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2010-09-181TEL8500Review2010-09-18TEL8500TEL公司旗下TEL5000/TEL8500型号属于六寸FABOXIDE(氧化物)刻蚀的主流机型。其优点是效率高,工艺、设备等方面性能稳定。跟欧美同工艺的其他机型比起来,有着明显的体积优势,无论从辅机,还是到自身的传送部件,都做到了很好的整合,不浪费一点多余的空间。该机型的结构主要由主机、热交换机组件、真空系统、供电模块、操作控制模块等五大部分组成,其工艺环境是在压力50mt-1000mt,下电极温度0度左右(靠He气直接作用晶圆背面和热交换机提供的冷却液使下电极盘降温),使用特殊气体CF4、CHF3、SF6,惰性气体Ar、N2等离子化后轰击在晶圆表面,通过操作模块控制其腐蚀过程来刻出所需要的图形。2010-09-18TEL8500Safety:本手册包括以下标记和定义,当工作涉及到一些危险。这些符号表示不同工作中不同水平的的危险和需要的预防措施。2010-09-18TEL8500这是严重警告,可能导致严重的或致命的人身伤害。这是警告,可能会导致严重的人身伤害。2010-09-18TEL8500这是工作时的注意事项有人身伤害的可能性,并对蚀刻人员造成伤害。为蚀刻维护和操作人员的安全提供的意见。,让维修工作给家方便以及设备运行更顺畅。2010-09-18TEL85002010-09-18TEL8500-工艺腔2010-09-18TEL8500物理干法刻蚀使用离子、电子或光子轰击使材料蒸发而移除。离子轰击能量转移到表面SiF4COCFx吸附层SiO2(C)(O)刻蚀反应产物2010-09-18TEL8500Tel8500--氧化硅刻蚀机台2010-09-18TEL85002010-09-18TEL85002010-09-18TEL8500IndexerCassette(片架)放置的处,机械手臂从此处取出Wafer。2010-09-18TEL85002010-09-18TEL85002010-09-18TEL8500-LoadLock2010-09-18TEL8500LoadLock1(L/L1):ThistransferthewaferfromPrealignmenttotheProcessChamber.LoadLock2(L/L2):ThistransferthewaferfromtheProcessChambertotheAfterTreatmentChamber.IftheetcherisnotequippedwithanAfterTreatmentChamber,oritisnotinuse,thewaferistransferredfromtheProcessChambertotheExitStation.LoadLock3(L/L3):ThistransferthewaferfromtheAfterTreatmentChambertotheExitStation.2010-09-18TEL8500BecauseitisnecessarytomaintainaconstantvacuumstateinsidetheProcessChamberandAfterTreatmentChamber,theairpressureisadjustedwhentransferringthewafer.Whentransferringthewaferintoandoutfromatmosphericpressure,theairpressureinsideoftheLoadLockisatatmosphericpressure.Conversely,whentransferringtotheProcessChamberandAfterTreatmentChamber,avacuumiscreatedinsideoftheLoadLock.Thereisagatelocatedatthewafer’sentrancesandexitswhichmovesupanddown.Itcloseswhentheairpressureisbeingadjusted.ThewaferisplacedontheWaferHolderandistransferredbytheexpansionandcontractionofthearmandtherotationoftheWaferHolder.2010-09-18TEL8500HandlingArm机械手臂用于各个工艺腔室间移动wafer。2010-09-18TEL8500HandlingArm2010-09-18TEL8500Controller这是一种用于控制蚀刻设备用于控制工艺参数等操作。2010-09-18TEL85002010-09-18TEL8500PUMP这是一个排气装置,创造一个在反应室真空度(工艺室和后处理室)及其毗邻的传送装置(负载锁)。2010-09-18TEL8500RFGenerator这是一个高频电源装置的反应室。提供刻蚀机匹配的电源控制电压。2010-09-18TEL8500DryAir:CoolingWater:PowerSupply:0.59兆帕(6kg/cm2)用于wafer在刻蚀设备真空腔中移动的动力。用来冷却蚀刻机内部各个腔室温度200伏3相用于提供蚀刻设备的主电源。2010-09-18TEL8500ProcessGas:N2Gas:HeGas:反应气体作为刻蚀的作用。这是用来使真空腔带来压力这是注入之间的晶圆背面与下电极,用于增加的热量均匀水平并就与热板的热交换效率更高。2010-09-18THEENDTHANKYOU
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