金半接触

第八章金属和半导体的接触§８.1金属半导体接触及能级图1.金属和半导体的功函数金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。金属功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与金属的EF能量之差，即0()mFmWEE上式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。金属中的电子势阱0EmWEFWm越大,金属对电子的束缚越强在半导体中，导带底EC和价带顶EV一般都比E0低几个电子伏特。半导体功函数的定义:真空中静止电子的能量E0与半导体的EF能量之差，即sFsEEW)(0Ws与杂质浓度有关E0ECEFEVWs电子的亲合能CEE02.接触电势差EvWs(a)接触前sFE)(mW0ECEnEmFE)(半导体的功函数又写为nsFCsEEEW)(smWWD（b）间隙很大(D原子间距))(msVVqCEnEVEFEmWsW金属表面负电半导体表面正电Vm:金属的电势Vs:半导体的电势smmsWWVVq)(平衡时,无电子的净流动.相对于(EF)m,半导体的(EF)s下降了qWWVVVmssmms接触电势差:金属和半导体接触而产生的电势差Vms.（c）紧密接触FE)(msVVqnSqmWCEnEVE半导体表面有空间电荷区空间电荷区内有电场电场造成能带弯曲E+_因表面势Vs0能带向上弯曲qVD接触电势差一部分降落在空间电荷区,另一部分降落在金属和半导体表面之间smsmsVVqWW若D原子间距,电子可自由穿过间隙,Vms0,则接触电势差大部分降落在空间电荷区smsVqWW/)(FEnSqCEVEnE（d）忽略间隙qVD半导体一边的势垒高度0,ssmsDVWWqVqV金属一边的势垒高度mnsmnsnDnsWEWWEqVEqVq半导体表面形成一个正的空间电荷区电场方向由体内指向表面(Vs0)半导体表面电子的能量高于体内的，能带向上弯曲，即形成表面势垒当金属与n型半导体接触WmWs在势垒区中，空间电荷主要由电离施主形成，电子浓度要比体内小得多，因此它是一个高阻的区域，常称为阻挡层。WmWs当金属与n型半导体接触半导体表面形成一个负的空间电荷区电场方向由表面指向体内(Vs0)半导体表面电子的能量低于体内的，能带向下弯曲在空间电荷区中，电子浓度要比体内大得多，因此它是一个高电导的区域，称为反阻挡层。EcEvEFWs-Wm-Wm金属和n型半导体接触能带图(WmWs)反阻挡层薄,高电导,对接触电阻影响小能带向下弯曲,造成空穴的势垒,形成p型阻挡层smWWsmWW当金属与p型半导体接触能带向上弯曲,形成p型反阻挡层WmEcEvEcEv金属和p型半导体接触能带图(a)(b)(a)p型阻挡层(WmWs)(b)p型反阻挡层(WmWs)PSqPSqsmDWWqVFEFEmsDWWqV形成n型和p型阻挡层的条件WmWsWmWsn型p型阻挡层反阻挡层阻挡层反阻挡层3.表面态对接触势垒的影响金属和n半导体接触时,形成的金属的势垒高度mnsmnsnDnsWEWWEqVEqVq同一半导体,不变.qns应随Wm而变???事实上,由于半导体表面态的存在,Wm对qns的影响不大表面态分施主表面态和受主表面态，在半导体表面禁带中形成一定的分布，存在一个距价带顶为q0的能级对多数半导体，q0约为禁带宽度的1/3电子填满q0以下所有表面态时，表面电中性q0以下的表面态空着时，表面带正电，呈现施主型q0以上的表面态被电子填充时，表面带负电，呈现受主型存在受主表面态时n型半导体的能带图EFqnsWsq0qVDEVEC若表面态密度很大，只要EF比q0高一点，表面上就会积累很多负电荷，能带上弯存在高表面态密度时n型半导体的能带图qnsWsq0EnEFEVEc高表面态密度时，势垒高度0qEEqVngD势垒高度称为被高表面态密度钉扎无表面态，半导体的功函数sFnsEEEW)(0有表面态，即使不与金属接触，表面也形成势垒，半导体的功函数（形成电子势垒时）nDsEqVW00)(qEEqEqVsFngD表面态密度很高时0qEWgs费米能级钉扎效应：在半导体表面，费米能级的位置由表面态决定，而与半导体掺杂浓度无关的现象。表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图(a)接触前E0Wm(EF)mqns(EF)sECqVD(省略表面态能级）snsmWqW金和半接触时,当半导体的表面态密度很高时mFsFEE)()(电子从半导体流向金属这些电子由受主表面态提供平衡时，费米能级达同一水平Wm(EF)sECqVDWm-Ws(b)紧密接触空间电荷区的正电荷＝表面受主态上的负电荷＋金属表面负电荷表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图(c)极限情形(EF)sECqns半导体的势垒高度nDnsEqVq半导体内的表面势垒qVD在接触前后不变00)(qEEqEqVsFngD00)()(qEEEqEqCsFCsFns因表面态密度很高，表面态中跑掉部分电子后，表面能级q0的位置基本不变VpsEqq0势垒高度金属和p型半导体接触时情形类似金－半接触的的势垒高度与金属的功函数无关只取决于表面能级的位置当表面态起主要作用时表面态密度不同，紧密接触时，接触电势差有一部分要降落在半导体表面以内，金属功函数对表面势垒将产生不同程度的影响，但影响不大。