经典的存储器介绍!..

第一章8086程序设计第二章MCS-51程序设计第三章微机基本系统的设计第四章存贮器与接口第五章并行接口第六章计数器、定时器与接口第七章显示器与键盘接口第八章串行通信及接口第九章数模转换器和模数转换器接口本章知识点•常用存贮器*•微处理器与存贮器的连接*•存贮器信息的断电保护**本章知识点•常用存贮器*•微处理器与存贮器的连接*•存储器信息的断电保护**常用存贮器只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM只读存储器只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM只读存储器•只读存贮器（ROM）的信息在制造时或通过一定的编程方法写入，•在系统中通常只能读出不能写入；•在断电时，其信息不会丢失；•它用来存放固定的程序及数据，如监控程序、数据表格等。只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM只读存储器只读存储器EPROM•能够重复编程•光檫除，整片一起檫除•写入数据的字节数无限制•用编程器编程A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CE-PGM221242534567891022202719181716151312112764VPP1O7O6O5O4O3O2O1O023EPROM27648KX8字节存储器只读存储器2764工作方式读-CE-OE-PGMVPP数据线维持编程编程校验编程禁止LHVCCLHLLLXXLXXHXLVCCVPPVPPVPP输出输出输入高阻高阻只读存储器由于EPROM的擦或写均需专用设备，在使用时即使只要求修改一个或少数几个数据也需要将其从系统中取出，编程后再装入系统，只读存储器•光擦除的EPROM用于存放程序或固定的数据，通常只需采用其读出工作方式;•-CE为片选信号;•-OE为程序存储器的读信号。只读存储器•EPROM•AT27C256R•32KX8字节•存储器只读存储器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CEVPP223212425345678910222011918171615131211AT27C256RA14A132726O7O6O5O4O3O2O1O027C256R工作方式-CE-OEAiVPP数据线VILVCCVIHXXVCCVPP输出输入高阻高阻VILVILVILVIHXVIHAiAiVCCVIHXVPP输入高阻高阻VILVIHAiVCCXVILVILAiVPP读暂停快速编程禁止输出选择的编程校验编程禁止编程校验只读存储器只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM只读存储器只读存储器E2PROM•能够重复编程•电檫除，在写入的同时檫除•字节与页（64字节）的写入方式•写入包括了数据锁存与编程•编程时间10mS•可在系统中编程•E2PROM•AT28C256•32KX8字节•存储器只读存储器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CE-WE2232124253456789102220271918171615131211AT28C256A14A13126I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0只读存储器AT28C256的工作方式-CE-OE-WE数据线VILVIH输出输入高阻VILVILVILVIHXVIH高阻高阻VILVHXVIL读写暂停禁止写VIHVILX写禁止写禁止输出禁止整片擦除XXXVIHXX•E2PROMAT28C256的数据读出类似于静态RAM（SRAM）的数据读出，只需提供地址信号和读控制信号即可。•当-CE和-OE为低，-WE为高时，存储在由地址信号决定的存储单元内的数据呈现在数据输出端。只读存储器•AT28C256的数据写分为字节写入和页写入两种模式。•在器件内包含了一个64字节的页寄存器，允许最多写入64个字节（一页）的数据。•写入操作包括数据锁存和编程2个过程，写周期最大为10ms。在写入操作的同时，原先的数据即被擦除。•AT28C256不需提供额外的高编程电压，外部只需提供5V的电压即可。只读存储器只读存储器•在字节写入模式时，一个字节的数据先被锁存，接着进行编程操作。•当-OE为高时，如-CE为低、-WE输入一负脉冲或-WE为低、-CE输入一负脉冲，写周期开始。•-CE和-WE相或，其下降沿锁存地址信号，上升沿锁存数据信号。•字节写周期开始后，时序自动控制编程操作完成。只读存储器•在页写入模式时，允许1到64个字节的数据在一个编程周期写入。•页写入操作的开始类似于字节写入，在第一个字节的数据锁存后，接着输入1-63个额外的字节，每个接着的字节必须在前一个字节结束后的150µs（字节装入周期）之内。•如超过字节装入周期的规定时间，AT28C256将终止数据写入，并开始内部编程操作。只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM只读存储器只读存储器FlashMemory•能够重复编程•电檫除，在写入的同时檫除•整页（64字节）的写入方式•写入包括了数据锁存与编程•编程时间10mS•可在系统中编程只读存储器•FlashMemory•AT29C256•32KX8字节•存储器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CE-WE223212425345678910222011918171615131211AT29C256A14A132726I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0只读存储器AT29C256的工作方式AiXAiX-CE-OE-WE数据线VILVIH输出输入高阻VILVILVILVIHXVIH高阻高阻VILVHXVIL读写暂停禁止编程VIHVILX写禁止写禁止输出禁止高电压整片擦除XXXVIHXXVILVIL5V整片擦除VIHAiAi只读存储器AT29C256的编程基于整页操作方式，即先通过写操作将64字节（一页）的内容装入器件，然后同时编程。