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氮化铝陶瓷粉体制备方法研究进展及展望作者:王杰,张战营,吕新璐,WANGJie,ZHANGZhan-ying,LVXin-lu作者单位:河南理工大学材料科学与工程学院,焦作,454000刊名:硅酸盐通报英文刊名:BULLETINOFTHECHINESECERAMICSOCIETY年,卷(期):2010,29(5)被引用次数:0次参考文献(23条)1.KripssindhuS,RaoCNR.AlNnanocrystalsbynewchemicalroutes[J].SolidStateSciences,2005,7:217-220.2.杜帅,高陇桥,刘征,等.AlN陶瓷的介电性能[J].硅酸盐学报,1998,26(4):496-502.3.HyounWK,MesfinAK,HyoSK.Temperature-controlledgrowthandphotoluminescenceofAlNnanowires[J].AppliedSurfaceScience,2009,255:7221-7225.4.YoshikazuK,MasakiI,AtsuoY,etal.LowtemperaturesynthesisofAlNbyadditionofvariousLi-salts[J].JournalofEuropeanCeramicSociety,2004,24:3801-3806.5.QinML,DuXL,WangJ,etal.InfluenceofcarbononthesynthesisofAlNpowderfromcombustionsynthesisprecursors[J].JournalofEuropeanCeramicSociety,2009,29:795-799.6.王超,彭超群,王日初,等.AlN陶瓷基板材料的典型性能及其制备技术[J].中国有色金属学报,2007,17(11):1729-1738.7.RadwanM,BahgatM.Amodifieddirectnitridationmethodforformationofnano-AlNwhiskers[J].JournalofMaterialsProcessingTechnology,2007,181:99-105.8.AbidA,BensalemR,SealyBJ.ThermalstabilityofAlN[J].JournalofMaterialsScience,1986,21(4):1301-1304.9.XiSQ,LiuXK,LiPL,etal.AlNceramicssynthesizedbycarbothermalreductionofmechanicalactivatedAl2O3[J].JournalofAlloysandCompounds,2008,457:452-456.10.NaoyukiT,YorikoM,TakatoN.InvestigationsofstructureandmorphologyoftheAlNnano-pillarcrystalfilmspreparedbyhalidechemicalvapordepositionunderatmosphericpressure[J].JournalofPhysicsandChemistryofSolids,2006,67:665-668.11.秦明礼,曲选辉,林健凉,等.溶胶-凝胶工艺制备氮化铝陶瓷超细粉末[J].粉末冶金材料科学与工程,2002,7(1):50-54.12.FuRL,ChenKX,XuX,etal.HighlycrystallineAlNparticlessynthesizedbySHSmethod[J].MaterialsLetters,2005,59:2605-2609.13.KazuhiroB,NobuakiS,MasatomoY.SynthesisandpropertiesofultrafineAlNpowderbyrfplasma[J].AppliedPhysicsLetters,1989,54(23):2309-2311.14.