但是§８.2金属半导体接触（阻挡层）整流理论金－n型半接触，WmWs时，在半导体表面形成一个高阻区域，叫阻挡层有外加V时，表面势为(Vs)0＋V无外加V时，表面势为(Vs)0电子势垒高度为])[(0VVqsV与(Vs)0同符号时，阻挡层势垒提高V与(Vs)0反符号时，阻挡层势垒下降外加电压对n型阻挡层的影响(a)V=0qnsqVD=－q(Vs)0外加电压对n型阻挡层的影响(b)V0qnsqV－q[(Vs)0+V]金属正，半导体负从半到金的电子数目增加，形成从金到半的正向电流，此电流由多子构成V,势垒下降越多，正向电流越大因Vs0(c)V0金属负，半导体正-qVqns－q[(Vs)0+V]从半到金的电子数目减少，金到半的电子流占优势形成从半到金的反向电流金属中的电子要越过很高的势垒qns，所以反向电流很小qns不随V变，所以从金到半的电子流恒定。V,反向电流饱和阻挡层具有整流作用对p型阻挡层0)(0sVV0,金属负偏，形成从半向金的正向电流V0,金属正偏，形成反向电流1.厚阻挡层的扩散理论对n型阻挡层，当势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞。当势垒高度远大于kT时，势垒区可近似为一个耗尽层。厚阻挡层须同时考虑漂移和扩散0xdxqnsEFDsqVqV00VEn=qn耗尽层中，载流子极少，杂质全电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。这时的泊松方程是若半导体是均匀掺杂的，那么耗尽层中的电荷密度也是均匀的，等于qND。0)()(rDqNdxxdVxE0rDqN22dxVd{0–)0(dxx)(dxx)(dxx)(xVnsdrDxxxqN)21(20势垒宽度2/1002DsrdqNVVxV与(Vs)0同号时，势垒高度提高，势垒宽度增大厚度依赖于外加电压的势垒，叫肖特基势垒。考虑漂移和扩散，流过势垒的电流密度1expkTqVJJsDkTqVVVqNkTqVVqNkTNDqJDDrDnssrDcnsDexp2exp22/102/100200nqnV0时，若qVkT,则)exp(kTqVJJsDV0时，若qVkT,则sDJJJsD随电压变化，不饱和金属半导体接触伏安特性VI扩散理论适用于迁移率小的半导体计算超越势垒的载流子数目（电流）就是热电子发射理论。2.热电子发射理论N型阻挡层很薄时:•电子的平均自由程远大于势垒宽度，扩散理论不再适用.•电子在势垒区的碰撞可忽略，势垒高度起作用以n型阻挡层为例，且假定势垒高度kTVqs0)(电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压变化。从金属到半导体的电子流所形成的电流密度Jms是个常量，它应与热平衡条件下，即V=0时的Jsm大小相等，方向相反。因此，)exp(*20kTqTAJJnsVmSsm有效理查逊常数32**4hkqmAn热电子向真空发射的有效理查逊常数)/(12022KcmAA由上式得到总电流密度为：1)exp(1)exp()exp(*2kTqVJTkqVTkqTAJJJsTnssmmSkTqTAJnssTexp2*Ge,Si,GaAs的迁移率高，自由程大，它们的肖特基势垒中的电流输运机构，主要是多子的热电子发射。热电子发射理论得到的伏－安特性与扩散理论的一致。3.镜象力和隧道效应的影响锗检波器的反向特性若电子距金属表面的距离为x，则它与感应正电荷之间的吸引力，相当于该电子与位于(–x)处的等量正电荷之间的吸引力，这个正电荷称为镜象电荷。在金属–真空系统中，一个在金属外面的电子，要在金属表面感应出正电荷，同时电子要受到正电荷的吸引。（1）镜象力的影响+-镜象电荷电子–x´nx镜象电荷这个吸引力称为镜象力，它应为20220216)2(4xqxqf把电子从x点移到无穷远处，电场力所做的功xqdxxqfdxx02020216116半导体和金属接触时，在耗尽层中，选(EF)m为势能零点，由于镜像力的作用，电子的势能20202022116)(16xxxNqqxqxqVxqdrDnsrrqΔΦqΦns(EF)m0无镜象力有镜象力xm镜象势能平衡时镜象力对势垒的影响x电势能在xm处出现极大值，这个极大值发生在作用于电子上的镜象力和电场力相平衡的地方，即若,从上式得到)(16002202mdrDmrxxNqxq2/10)(41dDmXNxmdxx0势垒顶向内移动，并且引起势垒的降低q。势能的极大值小于qΦns。这说明，镜象力使平衡时，q很小，可忽略外加电压非平衡时，势垒极大值所对应的x值2/1)(41dDmXNx当反向电压较高时，势垒的降低变得明显，镜象力的影响显得重要。势垒的降低量4/13032702241VVNqxmNqqDrDdmrD镜象力所引起的势垒降低量随反向电压的增加而缓慢地增大kTqVVVqNJDDrDsDexp22/10不考虑镜像力的影响时考虑镜像力的影响时JsD中的kTqVD/exp变为kTVqD/expV,JsD（2）隧道效应的影响能量低于势垒顶的电子有一定概率穿过势垒，穿透的概率与电子能量和势垒厚度有关隧道效应的简化模型对于一定能量的电子，存在一个临界势垒厚度xc,若xdxc,则电子完全不能穿过势垒；若xdxc,则势垒对于电子完全透明，即势垒降低了.金属一边的有效势垒高度为-qV(x),若xcxdcDrDnscdrDnscxVVNqqxxNqqxqV2/103022)(隧道效应引起的势垒降低为cDrDxVVNq2/1032反向电压较高时，势垒的降低才明显镜像力和隧道效应对反向特性影响显著•引起势垒高度的降低，使反向电流增加•反向电压越大，势垒降低越显著，反向电流越大4.肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管的正向电