内存芯片识别方法

1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的标识；GM72V*****1**T**GM为LGS产品；72为SDRAM；第1，2个*代表容量，16为16Mbit，66为64Mbit；第3，4个*代表数据位宽，一般为4，8，16等，不补0；第5个*代表bank，2代表2个，4代表4个；第6个*代表是第几个版本的内核；第7个*如果是L就代表低功耗，空白为普通；“T”为TSOPII封装；“I”为BLP封装；最后的**代表速度：7：7ns(143MHz)7：7.5ns(133MHz)8：8ns(125MHz)7K：10ns(PC100CL2&3)7J：10ns(PC100CL3)10K：10ns(100MHz)12：12ns(83MHz)15：15ns(66MHz)2．Hyundai：现代的SDRAM芯片的标识HY5*************-**HY为现代产品，5*表示芯片类型，57为SDRAM，5D为DDRSDRAM；第2个*代表工作电压，空白为5伏，“V”为3；3伏，“U”为2；5伏；第3-5个*代表容量和刷新速度：16：16Mbit，4kRef64：64Mbit，8kRef65：64Mbit，4kRef128：128Mbit，8kRef129：128Mbit，4kRef256：256Mbit，16kRef257：256Mbit，8KRef第6，7个*代表数据位宽，40，80，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；第8个*代表bank，1，2，3分别为2，4，8个bank；第9个*一般为0，代表LVTTL（LowVoltageTTL）接口；第10个*可为空白或A，B，C，D等，代表内核，越往后越新；第11个*如为L则为低功耗，空白为普通；第12，13个*代表封装形式；最后几位为速度：7：7ns(143MHz)8：8ns(133MHz)10P：10ns(PC100CL2/3)10S：10ns(Pc100CL3)10：10ns(100MHz)12：12ns(83MHz)15：15ns(66MHz)3．Micron：Micron的SDRAM芯片的标识；MT48****M**A*TG-***MT为Micron的产品；48代表SDRAM，其后的**如为LC则为普通SDRAM；M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量；A*代表writerecovery（tWR），如A2表示tWR=2clkTG为TSOPII封装，LG为TGFP封装；最后的**代表速度：7：7ns(143MHz)75：7.5ns(133MHz)8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好；10：10ns(100MHzCL=3)；例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。如何根据内存芯片标识识别内存(二)----许多朋友都会遇到这样一个问题，在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别，在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制，这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。一、现代SDRAM内存芯片的识别----现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:HY5XXXXXXXXXXXXX-XX①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩----“HY”表明是现代的产品。----①代表的是内存芯片种类:“51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDRSDRAM。----②代表工作电压:“U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。----③代表一个内存芯片的密度和刷新速度:其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。----④代表芯片输出的数据位宽:其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。----⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成:其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。----⑥代表内存接口:一般为“0”，代表LVTTL接口。----⑦代表内存版本号:空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。----⑧代表功耗:其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示为正常功耗芯片。----⑨代表封装类型:其编号与封装类型的对应关系如下:“JC”:400milSOJ“TC”:400milTSOP-Ⅱ“TD”:TSOP-Ⅱ“TG”:TSOP-Ⅱ,GOLD----⑩代表速度:其编号与速度的对应关系如下:“7”:7ns(143MHz)“8”:8ns(125MHz)“10p”:10ns(PC-100CL2或3)“10s”:10ns(PC-100CL3)“10”:10ns(100MHz)“12”:12ns(83MHz)“15”:15ns(66MHz)二、LGSDRAM内存芯片的识别----LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:GM72VXXXXXXXXXXX①②③④⑤⑥⑦⑧----“GM”代表LG的产品。----“72”代表SDRAM。----“V”代表工作电压为3.3V。----①代表一个内存芯片的密度和刷新速度:其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。----②代表数据位宽:其中“4”、“8”、“16”分别代表4位、8位、16位等。----③代表内存芯片内部Bank:其中“2”表示2个Bank，“4”表示4个Bank。----④代表内存接口:“1”代表LVTTL。----⑤代表内核版本。----⑥代表功耗:其中“L”代表低功耗，空白则代表常规功耗。----⑦代表封装类型:“T”表明是TSOP-Ⅱ封装，如果是“I”则代表BLP封装。----⑧代表速度:其编号与速度的对应关系如下:“75”:7.5ns(133MHz)“8”:8ns(125MHz)“7K”:10ns(PC-100CL2或3)“7J”:10ns(100MHz)“10K”:10ns(100MHz)“12”:12ns(83MHz)“15”:15ns(66MHz)三、KingMaxSDRAM内存芯片的识别----KingMax公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:KMXXXSXXXXXXX-XXX①②③④⑤⑥⑦⑧⑨⑩----“KM”表示KingMax的产品。----①代表内存芯片种类:“4”代表DRAM。----②代表内存芯片组成个数:“4”代表×4，“8”代表×8，“16”代表×16。----“S”表明是SDRAM。----③代表一个内存芯片密度:“1”代表1Mbit，“2”代表2Mbit，“4”代表4Mbit，“8”代表8Mbit，“16”代表16Mbit。----④代表刷新速度:“0”代表4KRef，“1”代表2KRef，“2”代表8KRef。----⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成:“2”代表2个Bank，3代表4个Bank。----⑥代表内存接口:“0”代表LVTTL，“1”代表SSTL。----⑦代表内存版本:空白代表第1代，“A”代表第2代，“B”代表第3代。----⑧代表封装类型:“T”代表封装类型为TSOP-Ⅱ。----⑨代表电源供应方式:“G”代表自动刷新，“F”代表低电压自动刷新。----⑩代表最少存取周期(最高频率):其编号与速度的对应关系如下:“7”:7ns(143MHz)“8”:8ns(125MHz)“10”:10ns(100MHz)“H”:100MHz@CAS值为2“L”:100MHz@CAS值为3----例如内存标识为“KM416S16230A-G10”指的是KingMax的16Mbit×16=256MbitSDRAM内存芯片，刷新为8KRef，内存Bank为3，内存接口为LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100MHz)。内存编号识别(三)内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAMPC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。1、PC66/100SDRAM内存标注格式（1）1.0---1.2版本这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合IntelPC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。（2）1.2b+版本其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。2、PC133SDRAM（版本为2.0）内存标注格式威盛和英特尔都提出了PC133SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。PC133SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4nstAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。3、PC1600/2100DDRSDRAM（版本为1.0）内存标注格式其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL