Film电容式触摸屏--(PPTminimizer)

L/O/G/OFilm电容式触摸屏报告内容电容屏电容屏结构12电容屏IC电容屏原理345678电容屏成本Film电容屏产线及技术路线电容屏客户电容屏专利9电容屏设计&合作电容屏——电容电容运用——按键两导电靠近但是绝缘即形成电容，电容的大小表示为：电容屏分类目前，自电容和互电容屏是电容屏技术中的主流•因为失真，很少采用•自电容屏•Self-CapacitanceTP•互电容屏（投射电容屏）•Mutual-CapacitiveTP表面电容屏内表面电容电容屏结构电容式触摸屏包括1强化玻璃面板Sensor：玻璃或者FilmFPCIC234电容屏结构类型结构透过率1玻璃Single-ITO88%2Double-ITO88%3Film85%面板玻璃(0.55~0.7mm)Single-ITOglass(0.55mm)面板玻璃0.55~0.7mmDouble-ITOglass0.55mm面板玻璃0.55~0.7mmITOfilm0.05~0.188mmITOfilm0.05~0.188mm电容屏ICIC公司1美国Synaptics（新思）2Cypress（塞普拉斯）3Atmel（爱特美尔）4Avago5韩国Melfas（美法斯）6台湾Sitronix（矽创）7ITE（联阳）8EETI（禾瑞亚）9Mosart（华矽）10SIS（矽统）11ILITEK（奕力科技）12香港Solomon（晶门科技）13大陆FocalTech（敦泰）14Pixcir（翰瑞）电容屏原理x0x1x2x3y0y1y2y3y4y5ynxm电容屏原理VstimDriverCASensorVstimDriverQT1T2CASensorFilm电容屏iPhoneHTCGlass电容屏电容屏行情SumsungLGMotorolaSumsungMotorolaMEIZUSony电容屏成本Film式--1层Film式--2层Film式--3层Glass电容屏1模具费2材料费3良率(total)4工艺5设备6状况5K/套10K/套15K/套40K/套少中(一般用)贵贵高(75%以上)中(70~75%)低(60~70%)低(60~80%)简单同电阻同电阻(难)流程长同电阻屏同电阻屏同电阻屏黄光批量量产量产量产Film电容屏产线印刷车间精密导线印刷机精密蚀刻线精密贴合机ACF邦定机环境测试Film电容屏技术路线ProcessTechnology丝网印刷（单片印刷）丝网印刷（Roll-to-Roll）曝光显影（Roll-to-Roll）Present2011-032011-04Linewith：30&30um电容屏专利专利号名称类型发明人200920136037.1互电容屏实用新型唐根初，蔡荣军201020268262.3电容屏实用新型唐根初，蔡荣军201010234341.7一种透明导电材料发明唐根初，蔡荣军，吕敬波201020148105.9一强化玻璃面板实用新型徐少东，唐根初2009101093407电容式触摸屏导电线路发明唐根初，蔡荣军2010105072188超薄电容式触摸屏实用新型唐根初，蔡荣军2010105072277单层电容式触摸屏发明唐根初，蔡荣军2010205775901窄边框电容式触摸屏实用新型唐根初，蔡荣军电容屏设计沟通1.IC是连接屏与手机2.通讯方式一般为I2C（6pin）。如有需求，SPI也可以（4pin）.3.IC的驱动电压一般为~3.0V.4.手机系统：Andriod等响应速度好屏体ICFPC——IIC电容屏设计沟通5.IC的尺寸从4×4mm,5×5mm,6×6mm，还包括辅助电阻、电容，再加上补强板，因此在手机上需要留12×12×1.2mm的空间容纳这些组件6.手机上的显示模组、WiFi等发射器需要与TP保持一定距离，降低干扰电容屏设计沟通7.边框要求主要是左右边框及FPC所在方的边框存在要求电容屏设计沟通7.边框要求显示模组类型VA左右边框上下边框出FPC边显示模组类型VA左右边框上下边框出FPC边4：32.5”1.63.216：92.5”1.653.12.8”1.653.252.8”1.73.163”1.73.253”1.753.23.2”1.753.353.2”1.83.23.5”1.83.353.5”1.853.353.8”1.853.453.8”1.953.4Glass电容屏边框要求注：上述参数为参考Synaptics设计标准单位：mm电容式触摸屏——设计沟通7.边框要求Film电容屏边框要求注：上述参数为参考Synaptics设计标准.Ag线pich:0.16mm,FPC的Cu线pich:0.14mmVA出PIN端Ag走线宽度AFPC走线宽度B左右边框C上线边总宽度A+B2.5”4.46~4.982.14~2.422.66.7~7.42.8”4.46~4.982.14~2.422.76.7~7.43.0”4.66~4.982.14~2.422.86.7~7.43.2”4.98~5.32.42~2.72.87.4~8.03.5”5.3~5.622.7~2.982.948.0~8.64.3“5.62~5.942.98~3.243.38.6~9.28单位：mmABCVA电容屏设计沟通8.目前很多的设计中，FPC出pin的位置是电阻屏与电容屏设计与一体，即10pin的结构。(1)单点——同电阻屏的操作(2)多点——同iPhone的操作(3)单点+手势——类似iPhone的功能9.芯片存在不同类型：电容屏开发合作方式1.电容屏项目：手机商手机方案商IC商触摸屏厂2.IC的选定：3.IC位置：客户指定O-film指定，优选Synaptics&Cypress。IC位于主板还是位于TP上，请方案商确定需要非常紧密合作才能完成手机的调通工作Content切割制程FOG制程Lamination制程切割制程分類刀輪切割(WheelCut)雷射切割(LaserCut)直線切割異形切割STVI磨邊切割清洗切割流程切割制程刀輪切割製程利用鑽石刀輪的超高硬度在適當的壓力下切割和裂片SensorClass,將Cut切成Chip玻璃刀輪主要製程條件:刀輪速度刀輪壓力影響因素:刀輪下壓量,刀輪類型(材質,角度,內外直徑),刀輪磨損程度制程管控點:切割精度SPC,SurfaceCrack,MedianCrack(切割断面)Normal(Micro)PenettAPIO平滑U形凹槽V形凹槽材質型號1.鑽石燒結-DCWTX2.碳化鎢-CWT1.鑽石燒結-SDX2.碳化鎢-SC1.鑽石燒結-DCWT2.碳化鎢-CWTTypeNANAO(D)外徑(mm)OOO(H)內徑(mm)OOO(T)厚度(mm)OOO角度(度)OOO齒數NAONA型號標註項目外觀目前CTP採用APIOAType刀輪.DHT1.現行使用之刀輪種類:切割制程1-1.Normal刀輪1.Normal刀輪切裂時,常需搭配裂片製程2.刀壓越大,外徑越小,角度越小,MedianCrack越深3.玻璃越薄時,刀輪角度與外徑越小越適用角度外徑(mm)切割制程1-2.(Micro)Penett刀輪10010511011512012511010A13510BC1407170523033603DPenettMicroPenett角度(度)齒輪數Item齒輪深度(um)1.Penett刀輪,可產生較深的有效MedianCrack,因此常可省去裂片製程2.Penett刀輪的鋸齒狀設計,會產生較差的SurfaceCrack,因此要求破裂強度時,可採用齒數較多的型號3.玻璃越薄時,刀輪角度越小與齒數越多越適用單板0.6~0.7mm單板0.5mm單板0.4mm單板0.3~0.2mmA,CLH2ndCutBT0/T12ndCutDLH2ndCut新使用(D:2.0,T:0.65,H:0.8mm)切割制程1-3.APIO刀輪(AllPurposeInOne)1001051101151201251302.000.650.803.000.650.80B3.000.650.80C3.000.650.803.000.650.80Type材質Item角度(度)H(mm)T(mm)D(mm)APIO-DCWT鑽石燒結AAPIO-CWT碳化鎢B單板0.4~0.7mm單板0.3mm單板0.3~0.2mm單板0.2~0.1mm1.APIO為較新開發出的刀輪,期望具備Normal刀輪較佳的SurfaceCrack,同時像Penett刀輪無須裂片製程2.玻璃厚度0.4mm時,常還是需要裂片製程TypeA:適用在FPD用的Cell基板TypeB:適用在單板玻璃TypeC:適用在FPD用的Cell基板,可提升邊緣強度(外形更接近Normal刀輪)切割制程1-4.刀輪類型切割效果比對項目Normal(Micro)PenettAPIO平滑U形凹槽V形凹槽SurfaceCrack外觀判斷方式SurfaceCrack平滑SurfaceCrack週期性排列,由週期長度可以出粗估齒數SurfaceCrack週期性排列,週期長度固定為約34um刀輪外觀切割制程異形切裂製程1.利用刀軸不固定,可360度旋轉的方式,達到異形切裂製程2.刀輪同一般切裂製程所使用的,並無特殊需求3.良率考量,建議Stick=Chip生產模式,且不建議SidebySideStick3~5mm建議排版方式一般切裂Stage,刀軸分開動異形切裂Stage,刀軸一起動2.8’’Demo品切割制程雷射切割製程1.刀輪先在邊緣形成Crack,再利用雷射與冷卻系統,進行熱脹冷縮的ThermalStress效應,使Crack成長2.玻璃的熱膨脹係數越高,越適合雷射切割製程(Soda-Lime-Silica較適合)InitialCrack刀輪CO2Laser,=10.6um二流體(水+空氣)MDITensileStressCompressiveStressCoolingSystemLaserSourceGlassSubstrateCuttingDirectionInitialCrack主要製程條件:切割速度雷射能量影響因素:雷射能量衰減制程管控點:切割精度SPC,SurfaceCrack切割制程裂片制程Step1:BreakM/StostripeStep2:BreakstripetochipBreaksequenceBreakMethodBreaksequenceBreakMethod切割制程常見切割不良1.從段面對比圖片來看,雷射切割後,玻璃斷面幾無任何Crack,而刀輪切割則度面粗糙,存在很多細微crack.所以從破裂強度來看,雷射切割高於刀輪切割.(H3出貨350DLab破片就是因為刀輪切割,導致強度不夠到LAM破片)2.雷射切割如果雷射power強度過大,會導致玻璃表面產生橫向的延伸型裂痕,導致玻璃強度下降,造成破片.刀輪切裂段面雷射切裂段面橫向延伸性裂痕表面缺角導致強度下降切割制程磨邊制程主要製程條件:切削速度,研磨進給速度,研磨轉速影響因素:磨輪類型,磨輪壽命制程管控點:磨邊精度SPC磨邊部分切割制程清洗制程主要製程條件:水槽溫度,超音波強度,烘乾溫度影響因素:洗劑濃度,純水更換頻率,切割磨邊後待清洗時間.制程管控點:去污效果(贓污,白點)#1#2#3#4#5#6CleanProcess#1#2#3#4#5#6CleaningagenttankDIwatertankSlowuptankDryTankFunctionCleanstain&particleCleanagentandparticleRemovewatermarkUsehotairtodry超音波清洗機為6槽式,第1槽由洗劑與超音波搭配對產品表面particle以及一些有機物進行清洗,第2,3槽為純水與超音波,對產品進行清洗.第4槽為純水引上槽,產品會慢慢從水從成一定角度升起,使殘留在產品上的水儘量減少.第5,6槽為烘烤槽,使用熱風將產品