因此，编程操作包括了数据装入和编程两个部分。只读存储器•AT29C256的整页编程方式要求在一页中的一个数据需修改，整个页的数据必须都装入器件。•在编程时，一页中未装入的数据将为不确定数据。只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM随机存取存储器随机存取存储器•随机存取存贮器可根据需要写入或读出数据。•随机存取存储器可以分为静态RAM、铁电存储器（FRAM）及动态RAM。只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM随机存取存储器随机存取存储器SRAM•能够重复编程•电檫除，在写入的同时檫除•字节与页（64字节）的写入方式•写入包括了数据锁存与编程•编程时间10mS•可在系统中编程随机存取存储器SRAM•6264•8KX8字节•存储器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0D7D6D5D4D3D2D1D01918171615131211626422321242534567891022202726-OE-CS1-WECS2随机存取存储器6264的工作方式CS2-OE-WE数据线HH输出输入高阻HLXHX高阻LX读输出禁止写HLH非选非选XXX-CS1LLLXH高阻随机存取存储器静态RAM用于存放数据或作为程序运行时工作单元，因此在使用时不仅需利用它的读出方式，还需用到它的写入方式•CS信号为片选信号•-OE为存储器读出控制信号•-WR为存储器写入控制信号只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM随机存取存储器随机存取存储器FRAM•信息在掉电后不会丢失•读写时序与SRAM相同随机存取存储器FRAM•F1608•8KX8位•存储器A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A02232124253456789102220271918171615131211F1608DQ7DQ6DQ5DQ4DQ3DQ2DQ1DQ0-OE-CE-WE随机存取存储器F1608的工作方式-OE-WE数据线输出输入LXXX读地址锁存写H非选XX-CELLH随机存取存储器铁电存储器与静态RAM时序的差异是:FRAM的片选-CE信号具有双重作用，第一是锁存写入数据的地址，第二是在-CE为高电平时产生必要的内存预充电时间。因此在设计接口时，不能像静态RAM一样将-CE引脚接地。只读存储器随机存取存储器EPROME2PROMFlashMemorySRAMFRAMDRAM随机存取存储器随机存取存储器•对于大容量的存储器采用动态RAM较经济，其功耗小于同样容量的静态RAM，存取速度也较快。•但它需要刷新电路，每隔一定的间隔需对其刷新，使各个单元的信息得到保持。•和静态RAM不同的是，动态RAM除了读写操作外，还需定时刷新。随机存取存储器IS41C16256262144X16位高性能CMOS同步随机存储器行与列地址的输入形式数据的刷新地址缓冲器行译码器存储器阵列数据缓冲器行时针发生器列时针发生器写控制输出控制刷新计数器列译码数据总线读写放大器WROEUCASLCASRASA0~A8I/O0~I/O15随机存取存储器本章知识点•常用存贮器*•微处理器与存贮器的连接*•存储器信息的断电保护**微处理器与存贮器的连接•EPROM2764、27C256•E2PROM28C256•FlashMemory29C256•SRAM6264•FRAM1608EPROME2PROMFlashSRAMFRAM存储器写入方式存储时间编程器在线在线在线在线10mS10mS70-120μS70-120μS微处理器与存贮器的连接微处理器与存贮器的连接•数据信号与数据总线的连接•地址信号的译码•读控制信号数据、程序存储器统一编址，数据读信号数据程序存储器分别编址，数据读、程序存储器选中信号•数据写入控制信号-WR微处理器与存贮器的连接数据程序存储器统一编址•程序存储器指令的读出用读信号-RD程序的写入用写信号-WR•数据存储器指令的读出用读信号-RD数据的写入用写信号-WRA12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CS1D7D6D5D4D3D2D1D0-WE6264CS2A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CE-WEAT28C256A14A13地址译码5V存储器读存储器写数据总线地址总线I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0程序存储器数据存储器读信号-RD写信号-WR微处理器与存贮器的连接微处理器与存贮器的连接数据程序存储器分别编址•程序存储器指令的读出用程序存储器读信号程序的写入用数据写信号-WR•数据存储器指令的读出用数据读信号-RD数据的写入用数据写信号-WRA12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CS1D7D6D5D4D3D2D1D0-WE6264CS2地址译码5V程序存储器读数据存储器读数据存储器写数据总线地址总线A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0-OE-CEI/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0-WEAT28C256A14A13微处理器与存贮器的连接读信号-RD写信号-WR程序存储器数据存储器程序存储器选中•89C51扩展2片6264•地址0000H、2000H•地址分离采用74LS373•数据线驱动采用74LS245微处理器与存贮器的连接74LS373Q0Q1Q2Q3Q4Q5Q6Q7LEOED0D1D2D3D4D5D6D774LS245B0B1B2B3B4B5B6B7A0A1A2A3A4A5A6A7DIROE89C51P1.1P1.0P1.3P1.2P1.5P1.4P1.7P1.6P2.0P2.1P2.2P2.3P2.4P2.5P2.6P2.7P0.0P0.1P0