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中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W)、G-高频小功率管(f3MHz,Pc1W)、D-低频大功率管(f3MHz,Pc1W)、A-高频大功率管(f3MHz,Pc1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法美国半导体分立器件型号命名方法贴片电容的型号命名方法及规则简介贴片电容的尺寸表示法有两种,一种是英寸为单位来表示,一种是以毫米为单位的公制来表示。贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等。04表示长度是0.04英寸,02表示宽度0.02英寸,其他类同。英制英寸公制mm长度及公差宽度及公差厚度及公差040210051.00±0.050.50±0.050.50±0.05060316081.60±0.100.80±0.100.80±0.10080520122.00±0.201.25±0.200.70±0.20120632163.20±0.301.60±0.200.70±0.20121032253.20±0.302.50±0.301.25±0.30180845204.50±0.402.00±0.20≤2.00181245324.50±0.403.20±0.30≤2.50222557635.70±0.506.30±0.50≤2.50303576907.60±0.509.00±0.05≤3.00不同国家、厂商的命名方法不相同。
本文标题:三极管命名方法
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