ADI_培训介绍

AfterDevelopmentInspectionIntroduction显影后检查介绍光刻模组马万里2007.10.15目录ADI的一些技巧ADI作业流程和方法产品各层检验要点常见的光刻监控图形以及作用各产品光刻图形主要缺陷类型常见异常的处理方法ADI作业流程方法ADI缺陷检查线宽测量：非关键层不需要套准测量：第一层不需要显微镜检查（镜检）宏观检查（光检）1.正面检查2.背面检查常见的监控图形以及作用11游标－各层图形套准检查2dagger－监控shot内曝光均匀性3版偏转－检查光刻机步进误差4OVERLAY－Q7测试用针头对应的位置为读数。SHOT内不同位置的读数差不能超出3测量两边的间距，断定是否偏注意读数与图形所偏方向的关系每个SHOT内只有一处有此标记，位于SHOT起点常见的监控图形以及作用25九方格－PAD层套准检查6CDBAR－曝光量监控（品字可读）只用于套刻要求很松的层次7LOGO－常用于Q7测试时的对准点对准点品字型的也可读，右侧是曝光量偏小、正常、偏大的三种情况8版ID－注意检查是否用错版有些层次，对应很多版，如ROM层，需要十分小心主要缺陷类型1NO.异常大类异常项目异常描述Q7SM光检镜检1CDCD偏大CD测量结果超出规范√CD偏小3对偏预对准偏第一层光刻，平边处左右图形离平边距离相差大于1mm√√版偏转第一层光刻，版偏转游标读数结果大于0.1um√对位报警由于对准过程中出现异常报警导致的套准不良√套准不良九方格检查不合格或套准测量/读数结果超出规范√孔偏孔不在图形的中心√√3散焦背面颗粒由于wafer背面粘附有颗粒导致的散焦，面积较小√背面沾污由于wafer背面沾污导致的散焦，面积较大√载片台沾污连续多片甚至多批的同一位置出现散焦√边缘散焦wafer边缘出现散焦√shot边角散焦在shot边缘或四角出现散焦，但各shot的散焦位置不定√找平散焦在各shot内某固定位置出现散焦，影响整个圆片√主要缺陷类型2NO.异常大类异常项目异常描述Q7SM光检镜检4涂胶异常沾污涂花由于表面有颗粒、纤维等导致的涂花√胶量不足边缘呈锯齿状甚至大面积缺胶√涂胶不良光刻胶里有气泡、胶头不干净或其它原因导致的涂花(PAD)√去边不良去边宽度超出1.5±0.5mm规范，或边缘仍然有胶残留√√回溅圆斑状胶/EBR回溅异常√浮胶图形掀起或脱落，甚至大面积掉胶√√5曝光异常版缺陷重复出现在每一个shot内的同一位置√窗口缺陷由于步进距离或挡板位置不正确导致的缺陷√连条或瞎窗胶连、暗影等没有光刻开的现象√显影不净图形中残留光刻胶颗粒或底膜√用错掩模版wafer图形中的掩模版代码与流程卡不符√图形错位两层光刻图形相互错位√曝光不完全wafer上的部分有效区域没有被曝光√√曝光不均匀dagger标记读数结果超出规范√主要缺陷类型3NO.异常大类异常项目异常描述Q7SM光检镜检6其它异常胶划伤光刻胶层被划伤，导致本层光刻图形损坏√√胶下划伤光刻胶层之下的划伤√沾污氧化层、薄膜层内有沾污物√√晶圆破损wafer有缺口、裂痕等（引起碎片）√表面花表面颜色明显不均√其他以上各项目没有包括的异常项目主要缺陷类型4常见异常的处理1对偏的补偿处理产生原因？1.Stage步进精度2.标记受埙，位置信息采集不准确3.晶片本身形变4.程序设置处理办法？1.根据五点的测量/读数值，确定采用何种方式。（补偿/DBD）2.少数几个shot对偏过大，其他位置对准良好，可以采用DBD模式。3.整片都偏，并且方向基本一致，采用补偿的方式。（X/YOFFSET）注意补偿的方向和数值。4.更换曝光对位标记（换其他层次的程序曝光，比如metal的换成cont程序曝，但要注意曝光量和FOCUS）两种游标，读数都是+0.1，那么补偿值应该设置为多少？是正/负？X：偏右补负偏左补正Y：偏上补负偏下补正常见异常的处理2散焦的处理产生原因？1.晶片本身脏污造成局部起伏过大2.waferstage脏污3.晶片本身平坦度较差处理办法？1.根据散胶区域以及片数情况，确定是片子还是waferstage原因2.少数几片散胶，可以直接测试片子平坦度。3.连续多片或者整批散胶，用超平片测试waferstage平整度。4.