(s)process工艺流程CMOS

集成电路制造技术主讲：毛维[e-mail]西安电子科技大学微电子学院CMOSPROCESSFLOWINTRODUCTION加热器1加热器2加热器3压力控制器气体流量控制器晶圆操作控制器晶舟装载器排出控制器温度控制器微控制器垂直式热氧化炉管系统HMDS：六甲基乙硅氮烷——(CH3)6Si2NH作用：去掉SiO2表面的-OH，增强附着力反应离子刻蚀设备离子源分析用磁铁加速管离子束等离子体工艺腔吸出组件扫描圆盘离子注入系统的原理示意图简单平行金属板直流二极管溅射系统尾气e-e-e-DC直流二极管溅射装置衬底1)电场产生Ar+离子2)高能Ar+离子和金属靶撞击3)将金属原子从靶中撞击阳极(+)阴极(-)氩原子电场金属靶等离子体5)金属淀积在衬底上6)用真空泵将多余物质从腔中抽走4)金属原子向衬底迁移.进气+++++