李凯,刘振刚,于美燕,等.利用水引发固相反应方法合成氮化铝纳米粉[J].化学学报,2004,62(12):1144-1147.15.许燕萍,兰玉成,曹永革,等.纳米氮化铝的氨热合成及其光致发光[J].硅酸盐学报,2001,2(1):87-89.16.李玲,郝霄鹏,于乃森,等.立方氮化铝纳米晶的溶剂热合成及其对二甲苯催化性质的研究[J].人工晶体学报,2004,33(3):96-300.17.陆红霞,曹洁明,马贤佳,等.氮化铝的溶剂热合成及其形貌研究[J].功能材料,2005,36(7):1015-1016.18.李远强,丘泰,周宛玲,等.热处理对氮化铝粉末抗水性的影响[J].硅酸盐学报,1997,10,25(5):603-608.19.匡加才,张长瑞,周新贵,等.AlN陶瓷热导率影响因素的研究[J].材料导报,2003,17(4):28-31.20.吴华忠,李华,徐清艳.AlN-C复相陶瓷热导率影响因素分析[J].硅酸盐通报,2009,28(3):521-524.21.YuanQL,QiuT,XuJ.EffectofthermaloxidationtreatmentinaironthehydrolysisofAlNpowder[J].MaterialsResearchBulletin,1997,32(9):1173-1179.22.刘敬,周宗辉.热处理工艺对Sol-gel法制备BST薄膜性能的影响[J].硅酸盐通报,2008,27(6):1274-1277.23.郭兴忠,杨辉,张玲洁,等.有机羧酸改性氮化铝粉体的抗水解性能[J].化工学报,2008,59(9):2412-2415.相似文献(10条)1.期刊论文仝建峰.周洋.陈大明氮化铝粉末的制备方法与机理-硅酸盐通报2002,21(5)论述了氮化铝陶瓷粉末的各种制备方法,评述了各种方法的优缺点,总结了氮化铝形成的主要机理以及影响氮化铝粉末质量的因素.提供了一些有用的工艺参数和有关氮化铝粉末质量的数据.2.期刊论文解挺.吴玉程.张立德.XIETing.WUYu-cheng.ZHANGLi-de氮化铝一维纳米结构制备方法和物性研究的最新进展-功能材料2005,36(12)全面总结了近年来氮化铝一维纳米结构的各种制备方法及物理性能等研究的最新进展,并提出了有待进一步深入研究的一些发展方向.3.期刊论文邹东利.阎殿然.何继宁.董艳春.ZOUDong-li.YANDian-ran.HEJi-ning.DONGYan-chun氮化铝陶瓷粉末的制备方法及展望-绝缘材料2006,39(5)论述了国内外氮化铝陶瓷粉末的主要制备方法,铝粉直接氮化法、Al2O3碳热还原法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、自蔓延高温合成法和等离子化学合成法,分析了这几种制备方法的特点和研究进展及发展方向.4.学位论文王家俊聚酰亚胺/氮化铝复合材料的制备与性能研究2001该文首先研究了聚酰亚胺/氮化铝复合材料的制备方法,用原位聚合法和PMR工艺法分别制备了两大类聚酰亚胺/氮化铝复合材料,并用DSC、H-NMR、FTIR、SEM、TG等对单体、制备过程、最科复合材料进行了分析和表征.制备了不同氮化铝含量、不同偶联剂用量、原位聚合工艺和热压工艺、偶联剂的系列PMR聚酰亚胺/氮化铝复合材料.分析了PMR工艺法的制备条件,通过自制模具和边加热器,创造性地实现了在普通热压机上制备PMR聚酰亚胺/氮化铝复合材料,应用高能球磨混合和PMR工艺方法,成功制得氮化铝含量达80wt﹪(体积含量达62vol.﹪)、致密的PMR聚酰亚胺/氮化铝复合材料.该文提出并验证了同时考虑粒子形状和界面热阻、适用全范围粒子含量的复合材料导热系新改进方程.5.期刊论文尚书勇.梅丽.李兰英.印永祥.戴晓雁纳米氮化铝的制备方法及其应用研究-广东化工2004,31(3)纳米氮化铝是一种用途广泛的纳米材料,它的制备方法主要有气相法、液相法和固相法.