擦拭waferstage（有时会出现擦拭后，再进片机台报警的情况，是由于擦拭过程中，遮住了有关激光，需要复位stage。）注：对于非关键层的散胶，要在显微镜下看一下图形是否受到影响（变形、模糊、胶残留、显不开），如果没有受到影响，可以直接在流程卡上记录位置后放行。对于线宽比较大的产品常需这样处理。对于边缘散焦的情况，如果不是台子脏污，可以不返工。(针对边缘shot只有少部分面积在晶片内)G7可以直接擦拭stageI9需要将台子移到back－left散焦引起的图形模糊变形常见异常的处理3划伤的处理产生原因？1.机台擦伤2.吸笔划伤处理办法？1.判断本层还是前层划伤（前层无记录的，本层添加记录）2.判断本层是胶上（有无划到薄膜）还是胶下划伤。（划到薄膜的，需要酸槽去胶）3.查看划伤面积4.确定返工方式。（酸槽/轨道/干法）注：去胶后，要在强光灯和显微镜下检查一下，是否还有残渣没有去掉。胶下划伤胶上划伤各层图形检验要点1第一层检验要点：1.预对准谝2.版偏转判断方法：1.预对准偏严重时，光检可以看出来。轻微时，可以在显微镜下，将主平边放大到最边缘一个die边缘刚好进入目镜，水平移动stage，看die边缘距离主平边距离变化。在后层曝光时，可以在stepper的屏幕上看到图形倾斜。严重时，手动找对准标记无法通过。2.版偏转可以直接读取版偏转游标目镜die主平边边缘预对准偏图形边缘与主平边不平行版偏转游标各层图形检验要点2N+P+LDD检验要点：1.显开区残留2.散胶引起的图形模糊注意：1.这些层次图形较大，前层有较多颜色，注意区分那些是本层图形。（在很多情况下，发现较多人将显微镜聚焦到前层图形，本层的图形并没有看清楚）本层图形，聚焦不当时，容易将此误认为有胶各层图形检验要点3POLY检验要点：1.断条2.虚条3.连条4.对偏判断方法：1.POLY条在如下图所示类型的台阶区域，较易出现虚条、断条缺陷，需重点检验，如果片子上有位置散焦，散焦处的此类位置会出现虚条、断条。2.连条位置多发生在密集的长条处。各层图形检验要点4CONT检验要点：1.孔谝2.瞎窗（未曝透）判断方法：1.较多孔开在POLY条上的突点上，直接看POLY条上孔相对突点边缘的距离可以快速判断cont层的套准情况。2.由于孔的位置有两类，开在POLY上/源漏区上，此两种。瞎窗易发生那个在其中一种上，在CDSEM下。可以分别找两类型的位置，看孔的颜色，并测CD值。（个别产品的孔层CDBAR处，有三组CD，就是在不同高度上，测此处也可以。）有无问题各层图形检验要点5METAL检验要点：1.对偏2.连条3.断条4.浮胶判断方法：1.长条分布较短条密集，且较细，容易连条。2.跨过较多台阶的胶条（显微镜下显示为调焦距，胶下有黑色的印痕），容易出现断条或者齿状。各层图形检验要点6PAD检验要点：1.PAD区域残留说明：1.本层对套准要求较为宽松，可以直接看图形的PAD显开方块是不是在PAD铝块中央即可。2.PAD显开区重点看边线，是否平直，边缘是否有残留物。3.注意区分METAL/PAD层图形。ADI的一些技巧1如何判断片子是否已经涂胶？如何判断本层薄膜颜色？如何判断前层的/散胶/划伤/层次？主平边角处有彩纹打标数字处有彩色影子在显微镜下观察去边胶分界处，有胶和无胶区域的颜色差异便于分清有胶和无胶的区域必须熟悉各层产品图形，了解各层图形的特点。诸如AA、POLY的图形形状是完全不同的各产品光刻图形1为什么要了解各产品各层图形？1.判断显开区域2.缺陷可能产生的区域3.清楚各层检验时该去看那些位置有那几类？1.CMOS（各产品差别不大）2.DMOS（各种产品差别较大）2.METALGATE（各种产品差别不大）获得渠道？1.各产品图形照片（光片上的图形产品片ADI图形）2.实物图形（各产品的各层图形曝在一个片子上）各产品光刻图形2MPW001014RING015ACTIVE300013500600各产品光刻图形3MPW002011TRENCH011BODY013SOUR500CONT600METAL各产品光刻图形4F0009014RING110ACTIVE300POLY500CONT600METAL各产品光刻图形5METALGATE(FOO15)PWN+P+RPMETALPAD结束谢谢！讨论时间