《光纤通信》第4章复习思考题参考答案

原荣编著《光纤通信（第3版）》1第4章复习思考题参考答案4-1简述半导体发光基理答：在构成半导体晶体的原子内部，存在着不同的能带。如果占据高能带（导带）cE的电子跃迁到低能带（价带）vE上，就将其间的能量差（禁带能量）vcgEEE以光的形式放出，如图4.2.1所示。这时发出的光，其波长基本上由能带差E所决定。能带差E和发出光的振荡频率ov之间有hvE的关系，h是普朗克常数，等于6.6251034Js。由cv得出1.2398hcEE（m）（4.2.1）式中，c为光速，E取决于半导体材料的本征值，单位是电子伏特（eV）。图4.2.1半导体发光原理4-2简述激光器和光探测器的本质区别答：发光过程，除自发辐射外，还有受能量等于能级差hvEEEvc的光所激发而发出与之同频率、同相位的光（激光），即受激发射，如图4.2.2（b）所示。图4.2.2光的自发辐射、受激发射和吸收反之，如果把能量大于hv的光照射到占据低能带vE的电子上，则该电子吸收该能量后被激励而跃迁到较高的能带cE上。在半导体结上外加电场后，可以在外电路上取出处于高能带cE上的电子，使光能转变为电流，如图4.2.2（c）所示，这就是光接收器件。第4章复习思考题参考答案24-3自发辐射的光有什么特点答：对于大量处于高能带的电子来说，当返回vE能级时，它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此，这些光波可以有不同的相位和不同的偏振方向，它们可以向各自方向传播。同时，高能带上的电子可能处于不同的能级，它们自发辐射到低能带的不同能级上，因而使发射光子的能量有一定的差别，这些光波的波长并不完全一样。因此自发辐射的光是一种非相干光，如图4.2.2（a）所示。4-4受激发射的光有什么特点答：受激发射生成的光子与原入射光子一模一样，即它们的频率、相位、偏振方向及传播方向都相同，它和入射光子是相干的。4-5如何才可能实现光放大？答：激光器工作在正向偏置下，当注入正向电流时，高能带中的电子密度增加，这些电子自发地由高能带跃迁到低能带发出光子，形成激光器中初始的光场。在这些光场作用下，受激发射和受激吸收过程同时发生，受激发射和受激吸收发生的概率相同。用cN和vN分别表示高、低能带上的电子密度。当vcNN时，受激吸收过程大于受激发射，增益系数0g，只能出现普通的荧光，光子被吸收的多，发射的少，光场减弱。若注入电流增加到一定值后，使vcNN，g0，受激发射占主导地位，光场迅速增强，此时的P-N结区成为对光场有放大作用的区域（称为有源区），从而形成受激发射，如图4.2.3所示。4-6说出产生激光的过程答：激光器工作在正向偏置下，当注入正向电流时，高能带中的电子密度增加，这些电子自发地由高能带跃迁到低能带发出光子，形成激光器中初始的光场。在这些光场作用下，受激发射和受激吸收过程同时发生，受激发射和受激吸收发生的概率相同。用cN和vN分别表示高、低能带上的电子密度。当vcNN时，受激吸收过程大于受激发射，增益系数0g，只能出现普通的荧光，光子被吸收的多，发射的少，光场减弱。若注入电流增加到一定值后，使vcNN，增益系数g0，受激发射占主导地位，光场迅速增强，此时的PN结区成为对光场有放大作用的区域（称为有源区），从而形成受激发射，如图4.2.2（b）和图4.2.3所示。半导体材料在通常状态下，总是vcNN，因此称vcNN的状态为粒子数反转。使有源区产生足够多的粒子数反转，这是使半导体激光器产生激光的首要条件。原荣编著《光纤通信（第3版）》3p+n+EcEgEceV+-hvEv粒子数反转区EFnEFpEcEvEFpEFnEcEv价带空穴导带电子p+n+结电子（a）没有偏置时的能带图（b）正向偏置足够大时的能带图，此时引起粒子数反转，发生受激发射图4.2.3半导体激光器的工作原理半导体激光器产生激光的第2个条件是半导体激光器中必须存在光学谐振腔，并在谐振腔里建立起稳定的振荡。