本文对这三种方法分别进行叙述,并介绍了各种方法的国内外研究进展,同时对纳米氮化铝的应用领域和发展现状作了阐述.6.会议论文刘战伟.陈文汨.马艳红.颜恒维氮化铝粉末的制备方法及影响因素2004论述了氮化铝陶瓷粉末的各种制备方法,评述了各种方法的优缺点;探讨了氮化铝(AlN)粉末合成过程中,AlN粉末纯度和粒径与碳源、铝源、反应温度、反应时间、氮气气氛、AlN晶体之间的关系.结果表明:不同的碳源和铝源直接关系到AlN粉末的纯度和粒径;反应温度和时间对AlN粉末的性能有着重要的影响;AlN晶种引入有助于降低反应活化能、细化晶格.上述诸多因素对高纯超细AlN粉末的合成起着重要的作用与影响.7.学位论文刘颖氮化铝和氮化镓纳米材料的制备与表征2009以Ⅲ-Ⅴ族半导体材料为代表的第三代信息功能材料是近年来半导体器件研究领域中的热点。Ⅲ族氮化物材料由于其特有的性能引起了相关研究人员很大的兴趣。发展新合成方法、拓展新体系、合成新结构、探索新性能及其应用是当今重要的前沿研究内容。Ⅲ族氮化物材料的合成是相关研究的基础。在对Ⅲ族氮化物纳米材料合成、应用等方面的发展进行了充分研究的基础上,本论文探索了其合成的新路线。采用Ⅲ族金属单质直接作为反应源,在高压釜中合成出氮化铝和氮化镓纳米材料。主要内容归纳如下:1.在500-650℃条件下,利用铝粉和盐酸肼在高压釜中直接反应制备出了氮化铝材料。粉末X-射线衍射(XRD)显示制得的样品为六方相的氮化铝,晶格常数a=3.10A,c=5.02A,与JCPDS卡标准值接近(No.25-1133,a=3.11A,c=4.98A)。TEM照片显示制得的氮化铝是纳米棒和纳米小颗粒的混合形貌。而且我们在大量实验的基础上,推出氮化铝可能的生成机理。2.在350-550℃条件下,以金属镓和氨基钠为原料在高压釜中合成出氮化镓材料。粉末X-射线衍射(XRD)显示制得的样品为六方相的氮化镓,晶格常数a=3.1951A,c=5.1832A,与JCPDS卡片值接近(No.74-0243,a=3.195A,c=5.182A)。SAED、HRTEM的检测结果进一步证明了氮化镓的六方相结构。根据实验分析结果,反应温度是影响氮化镓颗粒结晶性的一个重要因素,随着反应温度的升高,强且尖锐的衍射峰出现,显示出产品良好的结晶性。升温速率是影响氮化镓纳米颗粒大小的重要因素。升温速率越快,得到的氮化镓纳米颗粒的尺寸越大。在此基础上,我们又添加了单质碘和苯作为反应原料,得到了具有闪锌矿结构的氮化镓材料。除去苯,用上述方法也制得了氮化镓晶体。所得样品的XRD衍射图显示,得到的是纯度较高的六方相氮化镓材料。所以,我们推断苯在闪锌矿结构的氮化镓的合成中起着重要的作用。8.会议论文刘素英氮化铝粉末的性能、制备方法和应用现状1999氮化铝具有高导热率、无毒及较高的体积电阻率、绝缘强度、机械强度等特点,因而在电子材料、结构材料等领域显示出强大的应用潜力,该文介绍了氮化铝陶瓷的基本性能、制备方法以及应用情况。9.学位论文胡志杰双金属电弧离子蒸发源的研制及TiAIN膜层制备2009电弧离子镀以其离化率高,离子密度大,离子能量高,沉积速度快,膜层与基体结合力好等优点,成为硬质膜生产的主流技术,在工具镀、装饰镀和特殊功能镀膜领域倍受关注。为此,本文就电弧离子镀中的核心部分——电弧离子蒸发源进行研究,研制了双金属电弧离子蒸发源,并成功应用于膜层的制备过程。在优化电弧离子镀工艺参数的基础上,于TC4钛合金表面制备了TiAlN膜层,并对试样进行了分析。本课题为电弧离子镀电弧蒸发源的研究发展及在钛合金表面制备TiAlN膜层的研究工作提供了可靠的技术支持。br 首先对电弧离子镀电弧蒸发源放电特性及相应的磁场进行了研究,分析了磁场对电弧的影响因素,电弧源阴极现象的产生;同时对电弧源放电的稳定性及其影响因素进行了研究分析,确定了电弧源的最佳工作条件。研究结果表明磁场的分布对
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