MOSFETIRF6602

MOSFETIRF6602InternationalRectifier●专用的MOSFET●理想的CPU核心DC-DC转换器●低传导损耗●低转换损耗●薄型●双面冷却兼容●兼容现有的表面贴装技术描述该IRF6602结合了最新的HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM包装实现最低的通态电阻的电荷产物在一个包具有一个SO-8和只有0.7毫米的足迹个人资料。DirectFET封装与功率应用中使用现有的几何布局，PCB组装兼容机设备和汽相，红外线或对流焊接技术。DirectFET封装允许双面冷却最大限度地提高电力系统的热传递，由80％提高以前的最好的热阻。该IRF6602平衡了低阻力和低电荷以及超低封装电感减少了导通和开关损耗。降低总损耗使这款产品非常适用于高效率的DC-DC转换器，电源最新一代的在较高频率下操作的处理器。该IRF6602进行了优化参数在同步降压转换器，包括RDS和栅极电荷的关键，以尽量减少在控制FET插座的损失。绝对最大额定值参数最大值单位VDS漏源电压20VID@TC=25℃连续漏电流,VGS@4.5v11AID@TC=70℃连续漏电流,VGS@4.5v8.8IDM漏电流脉冲88PD@TC=25℃功耗2.3WPD@TC=70℃功耗1.5线性降额因子18MW/℃VGS栅极-源极电压±20VTJ.TSTG结温和存储温度范围-55～+150℃热阻符号参数典型值最大值单位RJA结到环境——55℃/WRJA结到环境12.5——RJA结到环境20——RJC结到外壳3.0——RJ-PCB结到PCB安装1.0——静态@TJ=25℃(除非其他说明)参数最小值典型值最大值单位条件V(BR)DSS漏源击穿电压20————VVGS=0V,ID=250μAV(BR)DSS/TJ击穿电压温度.系数——0.022——V/℃Referenceto25°C,ID=1mARDS(ON)静态漏源——1013mVGS=10V,ID=11A——1419VGS=4.5V,ID=8.8AVGS(th)栅极阈值电压1.0——3.0VVDS=VGS,ID=250μAIDSS漏电流源————20AVDS=16V.VGS=0VVDS=16V.VGS=0V.TJ=125℃————125IGSS门极到源极前向漏电流————200nAVGS=20V门极到源极反向漏电流————-200VGS=-20V动态@TJ=25℃(除非其他说明)符号参数最小值典型值最大值单位条件gfs正向跨导20————SVDS=10V,ID=8.8AQg总栅极电荷控制场效应管——1320nCVGS=5.0V,VDS=10V,ID=8.8AQg同步FET的栅极电——11——VGS=5.0V,VDS100mV荷Qgs1前五栅源电荷——3.5——nCVDS=16V,ID=8.8AQgs2后五栅源电荷——1.3——Qgd门寄到漏极电荷——4.8——Qsw开关电荷——6.1——Qoss输出电荷——19——VDS=16V,VGS=0Vtd(on)延迟时间——11——nsVDD=15VID=8.8ARG=1.8VGS=4.5Vtr上升时间——58——Td(off)关断延迟时间——15——tf下降时间——5.5——Ciss输入电容——1420——pFVGS=0VVDS=10Vƒ=1.0MHzCoss输出电容——960——Crss反向转移电荷——100——击穿特性符号参数典型值最大值单位EAS单脉冲击穿能量——97mJIAR击穿电流——8.8A二极管特性符号参数最小值典型值最大值单位条件IS连续源电流————11Ap-n结二极管ISM脉冲源电流————88VSD二极管正向电压——0.831.2VTJ=25°C,IS=8.8A,VGS=0V——0.65——TJ=125°C,IS=8.8A,VGS=0Vtrr反向恢复时间——4262nsTJ=25°C,IF=8.8A,VR=15V。di/dt=100A/μsQrr反向恢复电荷——5177nctrr反向恢复时间——4364nsTJ=125°C,IF=8.8A,VR=15V。di/dt=100A/μsQrr反向恢复电荷——5582nc