有源区里实现了粒子数反转后，受激发射占据了主导地位，但是，激光器初始的光场来源于导带和价带的自发辐射，频谱较宽，方向也杂乱无章。为了得到单色性和方向性好的激光输出，必须构成光学谐振腔。在1.3.2节中，我们已讨论了法布里-珀罗（Fabry-Perot）谐振腔的构成和工作原理。在半导体激光器中，用晶体的天然解理面（CleavedFacets）构成法布里-珀罗谐振腔，如图4.2.4所示。要使光在谐振腔里建立起稳定的振荡，必须满足一定的相位条件和阈值条件，相位条件使谐振腔内的前向和后向光波发生相干，阈值条件使腔内获得的光增益正好与腔内损耗相抵消。谐振腔里存在着损耗，如镜面的反射损耗、工作物质的吸收和散射损耗等。只有谐振腔里的光增益和损耗值保持相等，并且谐振腔内的前向和后向光波发生相干时，才能在谐振腔的两个端面输出谱线很窄的相干光束。前端面发射的光约有50%耦合进入光纤，如图4.2.3（a）所示。后端面发射的光，由封装在内的光电检测器接收变为光电流，经过反馈控制回路，使激光器输出功率保持恒定（图4.2.3（a）没有画出）。图4.2.5表示半导体激光器频谱特性的形成过程，它是由谐振腔内的增益谱和允许产生的腔模谱共同作用形成的。4-7激光器起振的阈值条件是什么答：阈值条件是使腔内获得的光增益正好与腔内损耗相抵消。4-8激光器起振的相位条件是什么答：相位条件是使谐振腔内的前向和后向光波发生相干。4-9光学谐振腔存在哪些损耗？答：光学谐振腔体存在的损耗有增益介质单位长度的吸收损耗和由于解理面反射率小于1而导致的损耗。4-10实际使用中为什么总是用热电制冷器对激光器进行冷却和温度控制第4章复习思考题参考答案4答：半导体激光器的阈值电流thI和输出功率是随温度而变化，另外，激光器的发射波长也随温度而变化。对于1.55m器件，每增加1℃，频率变化13GHz。频率随注入电流的变化虽然随器件而异，但典型值为每毫安变化130GHz。通常要求频率变化不应超过调制带宽的1/10。实验表明，假如偏流控制在0.1mA以内变化，采用自动温度控制后，波长稳定在几百兆赫变化，则现有商用DFB激光器就可以使用。许多商品化激光器组件包含了可以维持阈值电流相对恒定的器件，通常能够使温度稳定到0.1℃以下。图4.6.2表示使用反馈控制的激光器自动温度控制电路原理图。安装在热电制冷器上的热敏电阻，其阻抗与温度有关，它构成了电阻桥的一臂。热电制冷器采用珀尔帖效应产生制冷，它的制冷效果与施加的电流成线性关系。为防止制冷器内部发热引起性能下降，在制冷器上加装面积足够大的散热片是必要的。图4.6.2激光器的自动温度控制原理图4-11半导体激光器的基本特性是什么答：半导体激光器的基本特性有阈值电流、温度特性、波长特性。半导体激光器属于阈值性器件，即当注入电流大于阈值点时才有激光输出，否则为荧光输出。半导体激光器的阈值电流thI和输出功率是随温度而变化，另外，激光器的发射波长也随温度而变化。激光器的波长特性可以用中心波长、光谱宽度以及光谱模数三个参数来描述。4-12简述DFB激光器的工作原理答：DFB半导体激光器可分为两类：分布反馈（DFB）激光器和分布布拉格反射（DistributedBraggReflector，DBR）激光器。图4.3.6为DBR激光器的结构及其工作原理，如图所示，DBR激光器除有源区外，还在紧靠其右侧增加了一段分布式布拉格反射器，它起着衍射光栅的作用。这种衍射光栅相当于在3.4.5节介绍的频率选择电介质镜，也相当于在1.3.2节介绍的反射衍射光栅。衍射光栅产生布拉格衍射，DBR激光器的输出是反射光相长干涉的结果。只有当波长等于两倍光栅间距时，反射波才相互加强，发生相长干涉。例如，当部分反射波A和B的路程差为2时，它们才发生相长干涉。DBR的模式选择性来自布拉格条件，即只有当布拉格波长B满足同相干涉条件Λnm2B（4.3.2）时，相长干涉才会发生。