本征半导体结构示意图

第一章常用半导体器件•1.1半导体基础知识•1.2半导体二极管•1.3双极型晶体管•1.4场效应管•1.5单结晶体管和可控硅•1.6集成电路中的元件返回1.1半导体基础知识•图1.1.1本征半导体结构示意图•图1.1.2本征半导体中的自由电子和空穴•图1.1.3N型半导体•图1.1.4P型半导体•图1.1.5PN结的形成•图1.1.6PN结加正向电压时导通•图1.1.7PN结加反向电压时截止•图1.1.8PN结平衡时载流子的分布•图1.1.9外加正向电压时PN结载流子的分布•图1.1.10PN结的伏安特性•图1.1.11PN结的势势垒电容•图1.1.12P区少子浓度分布曲线返回图1.1.1本征半导体结构示意图返回图1.1.2本征半导体中的自由电子和空穴返回图1.1.3N型半导体返回图1.1.4P型半导体返回图1.1.5PN结的形成返回图1.1.6PN结加正向电压时导通返回图1.1.7PN结加反向电压时截止返回图1.1.8PN结平衡时载流子的分布返回图1.1.9外加正向电压时PN结载流子的分布返回图1.1.10PN结的伏安特性返回图1.1.11PN结的势垒电容返回图1.1.12P区少子浓度分布曲线返回1.2半导体二极管•图1.2.1二极管的几种外形•图1.2.2二极管的几种常见结构•图1.2.3二极管的伏安特性•图1.2.4由伏安特性折线化得到的等效电路•图1.2.5二极管加正向电压的情况•图1.2.6例1.2.1电路图•图1.2.7二极管的微变等效电路图•图1.2.8直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路•图1.2.9图1.2.8所示电路的波形分析•图1.2.10稳压管的伏安特性和等效电路•图1.2.11稳压管稳压电路•图1.2.12发光二极管•图1.2.13光电二极管的外形和符号•图1.2.14光电二极管的伏安特性•图1.2.15例图1.2.3电路图返回图1.2.1二极管的几种外形返回图1.2.2二极管的几种常见结构返回图1.2.3二极管的伏安特性返回图1.2.4由伏安特性折线化得到的等效电路返回图1.2.5二极管加正向电压的情况返回图1.2.6例1.2.1电路图返回图1.2.7二极管的微变等效电路图返回图1.2.8直流电压源和交流电压源同时作用的二极管电路返回图1.2.9图1.2.8所示电路的波形分析返回图1.2.10稳压管的伏安特性和等效电路返回图1.2.11稳压管稳压电路返回图1.2.12发光二极管返回图1.2.13光电二极管的外形和符号返回图1.2.14光电二极管的伏安特性返回图1.2.15例图1.2.3电路图返回1.3双极型晶体管•图1.3.1晶体管的几种常见外形•图1.3.2晶体管的结构和符号•图1.3.3基本共射放大电路•图1.3.4晶体管内部载流子运动与外部电流•图1.3.5晶体管的输入特性曲线•图1.3.6晶体管的输出特性曲线•图1.3.7晶体管的极限参数•图1.3.8温度对晶体管输入特性的影响•图1.3.9温度对晶体管输出特性的影响•图1.3.10光电三极管的等效电路、符号和外形•图1.3.11光电三极管的输出特性曲线返回图1.3.1晶体管的几种常见外形返回图1.3.2晶体管的结构和符号返回图1.3.3基本共射放大电路返回图1.3.4晶体管内部载流子运动与外部电流返回图1.3.5晶体管的输入特性曲线返回图1.3.6晶体管的输出特性曲线返回图1.3.7晶体管的极限参数返回图1.3.8温度对晶体管输入特性的影响返回图1.3.9温度对晶体管输出特性的影响返回图1.3.10光电三极管的等效电路、符号和外形返回图1.3.11光电三极管的输出特性曲线返回1.4场效应管•图1.4.1结型场效应管的结构和符号•图1.4.2N沟道结型场效应管的结构示意图•图1.4.3uDS＝0时uGS对导电沟道的控制作用•图1.4.4UGS(off)uGS0且uDS0的情况•图1.4.5场效应管的输出特性•图1.4.6场效应管的转移特性曲线•图1.4.7N沟道增强型MOS管结构示意图及增强型MOS的符号•图1.4.8uDS＝0时uGS对导电沟道的影响•图1.4.9uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响•图1.4.10N沟道增强型MOS管的特性曲线•图1.4.11N沟道耗尽型MOS管结构示意图及符号•图1.4.12N沟道增强型VMOS管的结构示意图•图1.4.13场效应管的符号及特性•图1.4.14例1.4.1输出特性曲线•图1.4.15例1.4.2电路图•图1.4.16例1.4.3电路图返回图1.4.1结型场效应管的结构和符号返回图1.4.2N沟道结型场效应管的结构示意图返回图1.4.3uDS＝0时uGS对导电沟道的控制作用返回图1.4.4UGS(off)uGS0且uDS0的情况返回图1.4.5场效应管的输出特性返回图1.4.6场效应管的转移特性曲线返回图1.4.7N沟道增强型MOS管结构示意图及增强型MOS的符号返回图1.4.8uDS＝0时uGS对导电沟道的影响返回图1.4.9uGS为大于UGS(th)的某一值时uDS对iD的影响返回图1.4.10N沟道增强型MOS管的特性曲线返回图1.4.11N沟道耗尽型MOS管结构示意图及符号返回图1.4.12N沟道增强型VMOS管的结构示意图返回图1.4.13场效应管的符号及特性返回图1.4.14例1.4.1输出特性曲线返回图1.4.15例1.4.2电路图返回图1.4.16例1.4.3电路图返回1.5单结晶体管和可控硅•图1.5.1单结晶体管的结构示意图和等效电路•图1.5.2单结晶体管特性曲线的测试•图1.5.3单结晶体管组成的振荡电路•图1.5.4晶闸管的外形•图1.5.5晶闸管的结构、等效电路和符号•图1.5.6晶闸管的工作原理•图1.5.7晶闸管的伏安特性曲线•图1.5.8例1.5.2电路及波形图返回图1.5.1单结晶体管的结构示意图和等效电路返回图1.5.2单结晶体管特性曲线的测试返回图1.5.3单结晶体管组成的振荡电路返回图1.5.4晶闸管的外形返回图1.5.5晶闸管的结构、等效电路和符号返回图1.5.6晶闸管的工作原理返回图1.5.7晶闸管的伏安特性曲线返回图1.5.8例1.5.2电路及波形图返回1.6集成电路中的元件•图1.6.1基片与管芯图•图1.6.2集成电路的剖面图及外形•图1.6.3PN结隔离的制造工艺•图1.6.4在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程及剖面图•图1.6.5集成电路中的NPN型管•图1.6.6多发射极管的结构与符号•图1.6.7多集电极管的结构与符号•图1.6.8CMOS电路返回图1.6.1基片与管芯图返回图1.6.2集成电路的剖面图及外形返回图1.6.3PN结隔离的制造工艺返回图1.6.4在隔离岛上制作NPN型管的工艺流程及剖面图返回图1.6.5集成电路中的PNP型管返回图1.6.6多发射极管的结构与符号返回图1.6.7多集电极管的结构与符号返回图1.6.8CMOS电路返回