)是电压控制器件、MOS电路是电压控制器件晶闸管晶闸管•半导体二极管分类普通二极管：整流二极管、检波二极管、稳压二极管、恒流二极管、开关二极管等；特殊二极管：微波二极管、变容二极管、雪崩二极管、SBD、TD、PIN、TVP管等；敏感二极管：光敏二极管、热敏二极管、压敏二极管、磁敏二极管；发光二极管按照结构工艺不同，可分为点接触型和面接触型。按照制造材料不同，可分为锗管和硅管。点接触型结电容小，适用于高频电路。面接触型可通过较大的电流，多用于频率较低的整流电路。锗管正向导通电压约为0.2V，反向漏电流大，温度稳定性较差。硅管反向漏电流小，正向导通电压约为0.7V双极型三极管分类：按照结构工艺分类，有PNP和NPN型。按照制造材料分类，有锗管和硅管。按照工作频率分类，有低频管（3MHz以下）和高频管（几百MHz以上）。按照集电极耗散的功率分类，有小功率管（1W以下）和大功率管（几十W以上）。•场效应晶体管结型硅管：N沟道（外延平面型）、P沟道（双扩散型）、隐埋栅、V沟道（微波大功率）；结型砷化镓管：肖特基势垒栅（微波低噪声、微波大功率）；硅MOS耗尽型：N沟道、P沟道；硅MOS增强型：N沟道、P沟道。场效应管是电压控制器件,在数字电路中起开关作用；栅极的输入电阻非常高，一般可达几百MΩ甚至几千MΩ；场效应管还具有噪声低、动态范围大等优点。场效应晶体管特点：•晶闸管普通晶闸管：双向晶闸管：特殊晶闸管：正反向阻断管、逆导管等。2半导体分立器件的型号命名⑴国产半导体分立器件的型号命名（表1、2、3）表1第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分F发光管Z整流器L整流堆S隧道管N阻尼管APNP型锗材料X低频小功率管，fhfb＜3MHz，Pc＜1WBNPN型锗材料G高频小功率管，fhfb≥3MHz，Pc＜1W3三极管CPNP型硅材料D低频大功率管，fhfb＜3MHz，Pc≥1W表2第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分DNPN型硅材料A高频大功率管，fhfb≥3MHz，Pc≥1WE化合物材料U光电器件K开关管I可控整流器T体效应器件B雪崩管J阶跃恢复管CS场效应器件BT半导体特殊器件FH复合管PINPIN型管3三极管JG激光器件表3注：场效应管、半导体特殊器件等的型号命名只有三、四、五部分。例如：三极管NPN型硅材料高频小功率管产品序号规格号3DG6C场效应器件产品序号规格号CS1B⑵日本半导体分立器件的型号命名。共分五部分第一部分用数字表示器件的有效电极数目或类型符号0123…n-1含义光电二极管或三极管或包括上述器件的组合管二极管三极管或具有三个电极的其他器件具有四个有效电极的器件具有n个有效电极的器件第二部分注册标志符号S含义已经在日本电子工业协会（JEIA）注册登记的半导体器件第三部分用字母表示器件的使用材料极性类别符号ABCDEGHJKM含义PNP高频晶体管PNP低频晶体管NPN高频晶体管NPN低频晶体管P控制极可控硅N控制极可控硅基极单结晶体管P沟道场效应管N沟道场效应管双向可控硅第四部分用数字表示登记号此器件在日本电子工业协会的注册登记号，不同厂家生产的性能相同的器件可以使用同一登记号第五部分用字母表示改进型标志此器件是原型号产品的改进型三极管JEIA注册产品NPN高频晶体管2SC58日本半导体分立元件命名举例：JEIA登记号⑶欧洲半导体分立器件的型号命名第一部分用字母表示材料符号ABCDR意义锗材料，禁带0.6~1.0eV硅材料，禁带1.0~1.3eV砷化镓材料，禁带1.3eV锑化铟材料，禁带1.3eV复合材料共四部分第二部分用字母表示类型及主要特性符号ABCDEFG…意义检波、开关、混频二极管变容二极管低频小功率三极管（RTj15℃/W）低频大功率三极管（RTj≤15℃/W）隧道二极管高频小功率三极管（RTj15℃/W）复合器件及其他器件…第三部分用数字或字母加数字表示登记号符号3位数字字母加2位数字意义通用半导体器件的登记序号专用半导体器件的登记序号第四部分用字母对同一型号分档意义同一型号的半导体器件按某个参数分档欧洲半导体分立器件命名举例：稳压二极管专用器件登记号BZY88C允许误差±5%硅材料大功率开关管BU208硅材料器件登记号美国半导体分立器件的型号命名第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示器件的类别数字表示PN结的数目登记标志登记号器件分档JAN或J军用品1二极管N已经在美国电子工业协会（EIA）注册登记在美国电子工业协会的注册登记号同一型号的不同档次-非军用品2三极管nn个PN结器件美国半导体分立器件命名举例：EIA注册产品1N4007二极管EIA登记号3.半导体分立器件的封装及管脚塑料封装4。选用半导体分立器件的注意事项⑴二极管①切勿使电压、电流超过器件手册中规定的极限值，并应根据设计原则选取一定的裕量。②允许使用小功率电烙铁进行焊接，焊接时间应该小于3~5秒。③玻璃封装的二极管引线的弯曲处距离管体不能太小，一般至少2mm。④安装二极管的位置尽可能不要靠近电路中的发热元件。⑤接入电路时要注意二极管的极性。②大功率管的散热器与管壳的接触面应该平整光滑，中间应该涂抹导热硅脂以便减小热阻并减少腐蚀；要保证固定三极管的螺丝钉松紧一致。③对于大功率管，特别是外延型高频功率管，在使用中要防止二次击穿。⑵三极管①安装时要分清不同电极的管脚位置，焊点距离管壳不要太近，一般三极管应该距离印制板2~3mm以上。