式中，为光栅间距（衍射周期），n为介质折射率，整数m为布拉格衍射阶数。因此DBR激光器围绕B具有高的反射，离开B则反射就减小。其结果是只能产生特别的F-P腔模式，在图4.3.5中，只有靠近B的波长才有激光输出。一阶布拉格原荣编著《光纤通信（第3版）》5衍射（m=1）的相长干涉最强。假如在式（4.3.2）中1m，3.3n，B1.55m，此时DFB激光器的只有235nm。这样细小的光栅可使用全息技术来制作。图4.3.7DBR激光器结构及其工作原理4-13简述耦合腔波长可调谐激光器的工作原理答：耦合腔半导体激光器可以实现单纵模工作，这是靠把光耦合到一个外腔实现的，如图4.4.1所示。外腔镜面把光的一部分反射回激光腔。外腔反馈回来的光不一定与激光腔内的光场同相位，因为在外腔中产生了相位偏移。只有波长几乎与外腔纵模中的一个模相同时才能产生同相反馈。实际上，面向外腔的激光器界面的有效反射与波长有关，从而导致产生如图4.4.1所示的损耗曲线，它最接近增益峰，并且具有最低腔体损耗的纵模才变成主模。图4.4.1耦合腔激光器中的纵模选择性一种单片集成的耦合腔激光器称为C3激光器。C3指的是切开的耦合腔（CleavedCoupledCavity），如图4.4.2所示。这种激光器是这样制成的，把常规多模半导体激光器从中间切开，一段长为L，另一段为D，分别加以驱动电流。中间是一个很窄的空气隙（宽约1m），切开界面的反射约为30%，只要间隙不是太宽，就可以在两部分之间产生足够强的耦合。在本例中，因为DL，所以L段中的模式间距要比D段中的密。这两段的模式只有在较大的距离上才能完全一致，产生复合腔的发射模，如图4.4.2（b）所示。因此C3激光器可以实现单纵模工作。改变一个腔体的注入电流，C3激光器可以实现约为20nm范围的波长调谐。然而，由于约2nm的逐次模式跳动，调谐是不连续的。第4章复习思考题参考答案6图4.4.2C3激光器的结构及其单纵模输出原理4-14简述阵列半导体光放大器（SOA）集成光栅腔体激光器的工作原理答：阵列半导体光放大器（SOA）集成光栅腔体激光器，其发射波长可以精确设置在指定位置。借助激活该器件的不同SOA，不同波长梳的任一波长均可发射，其波长间距也可以精确地预先确定，而且该器件的制造也比较简单。与图4.4.3（a）表示的外腔半导体激光器相比，图4.4.6（a）表示的激光器可以看做单片集成两元外腔光栅激光器，即一个集成的固定光栅和一个SOA阵列，而不是仅用单个有源元件和外部的旋转光栅。当SOA阵列中的任何一个注入电流泵浦时，它就以它在光栅中的相对位置确定的波长发射光谱。因为这种几何位置是被光刻掩埋精确确定的，所以设计的发射波长在光梳中的位置也是精确确定的。阵列SOA集成光栅腔体波长可调激光器，其谐振腔类似于3.4.2节已讨论过的波导光栅复用/解复用器。在这种激光器中，右边的平板衍射光栅和左边InP/InGaAsP/InP双异质结有源波导条（SOA）之间构成了该激光器的主体。有源条的外部界面和光栅共同构成了谐振腔的反射边界。右边的光栅由垂直向下蚀刻波导芯构成的凹面反射界面组成，以便聚焦衍射返回的光到有源条的内部端面上。这些条是直接位于波导芯上部的InGaAs/InGaAsP多量子阱（MQW）有源区。这种激光器面积只有143mm2，有源条和光栅的间距为10mm，有源条长2mm，宽6~7m，条距40m，衍射区是标准的半径9mm的罗兰（Rowland）圆。由图4.4.6可见，从O点发出的光经光栅的PN和P0点反射后回到O点，产生的路径差L=2LN2L0，由1.2.2节可知，为了使从PN和P0点反射回到O点的光发生相长干涉，其相位差必须是2的整数倍[见式（1.2.8）]，由此可以得到与路径差有关相位差是原荣编著《光纤通信（第3版）》7图4.4.7阵列SOA集成光栅腔体波长可调激光器=1(2)kLm，m=0,1,2,（4.4.1）因为12kn，式中n是波导的折射率，所以可以得到与路径差有关（即与SOA位置